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Produtos semicondutores discretos (31214)

Número do Produto	Preço (USD)	Quantidade	Quantidade Dispon Svel	Mfr	Série	Pacote	Status do produto	Tolerânia	Temperatura operacional	Tipo de Montagem	Pacote / Caso	Número do Produto Base	Tecnologia	Poder - Máx	Estrutura	Pacote de Dispositivo de Fornecedor	Ficha de Dadas	Status do rohs	Nível de sensibilidade à Umidade (msl)	Status de alcance	Nomes de Ulros	ECCN	Htsus	PACOTE PADROO	Configuraça	Velocidade	ATUAL - Hold (ih) (Máx)	Tensão - Estado Off - Off	ATUAL - SEM ESTADO (IT (RMS)) (Max)	Tensão - Gatilho de Porta (VGT) (MAX)	Corrente - Não Rep. Surge 50, 60Hz (ITSM)	Corrente - Gatilho de Portão (IGT) (max)	Tensão - No Estado (VTM) (Max)	ATUAL - SEM ESTADO (IT (AV)) (MAX)	ATUAL - Off State (Max)	TIPO SCR	Configuraça do Diodo	Tensão - DC Reversa (VR) (Max)	Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo)	Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se	Tempo de RecuperAção Reversa (TRR)	ATUAL - Vazamento Reverso @ VR	Temperatura operacional - Junção	Corrente - Retificada Média (IO)	CapacitânCia @ VR, F	Número de SCRS, Diodos	Tensão - Zener (NOM) (VZ)	Impedioso (máx) (ZZT)
RGP10GEHE3/91	-	RFQ	2439	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	Automotivo, AEC-Q101, SuperiorIcier®	Fita E CAIXA (TB)	Obsoleto			Através do buraco	Do-204al, DO-41, axial	RGP10	Padrão			DO-204AL (DO-41)	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0080	2.500		RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)												400 v		1,3 V @ 1 a	150 ns	5 µA A 400 V	-65 ° C ~ 175 ° C.	1a	15pf @ 4V, 1MHz
VS-MURR1020CTLHM3	0,9293	RFQ	3483	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	Automotive, AEC-Q101, Fred Pt®	Tubo	Ativo			Montagem na Superfície	TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab	MURB1020	Padrão			TO-263AB (D²PAK)	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0080	800		RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)											1 par cátodo comum	200 v	5a	990 mV @ 5 A	24 ns	10 µA A 200 V	-65 ° C ~ 175 ° C.
1N4246GP-E3/73	-	RFQ	9312	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	Superectifier®	Fita E CAIXA (TB)	Ativo			Através do buraco	Do-204al, DO-41, axial	1N4246	Padrão			DO-204AL (DO-41)	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0080	3.000		RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io)												400 v		1,2 V @ 1 A		1 µA A 400 V	-65 ° C ~ 160 ° C.	1a	8pf @ 4V, 1MHz
1N4249GP-M3/73	-	RFQ	2273	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	Superectifier®	Fita E CAIXA (TB)	Obsoleto			Através do buraco	Do-204al, DO-41, axial	1N4249	Padrão			DO-204AL (DO-41)	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0080	3.000		RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io)												1000 v		1,2 V @ 1 A		1 µA A 1000 V	-65 ° C ~ 160 ° C.	1a	8pf @ 4V, 1MHz
Au1pmhm3/84a	0,7600	RFQ	7	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	Automotive, AEC-Q101, ESMP®	Tape & Reel (TR)	Ativo			Montagem na Superfície	DO-220AA	Au1	Avalanche			DO-220AA (SMP)	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0080	3.000		RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)												1000 v		1,85 V @ 1 a	75 ns	1 µA A 1000 V	-55 ° C ~ 175 ° C.	1a	7.5pf @ 4V, 1MHz
IMBD4448-E3-08	0,0396	RFQ	8374	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Ativo			Montagem na Superfície	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	IMBD4448	Padrão			SOT-23-3	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0070	15.000		Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade												75 v		1 V @ 10 Ma	4 ns	2,5 µA A 70 V	150 ° C (Máximo)	150mA	-
Vs-vskn26/08	35.8170	RFQ	1615	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	-	Volume	Ativo		-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	Montagem do chassi	Add-a-pak (3 + 4)	Vskn26			CONEXÃO EM SÉRIE - SCR/DIODO		download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado	VSVSKN2608	Ear99	8541.30.0080	10			200 MA	800 v	60 a	2,5 v	400A, 420A	150 MA		27 a												1 scr, 1 diodo
FEPB16GTHE3_A/P.	1.1715	RFQ	4519	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	Automotivo, AEC-Q101	Tubo	Ativo			Montagem na Superfície	TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab	FEPB16	Padrão			TO-263AB (D²PAK)	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0080	1.000		RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)											1 par cátodo comum	400 v	8a	1,3 V @ 8 A	50 ns	10 µA A 400 V	-55 ° C ~ 150 ° C.
