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Produtos semicondutores discretos (31214)
| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tolerânia | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Poder - Máx | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Velocidade | Configuraça do Diodo | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção | Corrente - Retificada Média (IO) | CapacitânCia @ VR, F | Tensão - Zener (NOM) (VZ) | Impedioso (máx) (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | PTV8.2B-E3/84A | - |  | 7797 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | ESMP® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 6% | 150 ° C. | Montagem na Superfície | DO-220AA | Ptv8.2 | 600 MW | DO-220AA (SMP) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,5 V @ 200 mA | 20 µA a 5 V | 8,8 v | 4 ohms | |||||||||||
 | VS-40L15CW-N3 | 3.0466 | | 8297 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-247-3 | 40L15 | Schottky | TO-247AC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | VS40L15CWN3 | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 15 v | 20a | 520 mV @ 40 A | 10 mA a 15 V | 125 ° C (Máximo) | |||||||||
 | Irkj71/14a | - | | 6213 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Obsoleto | Montagem do chassi | Add-a-pak (3) | Irkj71 | Padrão | Add-a-Pak® | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1 par ânodo comum | 1400 v | 80a | 10 mA A 1400 V | ||||||||||||
 | MB10H90HE3_A/i | - | | 1981 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | MB10H90 | Schottky | TO-263AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 90 v | 770 mV @ 10 a | 4,5 µA A 90 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 10a | - | ||||||||||
 | FES16BT-E3/45 | - | | 4966 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | Através do buraco | To-220-2 | Fese16 | Padrão | TO-220AC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 975 mV @ 16 a | 35 ns | 10 µA A 100 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||||
 | BZG03C47-HM3-18 | 0.1898 | | 4745 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101, BZG03C-M | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 6,38% | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | BZG03C47 | 1,25 w | DO-214AC (SMA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 6.000 | 1,2 V @ 500 mA | 1 µA A 36 V | 47 v | 45 ohms | |||||||||||
| HFA25PB60 | - | | 5080 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Hexfred® | Tubo | Obsoleto | Através do buraco | To-247-2 | HFA25 | Padrão | TO-247AC Modifado | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,7 V @ 25 A | 75 ns | 20 µA A 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 25a | - | |||||||||
| 10ets12s | - | | 8573 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | 10ets12 | Padrão | TO-263AB (D²PAK) | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | *10ets12s | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1200 v | 1,1 V @ 10 A | 50 µA A 1200 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 10a | - | |||||||||
 | BY206GPHE3/73 | - | | 3049 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Superectifier® | Fita E CAIXA (TB) | Obsoleto | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | BY206 | Padrão | DO-204AL (DO-41) | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 300 v | 1,5 V @ 2 A | 1 µs | 2 µA A 300 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 400mA | - | |||||||||
 | TZM5259F-GS18 | - | | 7113 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | - | 175 ° C. | Montagem na Superfície | DO-213AC, Mini-Me-SED, SOD-80 | TZM5259 | 500 MW | SOD-80 MINIMELL | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,1 V @ 200 mA | 100 Na @ 30 V | 39 v | 800 ohms | ||||||||||||
 | VS-8CSH01HM3/86A | 0,8500 | | 1 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotive, AEC-Q101, Fred Pt® | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-277, 3-POWERDFN | 8csh01 | Padrão | TO-277A (SMPC) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 100 v | 4a | 950 mV @ 4 a | 25 ns | 2 µA A 100 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | |||||||||
 | BZX55B7V5-TAP | 0,2200 | | 56 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotive, AEC-Q101, BZX55 | Fita de Corte (CT) | Ativo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | BZX55B7V5 | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,5 V @ 200 mA | 100 Na @ 5 V | 7,5 v | 7 ohms | |||||||||||
 | PLZ3V0B-G3/H. | 0,2800 | | 12 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Plz | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 3,37% | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DO-219AC | Plz3v0 | 960 MW | DO-219AC (Microsmf) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 4.500 | 900 mV a 10 mA | 20 µA @ 1 V | 3.12 v | 80 ohms | |||||||||||
 | BZX84B3V6-HE3-08 | 0,0341 | | 7321 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotive, AEC-Q101, BZX84 | Tape & Reel (TR) | Última Vez compra | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BZX84B3V6 | 300 MW | SOT-23-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 15.000 | 5 µA @ 1 V | 3,6 v | 90 ohms | ||||||||||||
