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Produtos semicondutores discretos (31214)
| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tolerânia | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Poder - Máx | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Configuraça | Velocidade | Configuraça do Diodo | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção | Corrente - Retificada Média (IO) | CapacitânCia @ VR, F | Tipo de diodo | Tensão - Pico Reverso (Max) | Tensão - Zener (NOM) (VZ) | Impedioso (máx) (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 2kbp06m/1 | - |  | 3333 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Obsoleto | -55 ° C ~ 165 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-sip, KBPM | 2kbp06 | Padrão | KBPM | download | Rohs Não Compatível | Não Aplicável | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 600 | 1,1 V @ 3,14 A | 5 µA A 600 V | 2 a | Fase Única | 600 v | ||||||||||||||
 | V6pwm10chm3/i | 0,3529 | | 6430 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | Schottky | Slimdpak | download | Alcançar Não Afetado | 112-V6PWM10CHM3/ITR | Ear99 | 8541.10.0080 | 4.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 100 v | 3a | 730 mv @ 3 a | 80 µA A 100 V | -40 ° C ~ 175 ° C. | |||||||||||||||
 | VS-31DQ10 | - | | 4645 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Obsoleto | Através do buraco | Do-201D, axial | 31DQ10 | Schottky | C-16 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 850 mv @ 3 a | 1 ma @ 100 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 3.3a | - | |||||||||||||
 | AZ23C51-HE3_A-08 | - | | 8772 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotive, AEC-Q101, AZ23 | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 300 MW | SOT-23-3 | download | 112-AZ23C51-HE3_A-08TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 par ânodo comum | 50 Na @ 35,7 V | 51 v | 180 ohms | |||||||||||||||||
 | Ss12p2lhm3_a/i | 0,4534 | | 1902 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-277, 3-POWERDFN | SS12P2 | Schottky | TO-277A (SMPC) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 6.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 20 v | 560 mV @ 12 A | 1 mA a 20 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 12a | 930pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||
 | V12pm45hm3/i | 0,3581 | | 3565 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101, ESMP®, TMBS® | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-277, 3-POWERDFN | V12pm45 | Schottky | TO-277A (SMPC) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 6.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 45 v | 600 mV @ 12 A | 500 µA @ 45 V | -40 ° C ~ 175 ° C. | 12a | 2350pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||
| VS-SD600R16PC | 158.6317 | | 1168 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pântano | B-8 | SD600 | Padrão | B-8 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 6 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1600 v | 1,31 V @ 1500 A | 35 mA a 1600 V | -40 ° C ~ 180 ° C. | 600A | - | |||||||||||||
 | VS-2EQH02-M3/H. | 0,3900 | | 4 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Fred Pt® | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-220AA | 2EQH02 | Padrão | DO-220AA (SMP) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 4.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1,05 V @ 2 A | 23 ns | 1 µA A 200 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 2a | 6pf @ 200V | ||||||||||||
| VS-70MT80KPBF | 67.9880 | | 2506 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Bandeja | Ativo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem do chassi | Módlo MT-K | 70MT80 | Padrão | Mt-k | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Vs70mt80kpbf | Ear99 | 8541.10.0080 | 15 | 70 a | Três fase | 800 v | |||||||||||||||
 | VS-6EWL06FNTR-M3 | 0,8900 | | 2 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Fred Pt® | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | 6EWL06 | Padrão | D-Pak (TO-252AA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,25 V @ 6 A | 154 ns | 5 µA A 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 6a | - | ||||||||||||
| VS-MBRD320TRRPBF | - | | 2619 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | MBRD3 | Schottky | D-Pak (TO-252AA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | VSMBRD320TRRPBF | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 20 v | 600 mv @ 3 a | 200 µA a 20 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 189pf @ 5V, 1MHz | ||||||||||||
 | PLZ2V7B-G3/H. | 0,2800 | | 45 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Plz | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 3,93% | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DO-219AC | Plz2v7 | 960 MW | DO-219AC (Microsmf) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 4.500 | 900 mV a 10 mA | 100 µA @ 1 V | 2,8 v | 100 ohms | ||||||||||||||
 | Gp10the3/54 | - | | 9686 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Superectifier® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | Gp10 | Padrão | DO-204AL (DO-41) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.500 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1300 v | 1,3 V @ 1 a | 3 µs | 5 µA A 1300 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 5pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||
