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Produtos semicondutores discretos (31214)

Número do Produto	Preço (USD)	Quantidade	Quantidade Dispon Svel	Mfr	Série	Pacote	Status do produto	Tolerânia	Temperatura operacional	Tipo de Montagem	Pacote / Caso	Número do Produto Base	Tecnologia	Poder - Máx	Estrutura	Pacote de Dispositivo de Fornecedor	Ficha de Dadas	Status do rohs	Nível de sensibilidade à Umidade (msl)	Status de alcance	Nomes de Ulros	ECCN	Htsus	PACOTE PADROO	Velocidade	ATUAL - Hold (ih) (Máx)	Tensão - Estado Off - Off	ATUAL - SEM ESTADO (IT (RMS)) (Max)	Tensão - Gatilho de Porta (VGT) (MAX)	Corrente - Não Rep. Surge 50, 60Hz (ITSM)	Corrente - Gatilho de Portão (IGT) (max)	Tensão - No Estado (VTM) (Max)	ATUAL - SEM ESTADO (IT (AV)) (MAX)	ATUAL - Off State (Max)	TIPO SCR	Configuraça do Diodo	Tensão - DC Reversa (VR) (Max)	Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo)	Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se	Tempo de RecuperAção Reversa (TRR)	ATUAL - Vazamento Reverso @ VR	Temperatura operacional - Junção	Corrente - Retificada Média (IO)	CapacitânCia @ VR, F	Número de SCRS, Diodos	Tipo de diodo	Tensão - Pico Reverso (Max)	Tensão - Zener (NOM) (VZ)	Impedioso (máx) (ZZT)
VIT3045C-M3/4W	1.1081	RFQ	6552	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	Automotive, AEC-Q101, TMBS®	Tubo	Ativo			Através do buraco	TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA	Vit3045	Schottky			TO-262AA	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0080	1.000	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)											1 par cátodo comum	45 v	15a	570 mV @ 15 A		2 mA a 45 V	-40 ° C ~ 150 ° C.
50WQ06fntrl	-	RFQ	2979	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			Montagem na Superfície	TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63	50WQ06	Schottky			D-Pak (TO-252AA)	download	Rohs Não Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0080	3.000	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)												60 v		570 mV @ 5 A		3 mA a 60 V	-40 ° C ~ 150 ° C.	5.5a	360pf @ 5V, 1MHz
S1FLJ-GS08	0,3400	RFQ	1	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Ativo			Montagem na Superfície	DO-219AB	S1f	Padrão			DO-219AB (SMF)	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0080	3.000	RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io)												600 v		1,1 V @ 1 A	1,8 µs	10 µA A 600 V	-55 ° C ~ 150 ° C.	700mA	4pf @ 4V, 1MHz
1N5237B-TR	0,2300	RFQ	35	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Ativo	± 5%	-	Através do buraco	Do-204ah, do-35, axial	1N5237		500 MW		DO-35 (DO-204AH)	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0050	10.000															1,1 V @ 200 mA		3 µA A 6,5 V							8.2 v	8 ohms
VS-80PFR80W	6.6200	RFQ	8169	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	-	Volume	Ativo			Montagem do Pino	DO-203AB, DO-5, Stud	80pfr80	Polaridada reversa padrão			DO-203AB (DO-5)	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0080	100	RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io)												800 v		1,4 V @ 220 A			-55 ° C ~ 180 ° C.	80a	-
TZM5225F-GS08	-	RFQ	7714	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	Automotivo, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-	175 ° C.	Montagem na Superfície	DO-213AC, Mini-Me-SED, SOD-80	TZM5225		500 MW		SOD-80 MINIMELL	-	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)			Ear99	8541.10.0050	2.500															1,1 V @ 200 mA		50 µA @ 1 V							3 v	1600 ohms
V8pam10shm3/h	0,5000	RFQ	6	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	Automotivo, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Ativo			Montagem na Superfície	DO-221BC, SMA PLL PLAT PAD		Schottky			DO-221BC (SMPA)	download		1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0080	3.500	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)												100 v		840 mV @ 8 a		180 µA @ 100 V	-40 ° C ~ 175 ° C.	2.8a	600pf @ 4V, 1MHz
