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Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tolerânia | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Poder - Máx | Estrutura | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Velocidade | TIPO DE FET | ATUAL - Hold (ih) (Máx) | Escorra para um tensão de origem (VDSS) | Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C | Tensão de conduça (max rds on, min rds on) | Rds em (max) @ id, vgs | VGS (th) (max) @ id | Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS | VGs (Máximoo) | CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Recurso FET | DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) | Tensão - Estado Off - Off | ATUAL - SEM ESTADO (IT (RMS)) (Max) | Tensão - Gatilho de Porta (VGT) (MAX) | Corrente - Não Rep. Surge 50, 60Hz (ITSM) | Corrente - Gatilho de Portão (IGT) (max) | ATUAL - SEM ESTADO (IT (AV)) (MAX) | Configuraça do Diodo | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção | Corrente - Retificada Média (IO) | CapacitânCia @ VR, F | Número de SCRS, Diodos | Tensão - Zener (NOM) (VZ) | Impedioso (máx) (ZZT) |
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![]() | BZG04-27-HM3-18 | 0,2079 | ![]() | 8096 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101, BZG04-M | Tape & Reel (TR) | Ativo | - | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | BZG04-27 | 1,25 w | DO-214AC (SMA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 6.000 | 1,2 V @ 500 mA | 5 µA A 27 V | 33 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SBLB1630CT-E3/45 | - | ![]() | 2653 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | SBLB1630 | Schottky | TO-263AB (D²PAK) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 30 v | 8a | 550 mV @ 8 a | 500 µA A 30 V | -40 ° C ~ 125 ° C. | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FA38SA50LC | - | ![]() | 4174 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | HEXFET® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem do chassi | SOT-227-4, Minibloc | FA38 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | SOT-227 | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 10 | N-canal | 500 v | 38a (TC) | 10V | 130mohm @ 23a, 10V | 4V A 250µA | 420 NC @ 10 V | ± 20V | 6900 pf @ 25 V | - | 500W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | VS-30L30CT-1PBF | - | ![]() | 6801 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | Através do buraco | TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA | 30L30 | Schottky | TO-262-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | VS30L30CT1PBF | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 30 v | 15a | 460 mV @ 15 A | 1,5 mA a 30 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZD27C39P-HE3-08 | 0,4200 | ![]() | 29 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101, BZD27C | Tape & Reel (TR) | Ativo | - | -65 ° C ~ 175 ° C. | Montagem na Superfície | DO-219AB | BZD27C39 | 800 MW | DO-219AB (SMF) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA a 30 V | 39 v | 40 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SGL41-50-E3/97 | 0,3383 | ![]() | 4027 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | Do-213ab, Mell | SGL41 | Schottky | GL41 (DO-213AB) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 50 v | 700 mv @ 1 a | 500 µA A 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 80pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | VS-HFA08TA60CSL-M3 | 0,4648 | ![]() | 8499 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Hexfred® | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | HFA08 | Padrão | TO-263AB (D²PAK) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 600 v | 4a (DC) | 2,2 V @ 8 A | 42 ns | 3 µA A 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||||||||||||||||||||
BY251GPHE3/73 | - | ![]() | 4245 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Superectifier® | Fita E CAIXA (TB) | Obsoleto | Através do buraco | Do-201D, axial | By251 | Padrão | Do-201d | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1,1 V @ 3 A | 3 µs | 5 µA A 200 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 3a | 40pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
BZT52C3V0-HE3_A-08 | 0,0533 | ![]() | 7946 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotive, AEC-Q101, BZT52 | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SOD-123 | 300 MW | SOD-123 | download | 112-BZT52C3V0-HE3_A-08TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 15.000 | 10 µA A 1 V | 3 v | 95 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GDZ2V4B-G3-18 | 0,0445 | ![]() | 5004 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | GDZ-G | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 4% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | SC-76, SOD-323 | GDZ2V4 | 200 MW | SOD-323 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 120 µA @ 1 V | 2,4 v | 100 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5250B-T | - | ![]() | 3667 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 5% | 175 ° C. | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | 1N5250 | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,1 V @ 200 mA | 100 Na @ 15 V | 20 v | 600 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Z4KE200AHE3/54 | - | ![]() | 4214 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | Z4KE200 | 1,5 w | DO-204AL (DO-41) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.500 | 1 V @ 500 mA | 500 Na @ 152 V | 200 v | 1500 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CS1D-E3/H. | - | ![]() | 2738 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | CS1 | Padrão | DO-214AC (SMA) | - | ROHS3 Compatível | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.800 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1,12 V @ 1 A | 1,5 µs | 5 µA A 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 6pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZM55C3V3-TR3 | 0,2800 | ![]() | 6381 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101, BZM55 | Tape & Reel (TR) | Ativo | - | -65 ° C ~ 175 ° C. | Montagem na Superfície | 2-SMD, sem chumbo | BZM55C3V3 | 500 MW | Micromell | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,5 V @ 200 mA | 2 µA @ 1 V | 3,3 v | 600 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GI814-E3/54 | - | ![]() | 2932 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Superectifier® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Através do buraco | DO-204AC, DO-15, axial | GI814 | Padrão | DO-204AC (DO-15) | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 4.