RFQ
Bom
Contate-nos

Tel: +86-0755-83501315

E-mail:sales@sic-compponents.com

Entrar

Português

Produtos semicondutores discretos (31214)

Número do Produto	Preço (USD)	Quantidade	Quantidade Dispon Svel	Mfr	Série	Pacote	Status do produto	Tolerânia	Temperatura operacional	Tipo de Montagem	Pacote / Caso	Número do Produto Base	Tecnologia	Poder - Máx	Pacote de Dispositivo de Fornecedor	Ficha de Dadas	Status do rohs	Nível de sensibilidade à Umidade (msl)	Status de alcance	Nomes de Ulros	ECCN	Htsus	PACOTE PADROO	Velocidade	Configuraça do Diodo	Tensão - DC Reversa (VR) (Max)	Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo)	Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se	Tempo de RecuperAção Reversa (TRR)	ATUAL - Vazamento Reverso @ VR	Temperatura operacional - Junção	Corrente - Retificada Média (IO)	CapacitânCia @ VR, F	Tipo de diodo	Tensão - Pico Reverso (Max)	Tensão - Zener (NOM) (VZ)	Impedioso (máx) (ZZT)
Sml4757he3_a/h	0,1658	RFQ	2307	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	Automotivo, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Ativo	± 10%	150 ° C.	Montagem na Superfície	DO-214AC, SMA	SML4757		1 w	DO-214AC (SMA)	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0050	1.800							5 µA a 38,8 V						51 v	95 ohms
W10G-E4/51	0,8000	RFQ	10	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	-	Volume	Ativo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Através do buraco	4-circular, WOG	W10	Padrão		Wog	download	ROHS3 Compatível	Não Aplicável	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0080	3.000					1 V @ 1 A		5 µA A 1000 V		1.5 a		Fase Única	1 kv
S07D-GS08	0,4400	RFQ	59	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	Automotivo, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Ativo			Montagem na Superfície	DO-219AB	S07	Padrão		DO-219AB (SMF)	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0080	3.000	RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io)		200 v		1,1 V @ 1 A	1,8 µs	10 µA A 200 V	-55 ° C ~ 150 ° C.	700mA	4pf @ 4V, 1MHz
BZX584C11-HG3-08	0,0532	RFQ	7059	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	Automotivo, AEC-Q101, BZX584C	Tape & Reel (TR)	Ativo	± 5%	150 ° C (TJ)	Montagem na Superfície	SC-79, SOD-523	BZX584C		200 MW	SOD-523	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0050	8.000							100 Na @ 8 V						11 v	10 ohms
BZT55B75-GS08	0,0433	RFQ	5380	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	Automotive, AEC-Q101, BZT55	Tape & Reel (TR)	Ativo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C.	Montagem na Superfície	Variante SOD-80	BZT55B75		500 MW	Sod-80 Quadromell	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0050	12.500					1,5 V @ 200 mA		100 Na @ 56 V						75 v	250 ohms
V12p15-m3/h	0,7700	RFQ	5	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	ESMP®, TMBS®	Tape & Reel (TR)	Ativo			Montagem na Superfície	TO-277, 3-POWERDFN	V12p15	Schottky		TO-277A (SMPC)	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0080	1.500	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)		150 v		1,08 V @ 12 A		250 µA @ 150 V	-40 ° C ~ 150 ° C.	12a	-
1N4752A-TAP	0,3600	RFQ	38	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	Automotivo, AEC-Q101	Fita de Corte (CT)	Ativo	± 5%	175 ° C (TJ)	Através do buraco	Do-204al, DO-41, axial	1N4752		1.3 w	DO-204AL (DO-41)	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0050	5.000					1,2 V @ 200 mA		5 µA a 25,1 V						33 v	45 ohms
VS-87HF120	8.7081	RFQ	1698	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	-	Volume	Ativo			Chassi, montagem em pântano	DO-203AB, DO-5, Stud	87HF120	Padrão		DO-203AB (DO-5)	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado	VS87HF120	Ear99	8541.10.0080	100	RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io)		1200 v		1,2 V @ 267 A			-65 ° C ~ 180 ° C.	85a	-
