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Produtos semicondutores discretos (31214)
| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tolerânia | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Poder - Máx | Entrada | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Configuraça | Velocidade | Configuraça do Diodo | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção | Corrente - Retificada Média (IO) | CapacitânCia @ VR, F | TIPO IGBT | Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) | Corrente - Coletor (IC) (Max) | Vce (on) (max) @ vge, ic | Corrente - Corte de Colecionador (Max) | Termistor NTC | Tensão - Zener (NOM) (VZ) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | VS-S1352 | - |  | 1716 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Obsoleto | - | 112-VS-S1352 | Obsoleto | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| Vs-s669b | - | | 2901 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Obsoleto | - | 112-VS-S669B | Obsoleto | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| VS-S1274 | - | | 8467 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Obsoleto | - | 112-VS-S1274 | Obsoleto | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| VS-73-4715 | - | | 9472 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Obsoleto | - | 112-VS-73-4715 | Obsoleto | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| VS-S1845 | - | | 2391 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Obsoleto | - | 112-VS-S1845 | Obsoleto | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| VS-73-5265A | - | | 1625 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Obsoleto | - | 112-VS-73-5265A | Obsoleto | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| VS-S1317 | - | | 6948 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Obsoleto | - | 112-VS-S1317 | Obsoleto | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | S4pghm3_b/i | - | | 2430 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotive, AEC-Q101, ESMP® | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-277, 3-POWERDFN | S4pg | Padrão | TO-277A (SMPC) | download | 112-S4PGHM3_B/ITR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,1 V @ 4 A | 2,5 µs | 10 µA A 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 4a | 30pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||
| S4pkhm3_b/h | - | | 3590 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotive, AEC-Q101, ESMP® | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-277, 3-POWERDFN | S4PK | Padrão | TO-277A (SMPC) | download | 112-S4PKHM3_B/HTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 800 v | 1,1 V @ 4 A | 2,5 µs | 10 µA a 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 4a | 30pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||
| S4pjhm3_b/h | - | | 8697 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotive, AEC-Q101, ESMP® | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-277, 3-POWERDFN | S4pj | Padrão | TO-277A (SMPC) | download | 112-S4PJHM3_B/HTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,1 V @ 4 A | 2,5 µs | 10 µA A 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 4a | 30pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||
| S4pmhm3_b/i | - | | 3539 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotive, AEC-Q101, ESMP® | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-277, 3-POWERDFN | S4pm | Padrão | TO-277A (SMPC) | download | 112-s4pmhm3_b/itr | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1000 v | 1,1 V @ 4 A | 2,5 µs | 10 µA A 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 4a | 30pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||
| S4pmhm3_b/h | - | | 5482 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotive, AEC-Q101, ESMP® | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-277, 3-POWERDFN | S4pm | Padrão | TO-277A (SMPC) | download | 112-s4pmhm3_b/htr | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1000 v | 1,1 V @ 4 A | 2,5 µs | 10 µA A 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 4a | 30pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||
| S4pbhm3_b/h | - | | 3493 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotive, AEC-Q101, ESMP® | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-277, 3-POWERDFN | S4PB | Padrão | TO-277A (SMPC) | download | 112-S4PBHM3_B/HTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 1,1 V @ 4 A | 2,5 µs | 10 µA A 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 4a | 30pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||
 | VS-3EAH02-M3/i | 0,4200 | | 14 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Fred Pt® | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem NA Superfície, Flanco Molhado | 2-VDFN | VS-3EAH02 | Padrão | DFN3820A | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 14.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 960 mV @ 3 a | 25 ns | 2 µA a 200 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 3a | - | |||||||||||||||||
| VS-2EAH02-M3/i | 0,5300 | | 14 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Fred Pt® | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem NA Superfície, Flanco Molhado | 2-VDFN | VS-2EAH02 | Padrão | DFN3820A | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 14.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 950 mV @ 2 a | 25 ns | 2 µA a 200 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 2a | - | |||||||||||||||||
