- RFQ
- Bom
- Contate-nos
Tel: +86-0755-83501315
E-mail:sales@sic-compponents.com
- chinês
- Inglês
- Francês
- Alemão
- Português
- Espanhol
- russo
- japonês
- coreano
- árabe
- irlandês
- grego
- turco
- italiano
- dinamarquês
- romeno
- indonésio
- Tcheco
- afrikaans
- sueco
- polonês
- Basco
- catalão
- esperanto
- hindi
- Laos
- albanês
- Amárico
- Armênio
- Azerbaijão
- Bielorrusso
- bengali
- Bósnia
- búlgaro
- Cebuano
- Chichewa
- Córsega
- croata
- Holandês
- estoniano
- Filipino
- finlandês
- Frisiano
- Galian
- Georgiano
- Gujarati
- haitiano
- Hausa
- havaiano
- hebraico
- Hmong
- húngaro
- islandês
- Igbo
- Javanês
- Kannada
- Cazaque
- Khmer
- curdo
- Kyrgyz
- Latim
- letão
- lituano
- Luxembou ..
- Macedônio
- malgaxe
- malaio
- Malaiala
- maltês
- maori
- Marathi
- mongol
- birmanês
- Nepalês
- norueguês
- Pashto
- persa
- Punjabi
- sérvio
- Sesoto
- Sinhala
- Eslovaco
- esloveno
- Somali
- Samoano
- Gaélico escocês
- Shona
- Sindhi
- Sundanês
- Suaíli
- Tajique
- tâmil
- Telugu
- Tailandês
- ucraniano
- urdu
- Uzbek
- vietnamita
- galês
- Xhosa
- Yiddish
- Ioruba
- zulu
- Kinyarwanda
- Tatar
- Oriya
- Turquemen
- Uyghur
Produtos semicondutores discretos (31214)
| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Tecnologia | Poder - Máx | Entrada | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Configuraça | Velocidade | Configuraça do Diodo | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção | Corrente - Retificada Média (IO) | CapacitânCia @ VR, F | TIPO IGBT | Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) | Corrente - Coletor (IC) (Max) | Vce (on) (max) @ vge, ic | Corrente - Corte de Colecionador (Max) | Termistor NTC | CapacitânCia de Entrada (CIES) @ VCE |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SE100PWTJHM3/i | 1.0100 |  | 4 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | Padrão | Slimdpak | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 4.500 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,14 V @ 10 A | 2,6 µs | 20 µA A 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 2.7a | 78pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||
 | SE40NJ-M3/i | 0,5300 | | 14 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem NA Superfície, Flanco Molhado | 2-VDFN | Padrão | DFN3820A | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 14.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,1 V @ 4 A | 1,2 µs | 10 µA A 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 4a | 24pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||
 | SE12DTLJ-M3/i | 1.3800 | | 2 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia) Variante | Padrão | Smpd | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1 V @ 12 A | 300 ns | 5 µA A 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 3.6a | 96pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||
| SE20DTLG-M3/i | 1.6100 | | 2 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia) Variante | Padrão | Smpd | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1 V @ 20 A | 330 ns | 5 µA A 400 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 3.8a | 160pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||
| SE10DTJ-M3/i | 1.0900 | | 4 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia) Variante | Padrão | Smpd | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,15 V @ 10 A | 3 µs | 15 µA A 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 2.9a | 67pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||
| SE80pwtj-m3/i | 0,8500 | | 4 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | Padrão | Slimdpak | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 4.500 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,12 V @ 8 A | 2,4 µs | 15 µA A 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 2.6a | 58pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||
| SE100PWTG-M3/i | 0,9000 | | 4 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | Padrão | Slimdpak | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 4.500 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,14 V @ 10 A | 2,6 µs | 20 µA A 400 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 2.7a | 78pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||
| SE20njhm3/i | 0,4800 | | 14 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem NA Superfície, Flanco Molhado | 2-VDFN | Padrão | DFN3820A | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 14.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,1 V @ 2 A | 1,2 µs | 5 µA A 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 2a | 12pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||
 | S3afj-m3/i | 0,4800 | | 14 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-221AC, SMA Flat Leads | Padrão | DO-221AC (Slimsma) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 14.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,1 V @ 3 A | 2,7 µs | 10 µA A 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 3a | 28pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||
| S3AFGHM3/i | 0,4800 | | 14 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-221AC, SMA Flat Leads | Padrão | DO-221AC (Slimsma) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 14.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,1 V @ 3 A | 2,7 µs | 10 µA A 400 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 3a | 28pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||
