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Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tolerânia | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Poder - Máx | Estrutura | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Configuraça | Velocidade | ATUAL - Hold (ih) (Máx) | Tensão - Estado Off - Off | ATUAL - SEM ESTADO (IT (RMS)) (Max) | Tensão - Gatilho de Porta (VGT) (MAX) | Corrente - Não Rep. Surge 50, 60Hz (ITSM) | Corrente - Gatilho de Portão (IGT) (max) | Tensão - No Estado (VTM) (Max) | ATUAL - SEM ESTADO (IT (AV)) (MAX) | ATUAL - Off State (Max) | TIPO SCR | Configuraça do Diodo | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção | Corrente - Retificada Média (IO) | CapacitânCia @ VR, F | Número de SCRS, Diodos | Tensão - Zener (NOM) (VZ) | Impedioso (máx) (ZZT) |
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![]() | VS-10ETF12STRR-M3 | 0,9834 | ![]() | 4457 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | 10etf12 | Padrão | TO-263AB (D²PAK) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1200 v | 1,33 V @ 10 A | 310 ns | 100 µA A 1200 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 10a | - | ||||||||||||||||||||||
![]() | GP10D-M3/54 | - | ![]() | 9564 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | Gp10 | Padrão | DO-204AL (DO-41) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.500 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1,1 V @ 1 A | 3 µs | 5 µA A 200 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 8pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||
![]() | MBR2545CT | - | ![]() | 1671 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | Através do buraco | To-220-3 | MBR2545 | Schottky | To-220-3 | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 45 v | 15a | 820 mV @ 30 A | 200 µA @ 45 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||||||||||||||
![]() | V12w60c-m3/i | - | ![]() | 4367 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | TMBS® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | V12W60 | Schottky | D-Pak (TO-252AA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 60 v | 6a | 620 mV @ 6 a | 3,5 mA a 60 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||||||||||||||
![]() | V2pm10hm3/h | 0,3500 | ![]() | 25 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotive, AEC-Q101, ESMP® | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | MicroSMP | V2pm10 | Schottky | MicroSMP (DO-219AD) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 4.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 830 mv @ 2 a | 50 µA A 100 V | -40 ° C ~ 175 ° C. | 2a | 150pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||
BZX84B3V6-E3-08 | 0,2400 | ![]() | 29 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | BZX84 | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BZX84B3V6 | 300 MW | SOT-23-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 5 µA @ 1 V | 3,6 v | 90 ohms | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | V20120S-E3/4W | 1.2500 | ![]() | 7 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | TMBS® | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-220-3 | V20120 | Schottky | To-220-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 120 v | 1,12 V @ 20 A | 300 µA A 120 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 20a | - | |||||||||||||||||||||||
VS-150EBU04 | 8.0900 | ![]() | 52 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Ativo | Montagem do chassi | PowerTab ™, Powirtab ™ | 150EBU04 | Padrão | Powirtab ™ | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,3 V @ 150 A | 93 ns | 50 µA A 400 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 150a | - | |||||||||||||||||||||||
![]() | VS-1N3881R | - | ![]() | 1731 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pântano | DO-203AA, DO-4, Stud | 1N3881 | Polaridada reversa padrão | Do-203aa (DO-4) | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1,4 V @ 6 A | 300 ns | 15 µA A 200 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 6a | - | ||||||||||||||||||||||
![]() | VS-50WQ06FNTR-M3 | 0,7600 | ![]() | 8 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | 50WQ06 | Schottky | D-Pak (TO-252AA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 60 v | 570 mV @ 5 A | 3 mA a 60 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 5.5a | 360pf @ 5V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||
![]() | 50WQ03FN | - | ![]() | 7792 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | 50WQ03 | Schottky | D-Pak (TO-252AA) | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 75 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 30 v | 460 mV @ 5 A | 3 mA a 30 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 5.5a | - | |||||||||||||||||||||||
![]() | BYW52-TAP | 0,2376 | ![]() | 4539 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Fita E CAIXA (TB) | Ativo | Através do buraco | Sod-57, axial | BYW52 | Avalanche | SOD-57 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 25.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1 V @ 1 A | 4 µs | 1 µA A 200 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 2a | - | ||||||||||||||||||||||
![]() | VX60100PW-M3/P. | 1.5378 | ![]() | 7360 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-247-3 | Schottky | TO-247AD | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 112-VX60100PW-M3/P. | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 100 v | 30a | 790 mV @ 30 A | 700 µA @ 100 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||||||||||||||||
![]() | Uh1dhe3/61t | - | ![]() | 2156 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | UH1 | Padrão | DO-214AC (SMA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1,05 V @ 1 A | 30 ns | 1 µA A 200 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 1a | - | ||||||||||||||||||||||