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,2 V @ 1 A | 750 ns | 10 µA A 400 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1a | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MBRB20H35CTHE3/45 | - | ![]() | 5353 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Obsoleto | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | MBRB20 | Schottky | TO-263AB (D²PAK) | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 35 v | 10a | 630 mV @ 10 A | 100 µA A 35 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Irkj71/12a | - | ![]() | 6700 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Obsoleto | Montagem do chassi | Add-a-pak (3) | Irkj71 | Padrão | Add-a-Pak® | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1 par ânodo comum | 1200 v | 80a | 10 mA a 1200 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZW03D22-TAP | - | ![]() | 6161 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | BZW03 | Fita E CAIXA (TB) | Obsoleto | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Através do buraco | Sod-64, axial | BZW03 | 1,85 w | SOD-64 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 12.500 | 1,2 V @ 1 A | 2 µA A 15,8 V | 22 v | 3,5 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | VS-50WQ06fntrlhm3 | 0,9913 | ![]() | 4753 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | 50WQ06 | Schottky | D-Pak (TO-252AA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Vs50wq06fntrlhm3 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 60 v | 570 mV @ 5 A | 3 mA a 60 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 5.5a | 360pf @ 5V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
GP30DL-E3/72 | - | ![]() | 9302 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Obsoleto | Através do buraco | Do-201D, axial | GP30 | Padrão | Do-201d | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1,1 V @ 3 A | 5 µs | 5 µA A 200 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 3a | 40pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TZM5228B-GS08 | 0,2300 | ![]() | 5 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | 175 ° C. | Montagem na Superfície | DO-213AC, Mini-Me-SED, SOD-80 | TZM5228 | 500 MW | SOD-80 MINIMELL | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1,1 V @ 200 mA | 10 µA A 1 V | 3,9 v | 23 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SMZJ3801B-M3/52 | 0.1304 | ![]() | 5176 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | DO-214AA, SMB | SMZJ3801 | 1,5 w | DO-214AA (SMBJ) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 750 | 5 µA a 25,1 V | 33 v | 33 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||
Vs-vskl105/08 | 42.8990 | ![]() | 8555 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Ativo | -40 ° C ~ 130 ° C (TJ) | Montagem do chassi | Add-a-pak (3 + 4) | Vskl105 | CONEXÃO EM SÉRIE - SCR/DIODO | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | VSVSKL10508 | Ear99 | 8541.30.0080 | 10 | 250 Ma | 800 v | 235 a | 2,5 v | 2000a, 2094a | 150 MA | 105 a | 1 scr, 1 diodo | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fepf16cthe3_a/p | - | ![]() | 9404 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Obsoleto | Através do buraco | Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada | FEPF16 | Padrão | ITO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 150 v | 8a | 950 mV @ 8 A | 35 ns | 10 µA A 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Plz39a-g3/h | 0,3100 | ![]() | 21 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Plz | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 3% | 150 ° C. | Montagem na Superfície | DO-219AC | PLZ39 | 500 MW | DO-219AC (Microsmf) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 4.500 | 900 mV a 10 mA | 200 Na @ 30 V | 39 v | 85 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMSZ5258B-HE3_A-18 | 0,0549 | ![]() | 7754 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SOD-123 | 500 MW | SOD-123 | download | 112-MMSZ5258B-HE3_A-18TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 900 mV a 10 mA | 100 Na @ 27 V | 36 v | 70 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | VS-HFA06TB120SPBF | - | ![]() | 6209 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Hexfred® | Tubo | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | HFA06 | Padrão | TO-263AB (D²PAK) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1200 v | 3 V @ 6 A | 80 ns | 5 µA A 1200 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 6a | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | VS-30CTQ035-M3 | 0,8135 | ![]() | 8113 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-220-3 | 30CTQ035 | Schottky | To-220-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 35 v | 30a | 760 mV @ 30 A | 2 mA a 35 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT52A15-HE3-08 | - | ![]() | 8626 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | * | Tape & Reel (TR) | Última Vez compra | BZT52 | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SMAZ5924B-E3/5A | 0,1218 | ![]() | 7050 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | SMAZ5924 | 500 MW | DO-214AC (SMA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 7.500 | 1,5 V @ 200 mA | 10 µA a 7 V | 9.1 v | 5 ohms |
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