| SE12DTLG-M3/i | 1.3800 | | 2 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia) Variante | Padrão | Smpd | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1 V @ 12 A | 300 ns | 5 µA A 400 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 3.6a | 96pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||
| SE20NGHM3/i | 0,4800 | | 14 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem NA Superfície, Flanco Molhado | 2-VDFN | Padrão | DFN3820A | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 14.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,1 V @ 2 A | 1,2 µs | 5 µA A 400 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 2a | 12pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||
| SE10DTLGHM3/i | 1.4100 | | 2 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia) Variante | Padrão | Smpd | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1 V @ 10 A | 280 ns | 5 µA A 400 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 3.5a | 70pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||
| SE10DTLJHM3/i | 1.4100 | | 2 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia) Variante | Padrão | Smpd | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1 V @ 10 A | 280 ns | 5 µA A 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 3.5a | 70pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||
 | BAT165-G3/H. | 0,3900 | | 22 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-219AC | Schottky | DO-219AC (Microsmf) | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 4.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 40 v | 540 mV @ 250 Ma | 8 µA A 40 V | 150 ° C. | 500mA | 8.4pf @ 10V, 1MHz | |||||||||||||||||
| BAT165-HG3/H. | 0,3700 | | 22 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-219AC | Schottky | DO-219AC (Microsmf) | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 4.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 40 v | 540 mV @ 250 Ma | 8 µA A 40 V | 150 ° C. | 500mA | 8.4pf @ 10V, 1MHz | |||||||||||||||||
 | VS-GT250SA60S | 35.5788 | | 5342 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tubo | Ativo | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem do chassi | SOT-227-4, Minibloc | 750 w | Padrão | SOT-227 | download | Alcançar Não Afetado | 112-VS-GT250SA60S | Ear99 | 8541.29.0095 | 160 | Solteiro | Parada de Campo da Trinceira | 600 v | 359 a | 1.16V @ 15V, 100A | 100 µA | Não | 24,2 NF @ 25 V | ||||||||||||||
 | VS-C5PW6006LHN3 | 5.0000 | | 1 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101, Fred Pt® Gen 5 | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-247-3 | Padrão | TO-247AD | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 112-VS-C5PW6006LHN3 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 600 v | 30a | 2,5 V @ 30 A | 39 ns | 20 µA A 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | ||||||||||||||
 | VS-E5PW3006LHN3 | 3.6200 | | 355 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101, Fred Pt® Gen 5 | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-247-2 | Padrão | TO-247AD | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 112-VS-E5PW3006LHN3 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 2,5 V @ 30 A | 39 ns | 20 µA A 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 30a | - | ||||||||||||||
 | VS-S1844 | - | | 7626 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Obsoleto | - | 112-VS-S1844 | Obsoleto | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| VS-73-4790 | - | | 7282 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Obsoleto | - | 112-VS-73-4790 | Obsoleto | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| VS-S741A | - | | 2481 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Obsoleto | - | 112-VS-S741A | Obsoleto | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Vs-vshps1474 | - | | 5708 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Obsoleto | - | 112-VS-VSHPS1474 | Obsoleto | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| VS-G491UR | - | | 1415 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Obsoleto | - | 112-VS-G491UR | Obsoleto | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| VS-S671C | - | | 1723 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Obsoleto | - | 112-VS-S671C | Obsoleto | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| VS-G489UR | - | | 3121 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Obsoleto | - | 112-VS-G489UR | Obsoleto | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| VS-VSHPS1475 | - | | 8133 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Obsoleto | - | 112-VS-VSHPS1475 | Obsoleto | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| VS-S1277 | - | | 8950 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Obsoleto | - | 112-VS-S1277 | Obsoleto | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| VS-S1352 | - | | 1716 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Obsoleto | - | 112-VS-S1352 | Obsoleto | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Vs-s669b | - | | 2901 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Obsoleto | - | 112-VS-S669B | Obsoleto | 1 |
2000+
Volume médio diário de RFQ
30.000.000
Unidade de produto padrão
2800+
Fabricantes em todo o mundo
15.000 m2
Armazém em estoque
Lista de desejos (0 itens)