SS36/7T	-	RFQ	1855	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			Montagem na Superfície	DO-214AB, SMC	SS36	Schottky			DO-214AB (SMC)	-	Rohs Não Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0080	850	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)												60 v		750 mv @ 3 a		500 µA A 60 V	-55 ° C ~ 150 ° C.	3a	-
1N3612GPHE3/73	-	RFQ	4581	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	Automotivo, AEC-Q101, SuperiorIcier®	Fita E CAIXA (TB)	Obsoleto			Através do buraco	Do-204al, DO-41, axial	1N3612	Padrão			DO-204AL (DO-41)	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0080	3.000	RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io)												400 v		1 V @ 1 A	2 µs	1 µA A 400 V	-65 ° C ~ 175 ° C.	1a	-
EGP10DEHM3/73	-	RFQ	9494	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	Superectifier®	Fita E CAIXA (TB)	Obsoleto			Através do buraco	Do-204al, DO-41, axial	EGP10	Padrão			DO-204AL (DO-41)	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0080	3.000	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)												200 v		950 mV @ 1 a	50 ns	5 µA A 200 V	-65 ° C ~ 150 ° C.	1a	22pf @ 4V, 1MHz
VS-MBRB20100CTRHM3	1.0190	RFQ	3313	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	Automotivo, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Ativo			Montagem na Superfície	TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab	MBRB20100	Schottky			TO-263AB (D²PAK)	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0080	800	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)											1 par cátodo comum	100 v	10a	800 mv @ 10 a		100 µA A 100 V	-65 ° C ~ 150 ° C.
GP10V-M3/73	-	RFQ	8230	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	Superectifier®	Fita E CAIXA (TB)	Obsoleto			Através do buraco	Do-204al, DO-41, axial	Gp10	Padrão			DO-204AL (DO-41)	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0080	3.000	RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io)												1400 v		1,3 V @ 1 a	3 µs	5 µA A 1400 V	-65 ° C ~ 150 ° C.	1a	5pf @ 4V, 1MHz
BZM55B30-TR	0,3200	RFQ	4261	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	Automotivo, AEC-Q101, BZM55	Tape & Reel (TR)	Ativo	-	-65 ° C ~ 175 ° C.	Montagem na Superfície	2-SMD, sem chumbo	BZM55B30		500 MW		Micromell	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0050	2.500															1,5 V @ 200 mA		100 Na @ 22 V							30 v	220 ohms
VS-ST180C16C1L	83.3975	RFQ	7636	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	-	Volume	Ativo		-40 ° C ~ 125 ° C.	Montagem do chassi	TO-200B, A-Puk	ST180				TO-200B, A-Puk	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado	VSST180C16C1L	Ear99	8541.30.0080	12		600 mA	1,6 kV	660 a	3 v	4200A, 4400A	150 MA	1,96 v	350 a	30 mA	RecuperAção Padrão
BYS10-45-M3/TR3	0,0721	RFQ	6798	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Ativo			Montagem na Superfície	DO-214AC, SMA	Bys10	Schottky			DO-214AC (SMA)	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0080	7.500	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)												45 v		500 mV @ 1 a		500 µA @ 45 V	-65 ° C ~ 150 ° C.	1.5a	-
2KBP04ML-6533E4/72	-	RFQ	5759	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	-	CAIXA	Obsoleto		-55 ° C ~ 165 ° C (TJ)	Através do buraco	4-sip, KBPM	2kbp04	Padrão			KBPM	-	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0080	200															1,1 V @ 3,14 A		5 µA A 400 V		2 a			Fase Única	400 v
VS-25CTQ040-M3	1.6900	RFQ	8	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	-	Tubo	Ativo			Através do buraco	To-220-3	25ctq040	Schottky			To-220-3	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0080	50	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)											1 par cátodo comum	40 v	30a	710 mV @ 30 A		1,75 mA a 40 V	-55 ° C ~ 150 ° C.