VSSAF5M63-M3/H.	0,5300	RFQ	4599	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	Automotive, AEC-Q101, TMBS®	Fita de Corte (CT)	Ativo			Montagem na Superfície	DO-221AC, SMA Flat Leads	VSSAF5M63	Schottky		DO-221AC (Slimsma)	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado				3.500	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)		60 v		660 mV @ 5 A		10 µA A 60 V	-40 ° C ~ 175 ° C.	2.6a	700pf @ 4V, 1MHz
VS-QA300FA17	27.6200	RFQ	2858	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	-	Volume	Ativo			Montagem do chassi	SOT-227-4, Minibloc	QA300	Schottky		SOT-227	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0080	10	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)	2 Independente	170 v	300A	980 mV @ 200 A	71 ns	200 µA A 170 V	-55 ° C ~ 175 ° C.
EGP10DE-M3/73	-	RFQ	6296	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	-	Fita E CAIXA (TB)	Obsoleto			Através do buraco	Do-204al, DO-41, axial	EGP10	Padrão		DO-204AL (DO-41)	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0080	3.000	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)		200 v		950 mV @ 1 a	50 ns	5 µA A 200 V	-65 ° C ~ 150 ° C.	1a	22pf @ 4V, 1MHz
MBR10H90-E3/45	-	RFQ	8860	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	-	Tubo	Obsoleto			Através do buraco	To-220-2	MBR10	Schottky		TO-220AC	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0080	50	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)		90 v		770 mV @ 10 a		4,5 µA A 90 V	-65 ° C ~ 175 ° C.	10a	-
U1D-M3/5AT	0,4900	RFQ	15	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Ativo			Montagem na Superfície	DO-214AC, SMA	U1d	Padrão		DO-214AC (SMA)	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0080	7.500	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)		200 v		920 mV @ 1 a	24 ns	5 µA A 200 V	-55 ° C ~ 150 ° C.	1a	6.8pf @ 4V, 1MHz
V8pa10-m3/i	0,5400	RFQ	81	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	ESMP®, TMBS®	Tape & Reel (TR)	Ativo			Montagem na Superfície	DO-221BC, SMA PLL PLAT PAD	V8pa10	Schottky		DO-221BC (SMPA)	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0080	14.000	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)		100 v		760 mV @ 8 a		800 µA @ 100 V	-40 ° C ~ 150 ° C.	8a	850pf @ 4V, 1MHz
40EPF02	-	RFQ	3167	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	-	Tubo	Obsoleto			Através do buraco	To-247-2	40EPF02	Padrão		TO-247AC Modifado	download	Rohs Não Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0080	500	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)		200 v		1,25 V @ 40 A	180 ns	100 µA A 200 V	-40 ° C ~ 150 ° C.	40A	-
TLZ15B-GS18	0,0335	RFQ	1963	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	Tlz	Tape & Reel (TR)	Ativo	-	-65 ° C ~ 175 ° C.	Montagem na Superfície	DO-213AC, Mini-Me-SED, SOD-80	TLZ15		500 MW	SOD-80 MINIMELL	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0050	10.000					1,5 V @ 200 mA		40 Na @ 13,2 V						15 v	16 ohms
MMBZ5261B-G3-08	-	RFQ	2047	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C.	Montagem na Superfície	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	MMBZ5261		225 MW	SOT-23-3	-	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0050	15.000							100 Na @ 36 V						47 v	105 ohms
VS-MBRB735TRL-M3	0,5595	RFQ	9377	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Ativo			Montagem na Superfície	TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab	MBRB735	Schottky		TO-263AB (D²PAK)	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0080	800	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)		35 v		570 mV @ 7.5 A		100 µA A 35 V	-65 ° C ~ 150 ° C.	7.5a	400pf @ 5V, 1MHz
VBT1045BP-E3/8W	0,8800	RFQ	2	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	TMBS®	Tape & Reel (TR)	Ativo			Montagem na Superfície	TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab	VBT1045	Schottky		TO-263AB (D²PAK)	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0080	800	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)		45 v		680 mV @ 10 a		500 µA @ 45 V	200 ° C (max)	10a	-
