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Produtos semicondutores discretos (31214)
| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Velocidade | Configuraça do Diodo | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção | Corrente - Retificada Média (IO) | CapacitânCia @ VR, F |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | VS-VS30CSR12L | - |  | 9719 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Última Vez compra | Vs30 | - | 112-VS-VS30CSR12L | 1 | ||||||||||||||||||||
| VS-80-7803 | - | | 9253 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Última Vez compra | 80-7803 | - | 112-VS-80-7803 | 1 | ||||||||||||||||||||
| VS-80-7604 | - | | 1297 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Última Vez compra | 80-7604 | - | 112-VS-80-7604 | 1 | ||||||||||||||||||||
| VS-88-6522 | - | | 9860 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Última Vez compra | 88-6522 | - | 112-VS-88-6522 | 1 | ||||||||||||||||||||
| VS-80-7852 | - | | 1838 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Última Vez compra | 80-7852 | - | 112-VS-80-7852 | 1 | ||||||||||||||||||||
| VS-74-7605 | - | | 1471 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Última Vez compra | 74-7605 | - | 112-VS-74-7605 | 1 | ||||||||||||||||||||
| VS-VSHPS1426 | - | | 1310 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Última Vez compra | VSHPS1426 | - | 112-VS-VSHPS1426 | 1 | ||||||||||||||||||||
| VS-80-7601 | - | | 1422 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Última Vez compra | 80-7601 | - | 112-VS-80-7601 | 1 | ||||||||||||||||||||
| VS-74-7459 | - | | 7216 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Última Vez compra | 74-7459 | - | 112-VS-74-7459 | 1 | ||||||||||||||||||||
| VS-80-7820 | - | | 8954 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Última Vez compra | 80-7820 | - | 112-VS-80-7820 | 1 | ||||||||||||||||||||
| VS-S626A | - | | 5328 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Última Vez compra | S626A | - | 112-VS-S626A | 1 | ||||||||||||||||||||
| VS-80-6383 | - | | 1939 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Última Vez compra | 80-6383 | - | 112-VS-80-6383 | 1 | ||||||||||||||||||||
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| VS-88-5074 | - | | 7397 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Última Vez compra | 88-5074 | - | 112-VS-88-5074 | 1 | ||||||||||||||||||||
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| VS-S743A | - | | 9545 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Última Vez compra | S743A | - | 112-VS-S743A | 1 | ||||||||||||||||||||
| VS-80-7530 | - | | 6376 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Última Vez compra | 80-7530 | - | 112-VS-80-7530 | 1 | ||||||||||||||||||||
 | VS-VSUD505CW60 | 54.6000 | | 10 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Fred Pt® | CAIXA | Ativo | Montagem do chassi | TO-244AB | Padrão | To-244 | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 112-VS-VSUD505CW60 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 600 v | 572A | 1.355 V @ 250 A | 179 ns | 820 µA @ 600 V | -40 ° C ~ 175 ° C. | |||||
 | S8KS-E3/i | 0,5700 | | 1106 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AB, SMC | S8K | Padrão | DO-214AB (SMC) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 3.500 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 2a (io) | 800 v | 985 mV @ 8 a | 3,4 µs | 10 µA a 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1.6a | 63pf @ 4V, 1MHz | |||||||
| VS-TH370SC16P-S2 | - | | 5363 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Ativo | Vs-Th370 | - | ROHS3 Compatível | 112-VS-TH370SC16P-S2 | 1 | |||||||||||||||||||
| VS-MT350BD16CCB | - | | 2237 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Ativo | VS-MT350 | - | ROHS3 Compatível | 112-VS-MT350BD16CCB | 1 | |||||||||||||||||||
| VS-TH340BL16P-S2 | - | | 8624 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Ativo | Vs-Th340 | - | ROHS3 Compatível | 112-VS-TH340BL16P-S2 | 1 | |||||||||||||||||||
| VS-S1580-S2 | - | | 4584 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Ativo | VS-S1580 | - | ROHS3 Compatível | 112-VS-S1580-S2 | 1 | |||||||||||||||||||
 | SE15pbhm3/85a | 0,3600 | | 9 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotive, AEC-Q101, ESMP® | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-220AA | SE15 | Padrão | DO-220AA (SMP) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 10.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 1,05 V @ 1,5 A | 900 ns | 5 µA A 100 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 1.5a | 9.5pf @ 4V, 1MHz | ||||
 | VS-6esh01-M3/87A | 0,2609 | | 2368 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Fred Pt® | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-277, 3-POWERDFN | 6esh01 | Padrão | TO-277A (SMPC) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 6.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 940 mV @ 6 a | 22 ns | 2 µA A 100 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 6a | - | ||||
| V10p15hm3/h | 0,8900 | | 8 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101, ESMP®, TMBS® | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-277, 3-POWERDFN | V10p15 | Schottky | TO-277A (SMPC) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 150 v | 1,08 V @ 10 A | 200 µA A 150 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 10a | - | |||||
 | BYQ28EF-200-E3/45 | - | | 8990 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | Através do buraco | Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada | BYQ28 | Padrão | ITO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 200 v | 5a | 1,1 V @ 5 A | 25 ns | 10 µA A 200 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | ||||
 | Vs-vskd270-04pbf | 201.1700 | | 4332 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Ativo | Montagem do chassi | 3-MAGN-A-PAK ™ | Vskd270 | Padrão | Magn-a-Pak® | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Vsvskd27004pbf | Ear99 | 8541.10.0080 | 2 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 400 v | 135a | 50 mA a 400 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | |||||
 | 80eps12 | - | | 6221 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | Através do buraco | To-247-3 | 80eps12 | Padrão | TO-247AC | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1200 v | 1,17 V @ 80 A | 100 µA A 1200 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 80a | - | |||||
 | SE12DD-M3/i | 0,9200 | | 15 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | ESMP® | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia) Variante | SE12 | Padrão | TO-263AC (SMPD) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1,15 V @ 12 A | 3 µs | 20 µA A 200 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 3.2a | 90pf @ 4V, 1MHz |
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