MPG06G-E3/73	0,4200	RFQ	6	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	-	Fita de Corte (CT)	Ativo			Através do buraco	MPG06, axial	MPG06	Padrão			MPG06	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0080	3.000	RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io)												400 v		1,1 V @ 1 A	600 ns	5 µA A 400 V	-55 ° C ~ 150 ° C.	1a	10pf @ 4V, 1MHz
VS-ST300C08L0	118.4833	RFQ	4375	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	-	Volume	Ativo		-40 ° C ~ 125 ° C.	Montagem do chassi	TO-200B, E-PUK	ST300				TO-200AB (E-PUK)	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.30.0080	3		600 mA	800 v	1115 a	3 v	8000A, 8380A	200 MA	2.18 v	560 a	50 MA	RecuperAção Padrão
TY056S150A6OT	-	RFQ	2865	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Ativo			Montagem na Superfície	Morrer	TY056	Schottky			Morrer	download		1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0040	6.000	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)												150 v		1,41 V @ 5 A		100 µA A 150 V	-55 ° C ~ 150 ° C.	5a	-
US1GHE3/61T	-	RFQ	5955	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			Montagem na Superfície	DO-214AC, SMA	US1	Padrão			DO-214AC (SMA)	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0080	1.800	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)												400 v		1 V @ 1 A	50 ns	10 µA A 400 V	-55 ° C ~ 150 ° C.	1a	15pf @ 4V, 1MHz
VIT3080S-M3/4W	0,6648	RFQ	6844	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	-	Tubo	Ativo			Através do buraco	TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA	Vit3080	Schottky			TO-262AA	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0080	1.000	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)												80 v		950 mV @ 30 A		1 mA a 80 V	-55 ° C ~ 150 ° C.	30a	-
MURB1520-1	-	RFQ	7518	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	Fred Pt®	Tubo	Obsoleto			Através do buraco	TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA	MURB1520	Padrão			TO-262-3	download	Rohs Não Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0080	1.000	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)												200 v		1,05 V @ 15 A	35 ns	10 µA A 200 V	-65 ° C ~ 175 ° C.	15a	-
US1B-E3/5AT	0,4300	RFQ	8	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Ativo			Montagem na Superfície	DO-214AC, SMA	US1B	Padrão			DO-214AC (SMA)	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0080	7.500	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)												100 v		1 V @ 1 A	50 ns	10 µA A 100 V	-55 ° C ~ 150 ° C.	1a	15pf @ 4V, 1MHz
Vs-vskn56/06	39.0550	RFQ	8492	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	-	Volume	Ativo		-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	Montagem do chassi	Add-a-pak (3 + 4)	Vskn56			CONEXÃO EM SÉRIE - SCR/DIODO		download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado	VSVSKN5606	Ear99	8541.30.0080	10		200 MA	600 v	135 a	2,5 v	1200A, 1256a	150 MA		60 a												1 scr, 1 diodo
VS-MBRB1535CTPBF	-	RFQ	1851	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	-	Tubo	Descontinuado no sic			Montagem na Superfície	TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab	MBRB15	Schottky			TO-263AB (D²PAK)	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0080	50	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)											1 par cátodo comum	35 v	7.5a	840 mV @ 15 A		100 µA A 45 V	-65 ° C ~ 150 ° C.
VS-60EPF06PBF	-	RFQ	2996	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	-	Tubo	Obsoleto			Através do buraco	To-247-2	60EPF06	Padrão			TO-247AC Modifado	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0080	25	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)												600 v		1,3 V @ 60 A	180 ns	100 µA A 600 V	-40 ° C ~ 150 ° C.	60a	-
Vs-11dq10tr	-	RFQ	2762	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			Através do buraco	Do-204al, DO-41, axial	11DQ10	Schottky			DO-204AL (DO-41)	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0080	5.000	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)												100 v		850 mV @ 1 a		500 µA @ 100 V	-40 ° C ~ 150 ° C.	1.1a	-
VS-30CTH02FP-N3	1.6038	RFQ	1370	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	Fred Pt®	Tubo	Ativo			Através do buraco	Pacote completo parágrafo 220-3	30CTH02	Padrão			Pacote completo parágrafo 220	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado	VS30CTH02FPN3	Ear99	8541.10.0080	1.000	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)											1 par cátodo comum	200 v	15a	1,05 V @ 15 A		10 µA A 200 V	175 ° C (max)
CS1M-E3/H.	-	RFQ	6399	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			Montagem na Superfície	DO-214AC, SMA	CS1	Padrão			DO-214AC (SMA)	-					Ear99	8541.10.0080	1.800	RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io)												1000 v		1,12 V @ 1 A	1,5 µs	5 µA A 1000 V	-55 ° C ~ 150 ° C.	1a	6pf @ 4V, 1MHz