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Produtos semicondutores discretos (31214)

Número do Produto	Preço (USD)	Quantidade	Quantidade Dispon Svel	Mfr	Série	Pacote	Status do produto	Tolerânia	Temperatura operacional	Tipo de Montagem	Pacote / Caso	Número do Produto Base	Tecnologia	Poder - Máx	Estrutura	Pacote de Dispositivo de Fornecedor	Ficha de Dadas	Status do rohs	Nível de sensibilidade à Umidade (msl)	Status de alcance	Nomes de Ulros	ECCN	Htsus	PACOTE PADROO	Velocidade	ATUAL - Hold (ih) (Máx)	Tensão - Estado Off - Off	ATUAL - SEM ESTADO (IT (RMS)) (Max)	Tensão - Gatilho de Porta (VGT) (MAX)	Corrente - Não Rep. Surge 50, 60Hz (ITSM)	Corrente - Gatilho de Portão (IGT) (max)	Tensão - No Estado (VTM) (Max)	ATUAL - SEM ESTADO (IT (AV)) (MAX)	ATUAL - Off State (Max)	TIPO SCR	Configuraça do Diodo	Tensão - DC Reversa (VR) (Max)	Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo)	Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se	Tempo de RecuperAção Reversa (TRR)	ATUAL - Vazamento Reverso @ VR	Temperatura operacional - Junção	Corrente - Retificada Média (IO)	CapacitânCia @ VR, F	Número de SCRS, Diodos	Tensão - Zener (NOM) (VZ)	Impedioso (máx) (ZZT)
IRKT56/14A	-	RFQ	3038	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	-	Volume	Obsoleto		-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	Montagem do chassi	Add-a-pak (3 + 4)	IRKT56			CONEXÃO EM SÉRIE - SCR/DIODO		download	Rohs Não Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.30.0080	10		200 MA	1,4 kV	135 a	2,5 v	1310A, 1370A	150 MA		60 a												1 scr, 1 diodo
BZT52C3V0-HE3_A-18	-	RFQ	9658	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	Automotive, AEC-Q101, BZT52	Tape & Reel (TR)	Ativo	± 5%	150 ° C (TJ)	Montagem na Superfície	SOD-123			300 MW		SOD-123	download				112-BZT52C3V0-HE3_A-18TR	Ear99	8541.10.0050	1																	10 µA A 1 V					3 v	95 ohms
6CWQ10FNTR	-	RFQ	5272	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			Montagem na Superfície	TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63	6CWQ10	Schottky			D-Pak (TO-252AA)	download	Rohs Não Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0080	2.000	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)											1 par cátodo comum	100 v	3.5a	810 mV @ 3 a		1 ma @ 100 V	-40 ° C ~ 150 ° C.
Vs-25ria60m	17.1757	RFQ	9370	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	-	Volume	Ativo		-65 ° C ~ 125 ° C.	Chassi, montagem em pântano	TO-208AA, TO-48-3, Stud	25ria60				TO-208AA (TO-48)	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado	Vs25ria60m	Ear99	8541.30.0080	100		130 MA	600 v	40 a	2 v	350A, 370A	60 MA	1,7 V.	25 a	10 MA	RecuperAção Padrão
Vs-vskn41/16	39.3720	RFQ	9591	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	-	Volume	Ativo		-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	Montagem do chassi	Add-a-pak (3 + 4)	Vskn41			CONEXÃO EM SÉRIE - SCR/DIODO		download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado	Vsvskn4116	Ear99	8541.30.0080	10		200 MA	1,6 kV	100 a	2,5 v	850A, 890A	150 MA		45 a												1 scr, 1 diodo
VS-25TTS12STRLPBF	-	RFQ	3503	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Descontinuado no sic		-40 ° C ~ 125 ° C.	Montagem na Superfície	TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab	25TTS12				TO-263AB (D²PAK)	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.30.0080	800		150 MA	1,2 kV	25 a	2 v	350A @ 50Hz	45 Ma	1,25 v	16 a	500 µA	RecuperAção Padrão
Vs-vskn56/04	39.0550	RFQ	1306	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	-	Volume	Ativo		-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	Montagem do chassi	Add-a-pak (3 + 4)	Vskn56			CONEXÃO EM SÉRIE - SCR/DIODO		download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado	VSVSKN5604	Ear99	8541.30.0080	10		200 MA	400 v	135 a	2,5 v	1200A, 1256a	150 MA		60 a												1 scr, 1 diodo
VS-ST650C24L0	191.1533	RFQ	5636	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	-	Volume	Ativo		-40 ° C ~ 125 ° C.	Montagem do chassi	TO-200AC, B-Puk	ST650				TO-200AC, B-Puk	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado	VSST650C24L0	Ear99	8541.30.0080	3		600 mA	2,4 kV	1557 a	3 v	8600A, 9150A	200 MA	2.07 v	790 a	80 MA	RecuperAção Padrão
