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Produtos semicondutores discretos (31214)

Número do Produto	Preço (USD)	Quantidade	Quantidade Dispon Svel	Mfr	Série	Pacote	Status do produto	Tolerânia	Temperatura operacional	Tipo de Montagem	Pacote / Caso	Número do Produto Base	Tecnologia	Poder - Máx	Pacote de Dispositivo de Fornecedor	Ficha de Dadas	Status do rohs	Nível de sensibilidade à Umidade (msl)	Status de alcance	Nomes de Ulros	ECCN	Htsus	PACOTE PADROO	Velocidade	ATUAL - Hold (ih) (Máx)	Tensão - Estado Off - Off	ATUAL - SEM ESTADO (IT (RMS)) (Max)	Tensão - Gatilho de Porta (VGT) (MAX)	Corrente - Não Rep. Surge 50, 60Hz (ITSM)	Corrente - Gatilho de Portão (IGT) (max)	Tensão - No Estado (VTM) (Max)	ATUAL - SEM ESTADO (IT (AV)) (MAX)	ATUAL - Off State (Max)	TIPO SCR	Configuraça do Diodo	Tensão - DC Reversa (VR) (Max)	Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo)	Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se	Tempo de RecuperAção Reversa (TRR)	ATUAL - Vazamento Reverso @ VR	Temperatura operacional - Junção	Corrente - Retificada Média (IO)	CapacitânCia @ VR, F	Tipo de diodo	Tensão - Pico Reverso (Max)	Tensão - Zener (NOM) (VZ)	Impedioso (máx) (ZZT)
VS-1N1206A	6.0000	RFQ	9225	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	-	Volume	Ativo			Chassi, montagem em pântano	DO-203AA, DO-4, Stud	1N1206	Padrão		Do-203aa (DO-4)	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0080	100	RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io)												600 v		1,35 V @ 12 A		1 mA a 600 V	-65 ° C ~ 200 ° C.	12a	-
Vs-81ria40pbf	32.3692	RFQ	9634	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	-	Volume	Ativo		-40 ° C ~ 125 ° C.	Chassi, montagem em pântano	TO-209AC, parágrafo 94-4, Stud	81ria40			TO-209AC (TO-94)	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado	Vs81ria40pbf	Ear99	8541.30.0080	25		200 MA	400 v	125 a	2,5 v	1600A, 1675A	120 MA	1.6 V.	80 a	15 MA	RecuperAção Padrão
MBRF3035CT-E3/45	-	RFQ	9269	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	-	Tubo	Obsoleto			Através do buraco	Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada	MBRF3035	Schottky		ITO-220AB	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0080	50	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)											1 par cátodo comum	35 v	15a	600 mV @ 20 A		1 ma @ 35 V	-65 ° C ~ 150 ° C.
VS-16TTS16STL-M3	1.3094	RFQ	9402	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Ativo		-40 ° C ~ 125 ° C.	Montagem na Superfície	TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab	16TTS16			TO-263AB (D²PAK)	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.30.0080	800		150 MA	1,6 kV	16 a	2 v	200a @ 50Hz	60 MA	1,4 v	10 a	10 MA	RecuperAção Padrão
MSQ1PJ-M3/H.	1.2800	RFQ	3	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	ESMP®	Tape & Reel (TR)	Ativo			Montagem na Superfície	MicroSMP	MSQ1	Padrão		MicroSMP (DO-219AD)	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0080	4.500	RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io)												600 v		1,2 V @ 1 A	650 ns	1 µA A 600 V	-55 ° C ~ 175 ° C.	1a	4pf @ 4V, 1MHz
VS-ST300C16L0	151.7333	RFQ	6731	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	-	Volume	Ativo		-40 ° C ~ 125 ° C.	Montagem do chassi	TO-200B, E-PUK	ST300			TO-200AB (E-PUK)	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.30.0080	3		600 mA	1,6 kV	1115 a	3 v	8000A, 8380A	200 MA	2.18 v	560 a	50 MA	RecuperAção Padrão
VF30120S-M3/4W	0,7415	RFQ	1928	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	-	Tubo	Ativo			Através do buraco	Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada	VF30120	Schottky		ITO-220AB	-	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0080	1.000	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)												120 v		1,1 V @ 30 A		500 µA A 120 V	-40 ° C ~ 150 ° C.	30a	-
110CNQ045ASM	-	RFQ	8068	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	-	Volume	Obsoleto			Através do buraco	D-61-8-SM	110CNQ045	Schottky		D-61-8-SM	download	Rohs Não Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado	*110CNQ045ASM	Ear99	8541.10.0080	400	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)											1 par cátodo comum	45 v	55a	540 mV @ 55 A		3 ma @ 45 V	-55 ° C ~ 150 ° C.
