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| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tolerânia | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Poder - Máx | Estrutura | Entrada | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Configuraça | Velocidade | ATUAL - Hold (ih) (Máx) | Tensão - Estado Off - Off | ATUAL - SEM ESTADO (IT (RMS)) (Max) | Tensão - Gatilho de Porta (VGT) (MAX) | Corrente - Não Rep. Surge 50, 60Hz (ITSM) | Corrente - Gatilho de Portão (IGT) (max) | Tensão - No Estado (VTM) (Max) | ATUAL - SEM ESTADO (IT (AV)) (MAX) | ATUAL - Off State (Max) | TIPO SCR | Configuraça do Diodo | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção | Corrente - Retificada Média (IO) | CapacitânCia @ VR, F | Número de SCRS, Diodos | TIPO IGBT | Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) | Corrente - Coletor (IC) (Max) | Vce (on) (max) @ vge, ic | Corrente - Corte de Colecionador (Max) | Termistor NTC | Tensão - Zener (NOM) (VZ) | Impedioso (máx) (ZZT) | CapacitânCia de Entrada (CIES) @ VCE |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | BYG10D-E3/TR3 | 0,3900 |  | 7 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | BYG10 | Avalanche | DO-214AC (SMA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 7.500 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1,15 V @ 1,5 A | 4 µs | 1 µA A 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1.5a | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | RS2K-M3/52T | 0.1112 | | 3134 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AA, SMB | Rs2k | Padrão | DO-214AA (SMB) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 750 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 800 v | 1,3 V @ 1,5 A | 500 ns | 5 µA A 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1.5a | 17pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | VS-10ETF02STRRPBF | - | | 6657 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | 10etf02 | Padrão | TO-263AB (D²PAK) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Vs10etf02strrpbf | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1,2 V @ 10 A | 200 ns | 100 µA A 200 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 10a | - | |||||||||||||||||||||||||||||
 | VS-80-1320-M3 | - | | 8787 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tubo | Ativo | VS-80 | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 112-VS-80-1320-M3 | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | VS-18TQ040STRlhm3 | 1.1798 | | 8492 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | 18TQ040 | Schottky | TO-263AB (D²PAK) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 112-VS-18TQ040STRlhm3tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 40 v | 600 mV @ 18 A | 2,5 mA a 40 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 18a | 1400pf @ 5V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
| VS-72HFR80M | 21.2611 | | 1385 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pântano | DO-203AB, DO-5, Stud | 72HFR80 | Polaridada reversa padrão | DO-203AB (DO-5) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | VS72HFR80M | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 800 v | 1,35 V @ 220 A | -65 ° C ~ 180 ° C. | 70A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | VS-85HFR120M | 24.4600 | | 100 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pântano | DO-203AB, DO-5, Stud | 85HFR120 | Polaridada reversa padrão | DO-203AB (DO-5) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1200 v | 1,2 V @ 267 A | -65 ° C ~ 180 ° C. | 85a | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | GL41DHE3/96 | - | | 6449 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Superectifier® | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | Do-213ab, Mell (Vidro) | GL41 | Padrão | DO-213AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Gl41dhe3_a/h | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1,1 V @ 1 A | 10 µA A 200 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 8pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | MMSZ5252C-E3-18 | 0,0433 | | 2436 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | SOD-123 | MMSZ5252 | 500 MW | SOD-123 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 100 Na @ 18 V | 24 v | 33 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 1N5818-E3/54 | 0,4200 | | 18 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 1N5818 | Schottky | DO-204AL (DO-41) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 30 v | 550 mV @ 1 a | 1 mA a 30 V | -65 ° C ~ 125 ° C. | 1a | 110pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX384C15-HE3-08 | 0,2600 | | 395 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotive, AEC-Q101, BZX384 | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | SC-76, SOD-323 | BZX384C15 | 200 MW | SOD-323 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 50 Na @ 10,5 V | 15 v | 30 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | V6pwm10c-m3/i | 0,2940 | | 9998 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | Schottky | Slimdpak | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 112-V6PWM10C-M3/ITR | Ear99 | 8541.10.0080 | 4.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 100 v | 3a | 730 mv @ 3 a | 80 µA A 100 V | -40 ° C ~ 175 ° C. | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | VS-6CWQ03FNPBF | - | | 7734 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | 6CWQ03 | Schottky | D-Pak (TO-252AA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 75 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 30 v | 3.5a | 350 mv @ 3 a | 2 mA a 30 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | Vs-vskl136/12pbf | 69.1927 | | 8739 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Ativo | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Montagem do chassi | Int-a-pak (3 + 4) | Vskl136 | CONEXÃO EM SÉRIE - SCR/DIODO | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Vsvskl13612pbf | Ear99 | 8541.30.0080 | 15 | 200 MA | 1,2 kV | 300 a | 2,5 v | 3200A, 3360A | 150 MA | 135 a | 1 scr, 1 diodo | |||||||||||||||||||||||||||||