VT2080C-E3/4W	0,6691	RFQ	9330	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	-	Tubo	Ativo			Através do buraco	To-220-3	VT2080	Schottky			To-220-3	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado	VT2080CE34W	Ear99	8541.10.0080	1.000		RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)											1 par cátodo comum	80 v	10a	810 mV @ 10 A		600 µA A 80 V	-55 ° C ~ 150 ° C.
EGP10DE-E3/54	-	RFQ	7967	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	Superectifier®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			Através do buraco	Do-204al, DO-41, axial	EGP10	Padrão			DO-204AL (DO-41)	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0080	5.500		RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)												200 v		950 mV @ 1 a	50 ns	5 µA A 200 V	-65 ° C ~ 150 ° C.	1a	22pf @ 4V, 1MHz
VS-ST083S10PFK1P	86.2272	RFQ	4649	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	-	Volume	Última Vez compra		-40 ° C ~ 125 ° C.	Chassi, montagem em pântano	TO-209AC, parágrafo 94-4, Stud	ST083				TO-209AC (TO-94)	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado	VSST083S10PFK1P	Ear99	8541.30.0080	25			600 mA	1 kv	135 a	3 v	2060A, 2160A	200 MA	2.15 v	85 a	30 mA	RecuperAção Padrão
EGP10CHE3/54	-	RFQ	7056	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	Superectifier®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			Através do buraco	Do-204al, DO-41, axial	EGP10	Padrão			DO-204AL (DO-41)	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0080	5.500		RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)												150 v		950 mV @ 1 a	50 ns	5 µA A 150 V	-65 ° C ~ 150 ° C.	1a	22pf @ 4V, 1MHz
VS-ST180C18C1	120.3842	RFQ	4034	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	-	Volume	Ativo		-40 ° C ~ 125 ° C.	Montagem do chassi	TO-200B, A-Puk	ST180				TO-200B, A-Puk	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado	VSST180C18C1	Ear99	8541.30.0080	12			600 mA	1,8 kV	660 a	3 v	4200A, 4400A	150 MA	1,96 v	350 a	30 mA	RecuperAção Padrão
VS-31DQ04	-	RFQ	8841	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	-	Volume	Obsoleto			Através do buraco	Do-201D, axial	31DQ04	Schottky			C-16	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0080	500		RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)												40 v		570 mV @ 3 a		1 mA a 40 V	-40 ° C ~ 150 ° C.	3.3a	-
Byg10khe3_a/i	0,1403	RFQ	5574	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	Automotivo, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Ativo			Montagem na Superfície	DO-214AC, SMA	BYG10	Avalanche			DO-214AC (SMA)	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0080	7.500		RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io)												800 v		1,15 V @ 1,5 A	4 µs	1 µA A 800 V	-55 ° C ~ 150 ° C.	1.5a	-
SS5P9-E3/87A	-	RFQ	8864	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	ESMP®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			Montagem na Superfície	TO-277, 3-POWERDFN	SS5P9	Schottky			TO-277A (SMPC)	-	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0080	6.500		RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)												90 v		880 mV @ 5 A		15 µA A 90 V	-55 ° C ~ 150 ° C.	5a	-
VS-81RIA80	41.0432	RFQ	5586	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	-	Volume	Ativo		-40 ° C ~ 125 ° C.	Chassi, montagem em pântano	TO-209AC, parágrafo 94-4, Stud	81ria80				TO-209AC (TO-94)	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado	Vs81ria80	Ear99	8541.30.0080	25			200 MA	800 v	125 a	2,5 v	1600A, 1675A	120 MA	1.6 V.	80 a	15 MA	RecuperAção Padrão
Vs-10ria80m	17.1757	RFQ	9224	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	-	Tubo	Ativo		-65 ° C ~ 125 ° C.	Chassi, montagem em pântano	TO-208AA, TO-48-3, Stud	10ria80				TO-208AA (TO-48)	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado	Vs10ria80m	Ear99	8541.30.0080	100			130 MA	800 v	10 a	2 v	190a, 200a	60 MA	1,75 v	25 a	10 MA	RecuperAção Padrão
Vs-vs19csr16l	-	RFQ	7502	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	-	Volume	Última Vez compra					Vs19					-				112-VS-VS19CSR16L			1