| VS-5EAH02HM3/H. | 0,5800 | | 300 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotive, AEC-Q101, Fred Pt® | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem NA Superfície, Flanco Molhado | 2-VDFN | VS-5EAH02 | Padrão | DFN3820A | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 970 mV @ 5 A | 25 ns | 4 µA A 200 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 5a | - | |||||||||||||||||
| Vs-3eah02hm3/i | 0,4200 | | 14 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotive, AEC-Q101, Fred Pt® | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem NA Superfície, Flanco Molhado | 2-VDFN | VS-3EAH02 | Padrão | DFN3820A | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 14.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 960 mV @ 3 a | 25 ns | 2 µA a 200 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 3a | - | |||||||||||||||||
| Vs-5eah02hm3/i | 0,5800 | | 4150 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotive, AEC-Q101, Fred Pt® | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem NA Superfície, Flanco Molhado | 2-VDFN | VS-5EAH02 | Padrão | DFN3820A | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 14.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 970 mV @ 5 A | 25 ns | 4 µA A 200 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 5a | - | |||||||||||||||||
| VS-S1580-S2 | - | | 4584 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Ativo | VS-S1580 | - | ROHS3 Compatível | 112-VS-S1580-S2 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||
| VS-TH370SC16P-S2 | - | | 5363 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Ativo | Vs-Th370 | - | ROHS3 Compatível | 112-VS-TH370SC16P-S2 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||
| VS-MT350BD16CCB | - | | 2237 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Ativo | VS-MT350 | - | ROHS3 Compatível | 112-VS-MT350BD16CCB | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||
| VS-TH340BL16P-S2 | - | | 8624 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Ativo | Vs-Th340 | - | ROHS3 Compatível | 112-VS-TH340BL16P-S2 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | S8KS-E3/i | 0,5700 | | 1106 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AB, SMC | S8K | Padrão | DO-214AB (SMC) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 3.500 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 2a (io) | 800 v | 985 mV @ 8 a | 3,4 µs | 10 µA a 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1.6a | 63pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||
| VS-GT100TS065N | 74.1100 | | 5534 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | CAIXA | Ativo | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem do chassi | Módlo | 259 w | Padrão | Int-A-Pak IGBT | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 112-VS-GT100TS065N | 15 | Inversor de meia ponte | Parada de Campo da Trinceira | 650 v | 96 a | 2.3V @ 15V, 100A | 50 µA | Não | ||||||||||||||||||
| VS-GT150TS065S | 100.8500 | | 6108 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Fred Pt® | CAIXA | Ativo | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem do chassi | Módlo | 789 w | Padrão | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 112-VS-GT150TS065S | 15 | Inversor de meia ponte | Trincheira | 650 v | 372 a | 150 µA | Não | ||||||||||||||||||||
 | VS-VSUD505CW60 | 54.6000 | | 10 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Fred Pt® | CAIXA | Ativo | Montagem do chassi | TO-244AB | Padrão | To-244 | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 112-VS-VSUD505CW60 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 600 v | 572A | 1.355 V @ 250 A | 179 ns | 820 µA @ 600 V | -40 ° C ~ 175 ° C. | |||||||||||||||||
| BYM12-200HE3_A/H. | - | | 8288 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101, SuperiorIcier® | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | Do-213ab, Mell (Vidro) | BYM12 | Padrão | DO-213AB | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | BYM12-200HE3_B/H. | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1 V @ 1 A | 50 ns | 5 µA A 200 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 20pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||
 | Vs-vskd270-04pbf | 201.1700 | | 4332 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Ativo | Montagem do chassi | 3-MAGN-A-PAK ™ | Vskd270 | Padrão | Magn-a-Pak® | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Vsvskd27004pbf | Ear99 | 8541.10.0080 | 2 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 400 v | 135a | 50 mA a 400 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||||||||
 | MMSZ4714-HE3-08 | 0,0378 | | 1451 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Última Vez compra | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | SOD-123 | MMSZ4714 | 500 MW | SOD-123 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 15.000 | 10 Na @ 25 V | 33 v | ||||||||||||||||||||
| VS-6esh01-M3/87A | 0,2609 | | 2368 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Fred Pt® | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-277, 3-POWERDFN | 6esh01 | Padrão | TO-277A (SMPC) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 6.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 940 mV @ 6 a | 22 ns | 2 µA A 100 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 6a | - |
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