VS-16TTS08-M3	3.7800	RFQ	9026	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	-	Tubo	Ativo		-40 ° C ~ 125 ° C.	Através do buraco	To-220-3	16TTS08			To-220-3	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.30.0080	50		150 MA	800 v	16 a	2 v	170A @ 50Hz	60 MA	1,4 v	10 a	10 MA	RecuperAção Padrão
VS-25TTS08STRL-M3	2.1000	RFQ	6	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Ativo		-40 ° C ~ 125 ° C.	Montagem na Superfície	TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab	25TTS08			TO-263AB (D²PAK)	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.30.0080	800		150 MA	800 v	25 a	2 v	350A @ 50Hz	45 Ma	1,25 v	16 a	10 MA	RecuperAção Padrão
BY229X-600-E3/45	-	RFQ	7393	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	-	Tubo	Obsoleto			Através do buraco	Pacote completo parágrafo 220-2, Guia Isolada	BY229	Padrão		ITO-220AC	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0080	50	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)												600 v		1,85 V @ 20 A	145 ns	10 µA A 600 V	-40 ° C ~ 150 ° C.	8a	-
1N5627GPHE3/54	-	RFQ	8573	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	Superectifier®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			Através do buraco	Do-201D, axial	1N5627	Padrão		Do-201d	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0080	1.400	RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io)												800 v		1 V @ 3 A	3 µs	5 µA A 800 V	-65 ° C ~ 175 ° C.	3a	40pf @ 4V, 1MHz
BAS383-TR	0,4100	RFQ	6943	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	Automotivo, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Ativo			Montagem na Superfície	2-SMD, sem chumbo	Bas383	Schottky		Micromell	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0070	2.500	Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade												60 v		1 V @ 15 mA		200 Na @ 60 V	125 ° C (Máximo)	30Ma	1.6pf @ 1V, 1MHz
VS-MBRB20100CTRHM3	1.0190	RFQ	3313	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	Automotivo, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Ativo			Montagem na Superfície	TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab	MBRB20100	Schottky		TO-263AB (D²PAK)	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0080	800	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)											1 par cátodo comum	100 v	10a	800 mv @ 10 a		100 µA A 100 V	-65 ° C ~ 150 ° C.
2KBP04ML-6533E4/72	-	RFQ	5759	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	-	CAIXA	Obsoleto		-55 ° C ~ 165 ° C (TJ)	Através do buraco	4-sip, KBPM	2kbp04	Padrão		KBPM	-	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0080	200															1,1 V @ 3,14 A		5 µA A 400 V		2 a		Fase Única	400 v
VS-ST700C18L1	159.9367	RFQ	9620	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	-	Volume	Ativo		-40 ° C ~ 125 ° C.	Montagem do chassi	TO-200AC, B-Puk	ST700			TO-200AC, B-Puk	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado	VSST700C18L1	Ear99	8541.30.0080	3		600 mA	1,8 kV	1857 a	3 v	13200A, 13800A	200 MA	1,8 v	910 a	80 MA	RecuperAção Padrão
ZPY24-TR	0,3700	RFQ	24	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	Automotivo, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Ativo	± 5%	175 ° C.	Através do buraco	Do-204al, DO-41, axial	Zpy24		1.3 w	DO-204AL (DO-41)	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0050	5.000																	500 Na @ 18 V						24 v	8 ohms
GDZ22B-HG3-08	0,0523	RFQ	1129	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	Automotive, AEC-Q101, GDZ-G	Tape & Reel (TR)	Ativo	± 2%	-65 ° C ~ 150 ° C.	Montagem na Superfície	SC-76, SOD-323	GDZ22		200 MW	SOD-323	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0050	15.000																	100 Na @ 17 V						22 v	100 ohms
TZX33A-TR	0,2300	RFQ	6	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	Automotive, AEC-Q101, TZX	Tape & Reel (TR)	Ativo	-	-65 ° C ~ 175 ° C.	Através do buraco	Do-204ah, do-35, axial	TZX33		500 MW	DO-35 (DO-204AH)	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0050	10.000															1,5 V @ 200 mA		1 µA A 25 V						33 v	120 ohms