MBR16H45HE3/45	-	RFQ	4420	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	-	Tubo	Obsoleto			Através do buraco	To-220-2	MBR16	Schottky			TO-220AC	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0080	50		RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)												45 v		660 mV @ 16 a		100 µA A 45 V	-65 ° C ~ 175 ° C.	16a	-
AZ23B39-HE3_A-18	-	RFQ	1356	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	Automotive, AEC-Q101, AZ23	Tape & Reel (TR)	Ativo	± 2%	150 ° C (TJ)	Montagem na Superfície	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3			300 MW		SOT-23-3	download				112-AZ23B39-HE3_A-18TR	Ear99	8541.10.0050	1	1 par ânodo comum																	50 Na @ 27,3 V					39 v	130 ohms
SB330/4	-	RFQ	1089	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			Através do buraco	Do-201D, axial	SB330	Schottky			Do-201d	download	Rohs Não Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0080	1.400		RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)												30 v		490 mV @ 3 a		500 µA A 30 V	-65 ° C ~ 125 ° C.	3a	-
MMSZ5267C-E3-08	0,0433	RFQ	7003	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Ativo	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C.	Montagem na Superfície	SOD-123	MMSZ5267		500 MW		SOD-123	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0050	15.000																		100 Na @ 56 V					75 v	270 ohms
VS-81RIA40	36.5572	RFQ	7427	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	-	Volume	Ativo		-40 ° C ~ 125 ° C.	Chassi, montagem em pântano	TO-209AC, parágrafo 94-4, Stud	81ria40				TO-209AC (TO-94)	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado	Vs81ria40	Ear99	8541.30.0080	25			200 MA	400 v	125 a	2,5 v	1600A, 1675A	120 MA	1.6 V.	80 a	15 MA	RecuperAção Padrão
VBT3060G-E3/8W	0,5483	RFQ	9583	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Ativo			Montagem na Superfície	TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab	VBT3060	Schottky			TO-263AB (D²PAK)	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0080	800		RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)											1 par cátodo comum	60 v	15a	730 mV @ 15 A		850 µA A 60 V	-55 ° C ~ 150 ° C.
Vs-vskv91/10	47.8760	RFQ	2826	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	-	Volume	Ativo		-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	Montagem do chassi	Add-a-pak (3 + 4)	Vskv91			Ânodo comum - Todos OS SCRS		download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado	VSVSKV9110	Ear99	8541.30.0080	10			250 Ma	1 kv	150 a	2,5 v	2000a, 2094a	150 MA		95 a												2 scrs
Vs-vskh26/14	37.1300	RFQ	5328	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	-	Volume	Ativo		-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	Montagem do chassi	Add-a-pak (3 + 4)	Vskh26			CONEXÃO EM SÉRIE - SCR/DIODO		download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado	Vsvskh2614	Ear99	8541.30.0080	10			200 MA	1,4 kV	60 a	2,5 v	400A, 420A	150 MA		27 a												1 scr, 1 diodo
40CPQ080	-	RFQ	3834	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	-	Tubo	Obsoleto			Através do buraco	To-247-3	40cpq	Schottky			TO-247AC	download	Rohs Não Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0080	500		RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)											1 par cátodo comum	80 v	20a	770 mV @ 20 A		1,25 mA a 80 V	-55 ° C ~ 175 ° C.
VS-22RIA120M	17.1757	RFQ	3353	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	-	Volume	Ativo		-65 ° C ~ 125 ° C.	Chassi, montagem em pântano	TO-208AA, TO-48-3, Stud	22RIA120				TO-208AA (TO-48)	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado	VS22RIA120M	Ear99	8541.30.0080	100			130 MA	1,2 kV	35 a	2 v	335a, 355a	60 MA	1,7 V.	22 a	10 MA	RecuperAção Padrão
Vs-vskn26/06	35.8170	RFQ	4596	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	-	Volume	Ativo		-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	Montagem do chassi	Add-a-pak (3 + 4)	Vskn26			CONEXÃO EM SÉRIE - SCR/DIODO		download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado	VSVSKN2606	Ear99	8541.30.0080	10			200 MA	600 v	60 a	2,5 v	400A, 420A	150 MA		27 a												1 scr, 1 diodo