| Au2pm-m3/87a | 0,3300 | | 2220 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | ESMP® | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-277, 3-POWERDFN | Au2 | Avalanche | TO-277A (SMPC) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 6.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1000 v | 2,5 V @ 2 A | 75 ns | 10 µA A 1000 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 1.3a | 29pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||
| BZX84B27-E3-18 | 0,0324 | | 9247 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | BZX84 | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BZX84B27 | 300 MW | SOT-23-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 50 Na @ 18,9 V | 27 v | 80 ohms | |||||||||||||||
 | 6TQ045STRL | - | | 2746 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | 6TQ045 | Schottky | TO-263AB (D²PAK) | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 45 v | 600 mv @ 6 a | 800 µA @ 45 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 6a | - | |||||||||||||
 | SMZG3791BHE3/5B | 0,1980 | | 8563 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | DO-215AA, Asa de Gaivota SMB | SMZG3791 | 1,5 w | SMBG (DO-215AA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.200 | 5 µA a 9,1 V | 12 v | 7 ohms | |||||||||||||||
| MMBZ5227B-G3-08 | - | | 1560 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBZ5227 | 225 MW | SOT-23-3 | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 15.000 | 15 µA A 1 V | 3,6 v | 24 ohms | |||||||||||||||
| GP10BE-075E3/93 | - | | 3740 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Superectifier® | Volume | Obsoleto | - | - | Gp10 | - | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1 | - | - | - | - | ||||||||||||||||||
| MBRB1550CT-E3/45 | - | | 7165 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | MBRB15 | Schottky | TO-263AB (D²PAK) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 50 v | 7.5a | 750 mV @ 7.5 A | 1 mA a 50 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||||
| Egf1dhe3_a/h | - | | 3413 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101, SuperiorIcier® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | DO-214BA | EGF1 | Padrão | DO-214BA (GF1) | download | ROHS3 Compatível | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1 V @ 1 A | 50 ns | 2 µA a 200 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 15pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||
 | VB40M120C-M3/i | 1.4048 | | 6684 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | TMBS® | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | VB40M120 | Schottky | TO-263AB (D²PAK) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 112-VB40M120C-M3/ITR | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 120 v | 20a | 890 mV @ 20 A | 500 µA A 120 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||||
| DZ23C20-HE3_A-18 | - | | 8850 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101, DZ23 | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 300 MW | SOT-23-3 | download | 112-DZ23C20-HE3_A-18TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 par cátodo comum | 100 Na @ 15 V | 20 v | 20 ohms | |||||||||||||||||
 | GBPC604-E4/51 | 2.6300 | | 1 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | CAIXA | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4 Quadrados, GBPC-6 | GBPC604 | Padrão | GBPC6 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 1 V @ 3 A | 5 µA A 400 V | 3 a | Fase Única | 400 v | ||||||||||||||
| 12CWQ03FNTR | - | | 5195 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | 12cwq | Schottky | D-Pak (TO-252AA) | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 30 v | 6a | 470 mV @ 6 A | 3 mA a 30 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||||
 | SS29-M3/52T | 0,1460 | | 3849 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AA, SMB | SS29 | Schottky | DO-214AA (SMB) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 750 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 90 v | 750 mv @ 1 a | 30 µA A 90 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1.5a | - | |||||||||||||
 | UF5407-E3/73 | 0,8900 | | 1 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Fita de Corte (CT) | Ativo | Através do buraco | Do-201D, axial | UF5407 | Padrão | Do-201d | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 800 v | 1,7 V @ 3 A | 75 ns | 10 µA a 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 36pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||
| Uh2dhe3/5bt | - | | 9701 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | DO-214AA, SMB | Uh2 | Padrão | DO-214AA (SMB) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.200 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1,05 V @ 2 A | 35 ns | 2 µA a 200 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 2a | - | ||||||||||||
| VB20M120C-M3/i | 0,9123 | | 4023 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | TMBS® | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | VB20M120 | Schottky | TO-263AB (D²PAK) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 112-VB20M120C-M3/ITR | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 120 v | 10a | 910 mV @ 10 A | 700 µA A 120 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||||
| Smzj3788bhe3_b/h | 0.1508 | | 9625 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Volume | Ativo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DO-214AA, SMB | SMZJ3788 | 1,5 w | DO-214AA (SMB) | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 112-SMZJ3788BHE3_B/H. | Ear99 | 8541.10.0050 | 750 | 50 µA A 7 V | 9.1 v | 4 ohms |
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