MMBZ4689-HE3-08	-	RFQ	8921	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	Automotivo, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C.	Montagem na Superfície	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	MMBZ4689		350 MW	SOT-23-3	-	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0050	15.000																	10 µA A 3 V						5.1 v
BZT52B9V1-HE3-08	0,0436	RFQ	5192	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	Automotive, AEC-Q101, BZT52	Tape & Reel (TR)	Última Vez compra	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C.	Montagem na Superfície	SOD-123	BZT52B9V1		410 MW	SOD-123	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0050	15.000																	100 Na @ 7 V						9.1 v	4,8 ohms
BZX84C3V9-E3-08	0,2300	RFQ	29	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	BZX84	Tape & Reel (TR)	Ativo	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C.	Montagem na Superfície	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BZX84C3V9		300 MW	SOT-23-3	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0050	3.000																	3 µA @ 1 V						3,9 v	90 ohms
VLZ16C-GS18	-	RFQ	8705	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	Automotive, AEC-Q101, VLZ	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-	-65 ° C ~ 175 ° C.	Montagem na Superfície	Variante SOD-80	VLZ16		500 MW	Sod-80 Quadromell	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0050	10.000															1,5 V @ 200 mA		40 µA a 14,9 V						16,1 v	18 ohms
BZW03C11-TAP	-	RFQ	3024	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	BZW03	Fita E CAIXA (TB)	Obsoleto	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C.	Através do buraco	Sod-64, axial	BZW03		1,85 w	SOD-64	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0050	12.500															1,2 V @ 1 A		15 µA a 8,2 V						11 v	2,5 ohms
TLZ7V5-GS08	0,0335	RFQ	1753	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	Tlz	Tape & Reel (TR)	Ativo	-	-65 ° C ~ 175 ° C.	Montagem na Superfície	DO-213AC, Mini-Me-SED, SOD-80	Tlz7v5		500 MW	SOD-80 MINIMELL	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0050	12.500															1,5 V @ 200 mA								7,5 v	8 ohms
GLL4756A-E3/96	0,3256	RFQ	5105	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Ativo	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C.	Montagem na Superfície	Do-213ab, Mell	GLL4756		1 w	Mell Do-213ab	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0050	1.500																	5 µA A 35,8 V						47 v	80 ohms
BZX384C3V0-G3-18	0,0389	RFQ	9850	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	BZX384-G	Tape & Reel (TR)	Ativo	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C.	Montagem na Superfície	SC-76, SOD-323	BZX384C3V0		200 MW	SOD-323	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0050	10.000																	10 µA A 1 V						3 v	95 ohms
VS-ST333C04CFM1	102.2475	RFQ	4896	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	-	Volume	Última Vez compra		-40 ° C ~ 125 ° C.	Montagem do chassi	TO-200B, E-PUK	ST333			TO-200AB (E-PUK)	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado	VSST333C04CFM1	Ear99	8541.30.0080	12		600 mA	400 v	1435 a	3 v	9250A, 9700A	200 MA	1,96 v	720 a	50 MA	RecuperAção Padrão
VS-ST303C04CFN1	100.2075	RFQ	3303	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	-	Volume	Última Vez compra		-40 ° C ~ 125 ° C.	Prenda	TO-200B, E-PUK	ST303			TO-200AB (E-PUK)	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado	VSST303C04CFN1	Ear99	8541.30.0080	12		600 mA	400 v	1180 a	3 v	6690A, 7000A	200 MA	2.16 v	620 a	50 MA	RecuperAção Padrão
BZX84B8V2-G3-18	0,0389	RFQ	1193	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	BZX84-G	Tape & Reel (TR)	Ativo	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C.	Montagem na Superfície	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BZX84B8V2		300 MW	SOT-23-3	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0050	10.000																	700 Na @ 5 V						8.2 v	15 ohms