 | BZD27C10P-M3-08 | 0,4600 | | 29 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | BZD27-M | Tape & Reel (TR) | Ativo | - | -65 ° C ~ 175 ° C. | Montagem na Superfície | DO-219AB | BZD27 | 800 MW | DO-219AB (SMF) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V @ 200 mA | 7 µA A 7,5 V | 10 v | 4 ohms | |||||||||||
 | FEP16HT-5410HE3/45 | - | | 8902 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Obsoleto | Através do buraco | To-220-3 | FEP16 | Padrão | To-220-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 500 v | 16a | 1,3 V @ 8 A | 50 ns | 10 µA A 500 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||
 | VSKD600-12 | - | | 7436 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Obsoleto | Montagem do chassi | 3-MAGN-A-PAK ™ | Vskd600 | Padrão | Magn-a-Pak® | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | CONEXÃO DE 1 SÉRIE DA SÉRIE | 1200 v | 600A | 1,24 V @ 1800 A | 50 mA A 1200 V | |||||||||||
| MMBZ4617-E3-18 | - | | 9809 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBZ4617 | 350 MW | SOT-23-3 | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 2 µA @ 1 V | 2,4 v | 1400 ohms | ||||||||||||
 | BZX884B6V8L-G3-08 | 0,3200 | | 9 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | BZX884L | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 0402 (1006 Mética) | 300 MW | DFN1006-2A | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 900 mV a 10 mA | 2 µA A 4 V | 6,8 v | 15 ohms | |||||||||||||
 | 1N6097 | - | | 6879 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Obsoleto | Chassi, montagem em pântano | DO-203AB, DO-5, Stud | 1N6097 | Schottky | DO-203AB (DO-5) | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 30 v | 600 mV @ 10 A | 75 mA a 30 V | -65 ° C ~ 125 ° C. | 50a | - | ||||||||||
| BZG03B82-M3-18 | 0,2228 | | 8533 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | BZG03B-M | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | BZG03B82 | 1,25 w | DO-214AC (SMA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 6.000 | 1,2 V @ 500 mA | 1 µA A 62 V | 82 v | 100 ohms | |||||||||||
 | 403CNQ080 | - | | 6625 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Obsoleto | Montagem do chassi | TO-244AB | 403CNQ | Schottky | TO-244AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 80 v | 400A | 970 mV @ 400 A | 6 mA a 80 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | ||||||||||
| UB30BCT-E3/8W | - | | 1481 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | UB30 | Padrão | TO-263AB (D²PAK) | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 100 v | 15a | 1,05 V @ 15 A | 45 ns | 20 µA A 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||
| SMAZ5931B-E3/61 | 0,4200 | | 6 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | SMAZ5931 | 500 MW | DO-214AC (SMA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.800 | 1,5 V @ 200 mA | 1 µA A 13,7 V | 18 v | 12 ohms | |||||||||||
 | VS-72HF120M | 21.2611 | | 5977 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pântano | DO-203AB, DO-5, Stud | 72HF120 | Padrão | DO-203AB (DO-5) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Vs72hf120m | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1200 v | 1,35 V @ 220 A | -65 ° C ~ 180 ° C. | 70A | - | ||||||||||
| MMBZ5231B-G3-18 | - | | 7035 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBZ5231 | 225 MW | SOT-23-3 | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 5 µA @ 2 V | 5.1 v | 17 ohms | ||||||||||||
| Plz22a-hg3_a/h | 0,3600 | | 20 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotive, AEC-Q101, PLZ | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 3% | 150 ° C. | Montagem na Superfície | DO-219AC | Plz22 | 500 MW | DO-219AC (Microsmf) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 4.500 | 900 mV a 10 mA | 200 Na @ 17 V | 22 v | 30 ohms | |||||||||||
| BZX884B24L-HG3-08 | 0,3600 | | 8 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotive, AEC-Q101, BZX884L | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 0402 (1006 Mética) | BZX884 | 300 MW | DFN1006-2A | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 900 mV a 10 mA | 50 Na @ 16,8 V | 24 v | 70 ohms | ||||||||||||
 | BZX384C33-G3-08 | 0,0389 | | 3232 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | BZX384-G | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | SC-76, SOD-323 | BZX384C33 | 200 MW | SOD-323 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 15.000 | 50 Na @ 23,1 V | 33 v | 80 ohms | ||||||||||||
| Ss12p2lhm3_a/i | 0,4534 | | 1902 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-277, 3-POWERDFN | SS12P2 | Schottky | TO-277A (SMPC) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 6.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 20 v | 560 mV @ 12 A | 1 mA a 20 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 12a | 930pf @ 4V, 1MHz |
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