O BS170 é um MOSFET otimizado para operações de alta velocidade e baixa tensão. Ele oferece excelente desempenho para comutação de sinais analógicos e digitais.
Recursos do Onsemi BS170
• Design de célula de alta densidade para baixo RDS(ON)
• Chave de pequeno sinal controlada por tensão
• Robusto e confiável
• Alta capacidade de corrente de saturação
• Estes são dispositivos livres de Pb
Aplicações do Onsemi BS170
•Versátil e confiável: O BS170 é adequado para qualquer tarefa que exija um MOSFET de pequeno sinal com operações de alta velocidade e baixa tensão. É essencial para as suas necessidades, quer você trabalhe em circuitos analógicos ou digitais.
• Ótimo para todas as ocasiões: Este dispositivo é útil em vários ambientes, desde aplicações simples até aplicações complexas. Sua versatilidade o torna perfeito para o uso diário.
•Adequado para qualquer tarefa: As operações de alta velocidade e baixa tensão do BS170 o tornam adequado para uma ampla gama de tarefas, incluindo comutação de sinais analógicos e digitais.
•Perfeito para uso diário: Este dispositivo foi projetado para ser confiável e versátil, tornando-o perfeito para uso diário em diversas aplicações.
Atributos de Onsemi BS170
| Tipo | Descrição |
| Categoria | Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FETs únicos, MOSFETs |
| Fabricante | onsemi |
| Embalagem | Volume |
| Status da peça | Ativo |
| Tipo FET | Canal N |
| Tecnologia | MOSFET (óxido metálico) |
| Dreno para Tensão de Fonte (Vdss) | 60 V |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 500mA (Ta) |
| Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado) | 10V |
| Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs | 5 Ohm @ 200 mA, 10 V |
| Vgs(th) (máx.) @ ID | 3V @ 1mA |
| Vgs (máx.) | ±20 V |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 40 pF a 10 V |
| Dissipação de energia (máx.) | 830 mW (Ta) |
| Temperatura operacional | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Através do furo |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | PARA-92-3 |
| Pacote/Caso | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| Número básico do produto | BS170 |
Folha de dados do Onsemi BS170
Categoria Onsemi BS170 - MOSFETs
MOSFET (Metal - Óxido - Campo Semicondutor - EfTransistor de efeito) é um dispositivo semicondutor amplamente utilizado para fins de comutação e amplificação de sinais eletrônicos em dispositivos eletrônicos. Devido ao tamanho muito pequeno dos MOSFETs, eles podem ser o núcleo ou um circuito integrado e podem ser projetados e fabricados em um único chip. A introdução de dispositivos MOSFET trouxe mudanças no campo da comutação eletrônica.
Tipos de MOSFET
Os MOSFETs convencionais são divididos principalmente em quatro categorias: MOSFETs de potência planar, MOSFETs de potência de trincheira, MOSFETs de potência de superjunção e MOSFETs de potência de porta blindada (SGT).
(1) MOSFETs de potência plana: Eles surgiram na década de 1970. Eles são fáceis de acionar e possuem alta frequência de operação, mas a área do chip é relativamente grande e as perdas são altas.
(2) MOSFETs de potência de trincheira: Eles foram lançados na década de 1980. São fáceis de acionar, possuem alta frequência de operação, boa estabilidade térmica e baixas perdas, mas a resistência à tensão é baixa.
(3) MOSFETs de potência de superjunção: Eles apareceram na década de 1990. Eles são fáceis de acionar, têm frequência ultra alta e perdas extremamente baixas. Eles são a última geração de dispositivos de energia.
(4) MOSFETs de potência de porta blindada (SGT): Eles surgiram no século XXI. Eles quebram o limite de silício e reduzem bastante a resistência de ligação e as perdas de comutação dos dispositivos.
Aplicações comuns de MOSFETs
(1) Uma das principais áreas de aplicação: Pilhas de carregamento
As pilhas de carregamento estão listadas como um dos sete campos de “nova infra-estrutura” na China. As pilhas de recarga públicas são instaladas por instituições de caráter de serviço público, como órgãos governamentais, e os objetos de atendimento são todos proprietários de veículos elétricos. De 2015 a 2019, o número de pilhas de carregamento público na China aumentou de 58.000 para 516.000, com uma taxa composta de crescimento anual de 72,9%.
(2) Uma das principais áreas de aplicação: estações base 5G
Em relação à escala de construção de estações base 5G, na Conferência do Relatório de Observação Aprofundada ICT + da Academia Chinesa de Tecnologia da Informação e Comunicação (CAICT) de 2021, em 15 de dezembro de 2020, um porta-voz do Ministério da Indústria e Tecnologia da Informação apontou que a China construiu cumulativamente 718.000 estações base 5G e promoveu a coconstrução e o compartilhamento de 330.000 estações base 5G.
(3) Uma das principais áreas de aplicação: aplicações de nível automotivo
Para alcançar a conversão e transmissão de energia, novos componentes, como sistemas de controle de motor, módulos DC/DC, acionamentos auxiliares de alta tensão, sistemas de carregamento integrados (OBC) e ICs de gerenciamento de energia foram adicionados aos novos veículos de energia, e o conteúdo de semicondutores de potência neles aumentou bastante. Em termos de tipos de semicondutores, os semicondutores automotivos podem ser divididos em semicondutores de potência (como IGBTs e MOSFETs), MCUs, sensores e outros componentes.
Fabricante do BS170 - Onsemi
A onsemi está impulsionando inovações em eficiência energética, capacitando os clientes a reduzir o uso global de energia. A empresa oferece um portfólio abrangente de soluções de gerenciamento de sinal e energia com eficiência energética, soluções lógicas, discretas e personalizadas para ajudar os engenheiros de projeto a resolver seus desafios exclusivos de projeto em aplicações automotivas, de comunicações, de computação, de consumo, industriais, de iluminação LED, médicas, militares/aeroespaciais e de fornecimento de energia. A onsemi opera uma cadeia de suprimentos e um programa de qualidade responsivos, confiáveis e de classe mundial, além de uma rede de instalações de fabricação, escritórios de vendas e centros de design nos principais mercados da América do Norte, Europa e regiões da Ásia-Pacífico.
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