| BZX85B100-TAP | - | | 3531 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotive, AEC-Q101, BZX85 | Fita de Corte (CT) | Obsoleto | ± 2% | 175 ° C. | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | BZX85B100 | 1.3 w | DO-204AL (DO-41) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 25.000 | 500 Na @ 75 V | 100 v | 350 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SE07PJ-E3/84A | - | | 7664 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | ESMP® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | DO-220AA | SE07 | Padrão | DO-220AA (SMP) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,05 V @ 700 mA | 5 µA A 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 700mA | 5pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | VLZ8V2A-GS18 | - | | 7517 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotive, AEC-Q101, VLZ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | - | -65 ° C ~ 175 ° C. | Montagem na Superfície | Variante SOD-80 | VLZ8V2 | 500 MW | Sod-80 Quadromell | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,5 V @ 200 mA | 7,5 µA a 7,15 V | 7.73 v | 8 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | CPV363M4U | - | | 1226 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Ativo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 19-sip (13 leads), IMS-2 | CPV363 | 36 w | Padrão | IMS-2 | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 160 | Inversor Trifásico | - | 600 v | 13 a | 2V @ 15V, 13A | 250 µA | Não | 1.1 NF @ 30 V | ||||||||||||||||||||||||||||
 | MBR750-E3/45 | - | | 8591 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | Através do buraco | To-220-2 | MBR7 | Schottky | TO-220AC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 50 v | 750 mV @ 7.5 A | 500 µA A 50 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 7.5a | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | TLZ12B-GS18 | 0,0335 | | 9902 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Tlz | Tape & Reel (TR) | Ativo | - | -65 ° C ~ 175 ° C. | Montagem na Superfície | DO-213AC, Mini-Me-SED, SOD-80 | TLZ12 | 500 MW | SOD-80 MINIMELL | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,5 V @ 200 mA | 40 Na @ 10,9 V | 12 v | 12 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZG05C91-E3-TR3 | - | | 9023 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | BZG05C | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 5% | 150 ° C. | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | BZG05 | 1,25 w | DO-214AC (SMA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 6.000 | 1,2 V @ 200 mA | 500 Na @ 68 V | 91 v | 25 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| MBR1635-1HE3/45 | - | | 3090 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Obsoleto | Através do buraco | To-220-2 | MBR16 | Schottky | TO-220AC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 35 v | 750 mv @ 16 a | 200 µA A 35 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | VS-ST230C08C0 | 57.8625 | | 7749 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Ativo | -40 ° C ~ 125 ° C. | Montagem do chassi | TO-200B, A-Puk | ST230 | TO-200B, A-Puk | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.30.0080 | 12 | 600 mA | 800 v | 780 a | 3 v | 5700A, 5970A | 150 MA | 1,69 v | 410 a | 30 mA | RecuperAção Padrão | ||||||||||||||||||||||||||||
 | FGP30B-E3/54 | - | | 4505 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Superectifier® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Através do buraco | DO-204AC, DO-15, axial | FGP30 | Padrão | DO-204AC (DO-15) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 4.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 950 mV @ 3 a | 35 ns | 5 µA A 100 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 3a | 70pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
| SD101AWS-HE3-08 | 0,0570 | | 8262 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SC-76, SOD-323 | SD101 | Schottky | SOD-323 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 15.000 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 60 v | 1 V @ 15 mA | 1 ns | 200 Na @ 50 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | 30Ma | 2pf @ 0V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
| BZT52C51-E3-08 | 0,2700 | | 9765 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | BZT52 | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | SOD-123 | BZT52C51 | 410 MW | SOD-123 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 100 Na @ 38 V | 51 v | 70 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | VS-10ETF06THM3 | 1.7900 | | 1 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-220-2 | 10etf06 | Padrão | TO-220AC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,2 V @ 10 A | 200 ns | 100 µA A 600 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 10a | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
| BYG23MHM3_A/H. | 0.1601 | | 1092 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | BYG23 | Avalanche | DO-214AC (SMA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1000 v | 1,7 V @ 1 A | 75 ns | 5 µA A 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1.5a | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
| MMSZ4683-HE3-18 | 0,0378 | | 6796 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Última Vez compra | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | SOD-123 | MMSZ4683 | 500 MW | SOD-123 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 800 Na @ 1 V | 3 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| VS-8EWF12STRRPBF | - | | 2877 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | 8ewf12 | Padrão | D-Pak (TO-252AA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | VS8EWF12STRRPBF | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1200 v | 1,3 V @ 8 A | 270 ns | 100 µA A 1200 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 8a | - |
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