VS-30TPS08pbf	-	RFQ	5590	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	-	Tubo	Obsoleto		-40 ° C ~ 125 ° C.	Através do buraco	To-247-3	30TPS08				TO-247AC	-	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.30.0080	25		100 ma	800 v	30 a	2 v	300A @ 50Hz	45 Ma	1,3 v	20 a	500 µA	RecuperAção Padrão
VS-22RIA120M	17.1757	RFQ	3353	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	-	Volume	Ativo		-65 ° C ~ 125 ° C.	Chassi, montagem em pântano	TO-208AA, TO-48-3, Stud	22RIA120				TO-208AA (TO-48)	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado	VS22RIA120M	Ear99	8541.30.0080	100		130 MA	1,2 kV	35 a	2 v	335a, 355a	60 MA	1,7 V.	22 a	10 MA	RecuperAção Padrão
VS-80RIA120pbf	44.4300	RFQ	33	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	-	Volume	Ativo		-40 ° C ~ 125 ° C.	Chassi, montagem em pântano	TO-209AC, parágrafo 94-4, Stud	80ria120				TO-209AC (TO-94)	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.30.0080	25		200 MA	1,2 kV	125 a	2,5 v	1900a, 1990a	120 MA	1.6 V.	80 a	15 MA	RecuperAção Padrão
Vs-vskl136/14pbf	71.5093	RFQ	8721	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	-	Volume	Ativo		-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	Montagem do chassi	Int-a-pak (3 + 4)	Vskl136			CONEXÃO EM SÉRIE - SCR/DIODO		download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado	Vsvskl13614pbf	Ear99	8541.30.0080	15		200 MA	1,4 kV	300 a	2,5 v	3200A, 3360A	150 MA		135 a												1 scr, 1 diodo
VS-ST303C12CFK0	135.4300	RFQ	12	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	-	Volume	Última Vez compra		-40 ° C ~ 125 ° C.	Montagem do chassi	TO-200B, E-PUK	ST303				TO-200AB (E-PUK)	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.30.0080	12		600 mA	1,2 kV	1180 a	3 v	7950A, 8320A	200 MA	2.16 v	620 a	50 MA	RecuperAção Padrão
BZT55B47-GS18	0,0433	RFQ	6341	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	Automotive, AEC-Q101, BZT55	Tape & Reel (TR)	Ativo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C.	Montagem na Superfície	Variante SOD-80	BZT55B47		500 MW		Sod-80 Quadromell	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0050	10.000															1,5 V @ 200 mA		100 Na @ 36 V					47 v	110 ohms
GP10-4002-E3/54	0,1780	RFQ	5297	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Ativo			Através do buraco	Do-204al, DO-41, axial	Gp10	Padrão			DO-204AL (DO-41)	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0080	5.500	RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io)												100 v					-	1a	-
Bas34-tap	0,3500	RFQ	90	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	Automotivo, AEC-Q101	Fita de Corte (CT)	Ativo			Através do buraco	Do-204ah, do-35, axial	Bas34	Padrão			DO-35 (DO-204AH)	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0070	10.000	Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade												60 v		1 V @ 100 Ma		1 Na @ 30 V	175 ° C (max)	200Ma	3pf @ 0V, 1MHz
Vs-25ria120ms90	17.1757	RFQ	7178	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	-	Volume	Ativo		-65 ° C ~ 125 ° C.	Chassi, montagem em pântano	TO-208AA, TO-48-3, Stud	25ria120				TO-208AA (TO-48)	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado	VS25RIA120MS90	Ear99	8541.30.0080	100		130 MA	1,2 kV	40 a	2 v	350A, 370A	60 MA	1,7 V.	25 a	10 MA	RecuperAção Padrão
VS-50WQ03FN-M3	0,7800	RFQ	10	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	-	Tubo	Ativo			Montagem na Superfície	TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63	50WQ03	Schottky			D-Pak (TO-252AA)	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado	Vs50wq03fnm3	Ear99	8541.10.0080	75	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)												30 v		460 mV @ 5 A		3 mA a 30 V	-40 ° C ~ 150 ° C.	5.5a	590pf @ 5V, 1MHz
Vs-vsku91/12	45.3610	RFQ	8330	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	-	Volume	Ativo		-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	Montagem do chassi	Add-a-pak (3 + 4)	Vsku91			Catodo Comum - Todos OS SCRS		download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado	Vsvsku9112	Ear99	8541.30.0080	10		250 Ma	1,2 kV	150 a	2,5 v	2000a, 2094a	150 MA		95 a												2 scrs
VS-10MQ060HM3/5AT	0,4300	RFQ	3	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	Automotivo, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Ativo			Montagem na Superfície	DO-214AC, SMA	10MQ060	Schottky			DO-214AC (SMA)	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0080	7.500	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)												60 v		630 mV @ 1 a		500 µA A 60 V	-55 ° C ~ 150 ° C.	1a	31pf @ 10V, 1MHz