MMBZ5265C-E3-18	-	RFQ	7927	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C.	Montagem na Superfície	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	MMBZ5265		225 MW	SOT-23-3	-	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0050	10.000							100 Na @ 47 V						62 v	185 ohms
S1D-E3/5AT	0,3700	RFQ	19	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Ativo			Montagem na Superfície	DO-214AC, SMA	S1D	Padrão		DO-214AC (SMA)	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0080	7.500	RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io)		200 v		1,1 V @ 1 A	1,8 µs	1 µA A 200 V	-55 ° C ~ 150 ° C.	1a	12pf @ 4V, 1MHz
BY127MGPHE3/54	-	RFQ	6043	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	Automotivo, AEC-Q101, SuperiorIcier®	Tape & Reel (TR)	Ativo			Através do buraco	DO-204AC, DO-15, axial	BY127	Padrão		DO-204AC (DO-15)	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0080	4.000	RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io)		1250 v		1,5 V @ 5 A	2 µs	5 µA A 1250 V	-65 ° C ~ 175 ° C.	1.75a	-
Es1pbhe3/84a	-	RFQ	5156	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	ESMP®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			Montagem na Superfície	DO-220AA	ES1	Padrão		DO-220AA (SMP)	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0080	3.000	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)		100 v		920 mV @ 1 a	25 ns	5 µA A 100 V	-55 ° C ~ 150 ° C.	1a	10pf @ 4V, 1MHz
GP10-4007E-E3/53	-	RFQ	1932	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	Superectifier®	Fita E CAIXA (TB)	Ativo			Através do buraco	Do-204al, DO-41, axial	Gp10	Padrão		DO-204AL (DO-41)	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0080	3.000	RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io)		1000 v		1,1 V @ 1 A	3 µs	5 µA A 1000 V	-65 ° C ~ 175 ° C.	1a	8pf @ 4V, 1MHz
BYT53F-TR	0,3069	RFQ	4895	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Ativo			Através do buraco	Sod-57, axial	BYT53	Avalanche		SOD-57	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0080	25.000	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)		300 v		1,1 V @ 1 A	50 ns	5 µA A 300 V	-55 ° C ~ 175 ° C.	1.9a	-
GURB5H60-E3/45	-	RFQ	6688	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	-	Tubo	Obsoleto			Montagem na Superfície	TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab	Gurb5	Padrão		TO-263AB (D²PAK)	-	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)			Ear99	8541.10.0080	1	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)		600 v		1,8 V @ 5 A	30 ns	20 µA A 600 V	-55 ° C ~ 150 ° C.
Smzj3792bhm3_a/h	0,1815	RFQ	3361	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	Automotivo, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Ativo	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montagem na Superfície	DO-214AA, SMB	SMZJ3792		1,5 w	DO-214AA (SMB)	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0050	750							5 µA A 9,9 V						13 v	7,5 ohms
GDZ33B-HE3-18	0,0378	RFQ	9299	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	Automotivo, AEC-Q101, GDZ	Tape & Reel (TR)	Ativo	± 4%	-55 ° C ~ 150 ° C.	Montagem na Superfície	SC-76, SOD-323	GDZ33		200 MW	SOD-323	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0050	10.000							100 Na @ 25 V						33 v	250 ohms
GP10BE-M3/73	-	RFQ	3597	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	-	Fita E CAIXA (TB)	Obsoleto			Através do buraco	Do-204al, DO-41, axial	Gp10	Padrão		DO-204AL (DO-41)	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0080	3.000	RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io)		100 v		1,1 V @ 1 A	3 µs	5 µA A 100 V	-65 ° C ~ 175 ° C.	1a	8pf @ 4V, 1MHz
HFA75MC40C	-	RFQ	4580	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	Hexfred®	Volume	Obsoleto			Montagem do chassi	To-249aa	HFA75	Padrão		To-249aa	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado	*HFA75MC40C	Ear99	8541.10.0080	10	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)	1 par cátodo comum	400 v	75a (DC)	1,5 V @ 75 A	100 ns	3 µA A 400 V