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Produtos semicondutores discretos (31214)
| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tolerânia | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Poder - Máx | Estrutura | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Configuraça | Velocidade | ATUAL - Hold (ih) (Máx) | Tensão - Estado Off - Off | ATUAL - SEM ESTADO (IT (RMS)) (Max) | Tensão - Gatilho de Porta (VGT) (MAX) | Corrente - Não Rep. Surge 50, 60Hz (ITSM) | Corrente - Gatilho de Portão (IGT) (max) | Tensão - No Estado (VTM) (Max) | ATUAL - SEM ESTADO (IT (AV)) (MAX) | ATUAL - Off State (Max) | TIPO SCR | Configuraça do Diodo | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção | Corrente - Retificada Média (IO) | CapacitânCia @ VR, F | Número de SCRS, Diodos | Tensão - Zener (NOM) (VZ) | Impedioso (máx) (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | S3M-M3/9AT | 0,1549 |  | 7929 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AB, SMC | S3M | Padrão | DO-214AB (SMC) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.500 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1000 v | 1,15 V @ 2,5 A | 2,5 µs | 10 µA A 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 60pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||
 | V20150C-M3/4W | 0,8037 | | 2225 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotive, AEC-Q101, TMBS® | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-220-3 | V20150 | Schottky | To-220-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 150 v | 10a | 1,2 V @ 10 A | 150 µA @ 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||||||||||||||
| V20100SG-E3/4W | 1.1800 | | 815 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | TMBS® | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-220-3 | V20100 | Schottky | To-220-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 1,07 V @ 20 A | 350 µA A 100 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 20a | - | |||||||||||||||||||||||
 | VS-40HF10 | 6.5300 | | 79 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pântano | DO-203AB, DO-5, Stud | 40HF10 | Padrão | DO-203AB (DO-5) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 1,3 V @ 125 A | 9 mA a 100 V | -65 ° C ~ 190 ° C. | 40A | - | |||||||||||||||||||||||
 | BZX84C5V1-G3-08 | 0,2700 | | 13 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | BZX84-G | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BZX84C5V1 | 300 MW | SOT-23-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 2 µA @ 2 V | 5.1 v | 60 ohms | |||||||||||||||||||||||||
 | GP10D-M3/54 | - | | 9564 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | Gp10 | Padrão | DO-204AL (DO-41) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.500 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1,1 V @ 1 A | 3 µs | 5 µA A 200 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 8pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||
 | TLZ3V9-GS18 | 0,0335 | | 7763 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Tlz | Tape & Reel (TR) | Ativo | - | -65 ° C ~ 175 ° C. | Montagem na Superfície | DO-213AC, Mini-Me-SED, SOD-80 | Tlz3v9 | 500 MW | SOD-80 MINIMELL | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,5 V @ 200 mA | 3,9 v | 50 ohms | |||||||||||||||||||||||||
 | VS-E5PH7506LHN3 | 4.9700 | | 400 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotive, AEC-Q101, Fred Pt® | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-247-2 | Vs-e5 | Padrão | TO-247AD | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 112-VS-E5PH7506LHN3 | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,7 V @ 75 A | 57 ns | 25 µA A 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 75a | - | |||||||||||||||||||||
 | VS-30WQ06FNTL-M3 | 0,2721 | | 2177 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | 30WQ06 | Schottky | D-Pak (TO-252AA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Vs30wq06fntrlm3 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 60 v | 610 mV @ 3 a | 2 mA a 60 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 3.5a | 145pf @ 5V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||
 | LS101B-GS08 | 0,0590 | | 1321 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | Variante SOD-80 | LS101 | Schottky | Sod-80 Quadromell | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 12.500 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 50 v | 950 mV @ 15 mA | 200 Na @ 40 V | 125 ° C (Máximo) | 30Ma | 2.1pf @ 0V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||
 | V8pa6-m3/i | 0,1980 | | 2592 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | ESMP®, TMBS® | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-221BC, SMA PLL PLAT PAD | V8pa6 | Schottky | DO-221BC (SMPA) | download | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 14.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 60 v | 630 mV @ 8 a | 600 µA A 60 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 8a | 1030pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||
 | BZX384B43-HE3-08 | 0,0378 | | 3480 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotive, AEC-Q101, BZX384 | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | SC-76, SOD-323 | BZX384B43 | 200 MW | SOD-323 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 15.000 | 50 Na @ 30,1 V | 43 v | 150 ohms | |||||||||||||||||||||||||
 | BZG05C12-HM3-18 | 0,1172 | | 3184 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101, BZG05C-M | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5,42% | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | BZG05C12 | 1,25 w | DO-214AC (SMA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 6.000 | 1,2 V @ 200 mA | 500 Na @ 9,1 V | 12 v | 9 ohms | ||||||||||||||||||||||||
 | SBLF1040-E3/45 | - | | 3094 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | Através do buraco | Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada | SBLF1040 | Schottky | ITO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 40 v | 600 mV @ 10 A | 1 mA a 40 V | -40 ° C ~ 125 ° C. | 10a | - | |||||||||||||||||||||||