VS-20ets08STRLPBF	-	RFQ	8523	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Descontinuado no sic			Montagem na Superfície	TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab	20ets08	Padrão			TO-263AB (D²PAK)	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0080	800	RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io)												800 v		1,1 V @ 20 A		100 µA A 800 V	-40 ° C ~ 150 ° C.	20a	-
S1K-E3/5AT	0,3700	RFQ	12	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Ativo			Montagem na Superfície	DO-214AC, SMA	S1K	Padrão			DO-214AC (SMA)	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0080	7.500	RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io)												800 v		1,1 V @ 1 A	1,8 µs	5 µA A 800 V	-55 ° C ~ 150 ° C.	1a	12pf @ 4V, 1MHz
VSSAF5M12-M3/H.	0,1238	RFQ	6808	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	TMBS®, Slimsma ™	Tape & Reel (TR)	Ativo			Montagem na Superfície	DO-221AC, SMA Flat Leads	SAF5M12	Schottky			DO-221AC (Slimsma)	download	ROHS3 Compatível		Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0080	3.500	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)												120 v		890 mV @ 5 A		350 µA A 120 V	-40 ° C ~ 175 ° C.	5a	420pf @ 4V, 1MHz
VS-41HFR100	8.9776	RFQ	6442	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	-	Volume	Ativo			Chassi, montagem em pântano	DO-203AB, DO-5, Stud	41HFR100	Polaridada reversa padrão			DO-203AB (DO-5)	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0080	100	RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io)												1000 v		1,3 V @ 125 A		9 mA a 1000 V	-65 ° C ~ 190 ° C.	40A	-
Gib2404-E3/81	0,9817	RFQ	9519	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Ativo			Montagem na Superfície	TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab	Gib2404	Padrão			TO-263AB (D²PAK)	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0080	800	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)											1 par cátodo comum	200 v	16a	975 mV @ 8 a	35 ns	5 µA A 200 V	-65 ° C ~ 150 ° C.
SE100PWG-M3/i	0,2673	RFQ	7089	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	ESMP®	Tape & Reel (TR)	Ativo			Montagem na Superfície	TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63	SE100	Padrão			Slimdpak	download			Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0080	4.500	RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io)												400 v		1,14 V @ 10 A	2,6 µs	20 µA A 400 V	-55 ° C ~ 175 ° C.	10a	78pf @ 4V, 1MHz
VS-MBRB2045CTPBF	-	RFQ	9593	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	-	Tubo	Descontinuado no sic			Montagem na Superfície	TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab	MBRB20	Schottky			TO-263AB (D²PAK)	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0080	1.000	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)											1 par cátodo comum	45 v	10a	570 mV @ 10 A		100 µA A 45 V	-65 ° C ~ 150 ° C.
VS-ETH3006-1-M3	1.4495	RFQ	2710	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	Fred Pt®	Tubo	Ativo			Através do buraco	TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA	Eth3006	Padrão			TO-262-3	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado	VSETH30061M3	Ear99	8541.10.0080	50	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)												600 v		2,65 V @ 30 A	26 ns	30 µA A 600 V	-65 ° C ~ 175 ° C.	30a	-
1N3292	-	RFQ	6994	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	-	Volume	Obsoleto			Chassi, montagem em pântano	Do-205AA, DO-8, Stud	1N3292	Padrão			Do-205AA (DO-8)	download	Rohs Não Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0080	10	RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io)												500 v		1,5 V @ 100 A		21 mA a 500 V	-40 ° C ~ 200 ° C.	100a	-
VS-SD300R25PC	109.6625	RFQ	9694	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	-	Volume	Ativo			Montagem do Pino	DO-205AB, DO-9, Stud	SD300	Padrão			DO-205AB (DO-9)	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0080	12	RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io)												2500 v		1,83 V @ 1180 A		15 mA a 2500 V	-40 ° C ~ 150 ° C.	380a	-