![]() | 20ETS08STRR | - | ![]() | 5022 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | 20ets08 | Padrão | TO-263AB (D²PAK) | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 800 v | 1,1 V @ 20 A | 100 µA A 800 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 20a | - | |||||||||||||||||||||||
![]() | TLZ10B-GS08 | 0,2500 | ![]() | 15 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Tlz | Tape & Reel (TR) | Ativo | - | -65 ° C ~ 175 ° C. | Montagem na Superfície | DO-213AC, Mini-Me-SED, SOD-80 | TLZ10 | 500 MW | SOD-80 MINIMELL | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1,5 V @ 200 mA | 40 Na @ 8,94 V | 10 v | 8 ohms | ||||||||||||||||||||||||
![]() | VS-S1629 | - | ![]() | 3563 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | * | Tubo | Obsoleto | S1629 | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 50 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MBRB7H45HE3/45 | - | ![]() | 3264 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Obsoleto | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | MBRB7 | Schottky | TO-263AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 45 v | 630 mV @ 7.5 A | 50 µA @ 45 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 7.5a | - | |||||||||||||||||||||||
![]() | 1N3957GP-M3/54 | - | ![]() | 3538 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Através do buraco | 1N3957 | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.500 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
Vs-vskn56/06 | 39.0550 | ![]() | 8492 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Ativo | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Montagem do chassi | Add-a-pak (3 + 4) | Vskn56 | CONEXÃO EM SÉRIE - SCR/DIODO | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | VSVSKN5606 | Ear99 | 8541.30.0080 | 10 | 200 MA | 600 v | 135 a | 2,5 v | 1200A, 1256a | 150 MA | 60 a | 1 scr, 1 diodo | ||||||||||||||||||||||
![]() | Uh2dhe3/5bt | - | ![]() | 9701 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | DO-214AA, SMB | Uh2 | Padrão | DO-214AA (SMB) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.200 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1,05 V @ 2 A | 35 ns | 2 µA a 200 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 2a | - | ||||||||||||||||||||||
![]() | HFA30TA60CSTRR | - | ![]() | 9150 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Hexfred® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | HFA30 | Padrão | TO-263AB (D²PAK) | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 600 v | 15a (DC) | 1,7 V @ 15 A | 60 ns | 10 µA A 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||||||||||||||
![]() | BZD27B160P-HE3-08 | 0,1238 | ![]() | 9938 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101, BZD27B | Tape & Reel (TR) | Ativo | - | -65 ° C ~ 175 ° C. | Montagem na Superfície | DO-219AB | BZD27B160 | 800 MW | DO-219AB (SMF) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 30.000 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA A 130 V | 160 v | 350 ohms | ||||||||||||||||||||||||
![]() | VS-50WQ04FNTRHM3 | 0,9839 | ![]() | 5755 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | 50WQ04 | Schottky | D-Pak (TO-252AA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Vs50wq04fnthm3 | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 40 v | 510 mV @ 5 A | 3 ma @ 40 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 5.5a | 405pf @ 5V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||
![]() | VB40100C-M3/4W | 1.3540 | ![]() | 5279 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | TMBS® | Tubo | Ativo | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | VB40100 | Schottky | TO-263AB (D²PAK) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 100 v | 20a | 730 mV @ 20 A | 1 ma @ 100 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||||||||||||||
![]() | PLZ9V1C-HG3_A/H. | 0,3600 | ![]() | 22 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotive, AEC-Q101, PLZ | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 2,59% | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DO-219AC | Plz9v1 | 960 MW | DO-219AC (Microsmf) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 4.500 | 900 mV a 10 mA | 500 Na @ 6 V | 9.07 v | 8 ohms | ||||||||||||||||||||||||
AZ23C18-E3-18 | 0,0415 | ![]() | 1259 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | AZ23 | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | AZ23C18 | 300 MW | SOT-23-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1 par ânodo comum | 100 Na @ 14 V | 18 v | 50 ohms | |||||||||||||||||||||||||
![]() | PLZ12C-HG3_A/H. | 0,3600 | ![]() | 4 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotive, AEC-Q101, PLZ | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 3% | 150 ° C. | Montagem na Superfície | DO-219AC | PLZ12 | 500 MW | DO-219AC (Microsmf) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 4.500 | 900 mV a 10 mA | 200 Na @ 9 V | 12 v | 12 ohms | ||||||||||||||||||||||||
![]() | V15p8hm3_a/i | 0,4562 | ![]() | 1410 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101, ESMP®, TMBS® | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-277, 3-POWERDFN | V15p8 | Schottky | TO-277A (SMPC) | download | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 6.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 80 v | 660 mV @ 15 A | 1,2 mA a 80 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 15a | - | |||||||||||||||||||||||||
![]() | VS-ST303C04LFK0 | 184.3000 | ![]() | 8246 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Última Vez compra | -40 ° C ~ 125 ° C. | Montagem do chassi | TO-200B, E-PUK | ST303 | TO-200AB (E-PUK) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | VSST303C04LFK0 | Ear99 | 8541.30.0080 | 3 | 600 mA | 400 v | 1180 a | 3 v | 6690A, 7000A | 200 MA | 2.16 v | 620 a | 50 MA | RecuperAção Padrão |
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