 | SBYV28-50-E3/54 | 0,6500 | | 768 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | Do-201D, axial | SBYV28 | Padrão | Do-201d | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.400 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 50 v | 1,1 V @ 3,5 A | 20 ns | 5 µA a 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3.5a | 20pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||
 | VBT4060C-E3/4W | 1.2317 | | 6906 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | TMBS® | Tubo | Ativo | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | VBT4060 | Schottky | TO-263AB (D²PAK) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 60 v | 20a | 620 mV @ 20 A | 6 mA a 60 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||||||||||||||
 | BZX55A20-TAP | - | | 9304 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 1% | 175 ° C. | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | BZX55 | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,5 V @ 200 mA | 100 Na @ 15 V | 20 v | 55 ohms | ||||||||||||||||||||||||
| VS-8EWF02STR-M3 | 2.0160 | | 8051 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | 8ewf02 | Padrão | D-Pak (TO-252AA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Vs8ewf02strm3 | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1,2 V @ 8 A | 55 ns | 100 µA A 200 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 8a | - | |||||||||||||||||||||
| VS-50PF160W | 4.9245 | | 6100 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Ativo | Montagem do Pino | DO-203AB, DO-5, Stud | 50pf160 | Padrão | DO-203AB (DO-5) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Vs50pf160w | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1600 v | 1,5 V @ 125 A | -55 ° C ~ 160 ° C. | 50a | - | |||||||||||||||||||||||
 | BAT83S-TR | 0,3700 | | 3 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | BAT83 | Schottky | DO-35 (DO-204AH) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 10.000 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 60 v | 1 V @ 15 mA | 200 Na @ 60 V | 125 ° C (Máximo) | 30Ma | 1.6pf @ 1V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||
 | S1AFJ-M3/6B | 0,0858 | | 7044 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-221AC, SMA Flat Leads | S1A | Padrão | DO-221AC (Slimsma) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 14.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,1 V @ 1 A | 1,47 µs | 5 µA A 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 7.9pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||
| DZ23C3V6-HE3-08 | 0,0436 | | 4978 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101, DZ23 | Tape & Reel (TR) | Última Vez compra | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Dz23 | 300 MW | SOT-23-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 15.000 | 1 par cátodo comum | 3,6 v | 95 ohms | |||||||||||||||||||||||||
 | 1N6480-E3/97 | 0,1246 | | 6590 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Superectifier® | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | Do-213ab, Mell (Vidro) | 1N6480 | Padrão | DO-213AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1,1 V @ 1 A | 10 µA A 200 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 8pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||
| FEPB16JT-E3/81 | 1.7300 | | 758 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | FEPB16 | Padrão | TO-263AB (D²PAK) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 600 v | 8a | 1,5 V @ 8 A | 50 ns | 10 µA A 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||||||||||||||
| VS-5EWX06FNTRR-M3 | 0,3652 | | 6898 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Fred Pt® | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | 5EWX06 | Padrão | D-Pak (TO-252AA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Vs5ewx06fntrrm3 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 2,9 V @ 5 A | 18 ns | 20 µA A 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 5a | - | |||||||||||||||||||||
 | Vs-vskl250-20pbf | 384.8100 | | 9469 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Ativo | -40 ° C ~ 130 ° C (TJ) | Montagem do chassi | Magn-a-pak | Vskl250 | CONEXÃO EM SÉRIE - SCR/DIODO | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Vsvskl25020pbf | Ear99 | 8541.30.0080 | 2 | 500 MA | 400 v | 555 a | 3 v | 8500A, 8900A | 200 MA | 250 a | 1 scr, 1 diodo | |||||||||||||||||||||
 | V60200PG-E3/45 | - | | 2067 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | TMBS® | Tubo | Obsoleto | Através do buraco | TO-3P-3, SC-65-3 | V60200 | Schottky | TO-247AD (TO-3P) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 750 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 200 v | 30a | 1,48 V @ 30 A | 200 µA a 200 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||||||||||||||
| VS-ST083S12MFK0L | - | | 7489 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Ativo | -40 ° C ~ 125 ° C. | Chassi, montagem em pântano | TO-209AC, parágrafo 94-4, Stud | ST083 | TO-209AC (TO-94) | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | VSST083S12MFK0L | Ear99 | 8541.30.0080 | 25 | 600 mA | 1,2 kV | 135 a | 3 v | 2060A, 2160A | 200 MA | 2.15 v | 85 a | 30 mA | RecuperAção Padrão | |||||||||||||||||||
| AZ23B3V9-HE3_A-18 | - | | 6459 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotive, AEC-Q101, AZ23 | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 300 MW | SOT-23-3 | download | 112-AZ23B3V9-HE3_A-18TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 par ânodo comum | 3 µA @ 1 V | 3,9 v | 90 ohms | |||||||||||||||||||||||||||
 | MMSZ4699-HE3_A-08 | 0,0533 | | 6338 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SOD-123 | 500 MW | SOD-123 | download | 112-MMSZ4699-HE3_A-08TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 15.000 | 900 mV a 10 mA | 50 Na @ 9,1 V | 12 v |
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