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Produtos semicondutores discretos (31214)
| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tolerânia | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Poder - Máx | Estrutura | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Configuraça | Velocidade | ATUAL - Hold (ih) (Máx) | Tensão - Estado Off - Off | ATUAL - SEM ESTADO (IT (RMS)) (Max) | Tensão - Gatilho de Porta (VGT) (MAX) | Corrente - Não Rep. Surge 50, 60Hz (ITSM) | Corrente - Gatilho de Portão (IGT) (max) | Tensão - No Estado (VTM) (Max) | ATUAL - SEM ESTADO (IT (AV)) (MAX) | ATUAL - Off State (Max) | TIPO SCR | Configuraça do Diodo | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção | Corrente - Retificada Média (IO) | CapacitânCia @ VR, F | Número de SCRS, Diodos | Tensão - Zener (NOM) (VZ) | Impedioso (máx) (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | VS-90SQ045 | - |  | 3609 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Obsoleto | Através do buraco | Do-204ar, axial | 90SQ045 | Schottky | Do-204ar | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 300 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 45 v | 480 mV @ 9 A | 1,75 mA a 45 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 9a | - | |||||||||||||||||||||||
 | VLZ2V4A-GS18 | - | | 2425 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotive, AEC-Q101, VLZ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | - | -65 ° C ~ 175 ° C. | Montagem na Superfície | Variante SOD-80 | Vlz2v4 | 500 MW | Sod-80 Quadromell | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,5 V @ 200 mA | 70 µA A 1 V | 2,43 v | 100 ohms | ||||||||||||||||||||||||
 | US1BHE3/5AT | - | | 7508 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | US1 | Padrão | DO-214AC (SMA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 7.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 1 V @ 1 A | 50 ns | 10 µA A 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 15pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||
 | AZ23B24-HE3-18 | 0,0534 | | 5005 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotive, AEC-Q101, AZ23 | Tape & Reel (TR) | Última Vez compra | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | AZ23B24 | 300 MW | SOT-23-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1 par ânodo comum | 100 Na @ 18 V | 24 v | 80 ohms | ||||||||||||||||||||||||
 | VS-HFA16TA60CSR-M3 | 0,6417 | | 2258 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Hexfred® | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | HFA16 | Padrão | TO-263AB (D²PAK) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 600 v | 8a (DC) | 2.1 V @ 16 a | 55 ns | 5 µA A 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||||||||||||||
 | LL4154-M-18 | 0.0305 | | 8106 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-213AC, Mini-Me-SED, SOD-80 | LL4154 | Padrão | SOD-80 MINIMELL | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 10.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 35 v | 1 V @ 30 Ma | 4 ns | 100 Na @ 25 V | 175 ° C (max) | 300mA | 4pf @ 0V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||
| MMBZ5235C-HE3-18 | - | | 8873 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBZ5235 | 225 MW | SOT-23-3 | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 3 µA a 5 V | 6,8 v | 5 ohms | |||||||||||||||||||||||||
 | VS-1EFH01WHM3-18 | - | | 8971 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotive, AEC-Q101, Fred Pt® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | DO-219AB | 1EFH01 | Padrão | DO-219AB (SMF) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 10.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 930 mV @ 1 a | 16 ns | 2 µA A 100 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1a | - | |||||||||||||||||||||||
 | GDZ22B-HG3-18 | 0,0523 | | 6235 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotive, AEC-Q101, GDZ-G | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | SC-76, SOD-323 | GDZ22 | 200 MW | SOD-323 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 100 Na @ 17 V | 22 v | 100 ohms | |||||||||||||||||||||||||
 | VS-50PF40W | 6.9500 | | 7015 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Ativo | Montagem do Pino | DO-203AB, DO-5, Stud | 50pf40 | Padrão | DO-203AB (DO-5) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,4 V @ 125 A | -55 ° C ~ 180 ° C. | 50a | - | ||||||||||||||||||||||||
 | V20120SHM3/4W | - | | 3538 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Obsoleto | Através do buraco | To-220-3 | V20120 | Schottky | To-220-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 120 v | 1,12 V @ 20 A | 300 µA A 120 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 20a | - | |||||||||||||||||||||||
 | SE40pdhm3/86a | - | | 1880 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | TO-277, 3-POWERDFN | SE40 | Padrão | TO-277A (SMPC) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1,05 V @ 2 A | 2,2 µs | 10 µA A 200 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 2.4a | 28pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||
 | TZX9V1E-TAP | 0,0287 | | 1552 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotive, AEC-Q101, TZX | Fita E CAIXA (TB) | Ativo | - | -65 ° C ~ 175 ° C. | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | TZX9V1 | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 30.000 | 1,5 V @ 200 mA | 1 µA A 6,8 V | 9.1 v | 20 ohms | ||||||||||||||||||||||||
 | PTV4.7B-M3/85A | 0,0825 | | 2076 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | ESMP® | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | DO-220AA | PTV4.7 | 600 MW | DO-220AA (SMP) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,5 V @ 200 mA | 20 µA @ 1 V | 4,7 v | 10 ohms | ||||||||||||||||||||||||
| SML4761HE3/61 | - | | 3236 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | SML4761 | 1 w | DO-214AC (SMA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.800 | 5 µA @ 56 V | 75 v | 175 ohms | |||||||||||||||||||||||||
 | VS-ST1200C16K1L | 365.5950 | | 1415 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Ativo | -40 ° C ~ 125 ° C. | Montagem do chassi | TO-200AC, K-PUK, A-24 | ST1200 | A-24 (K-Puk) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | VSST1200C16K1L | Ear99 | 8541.30.0080 | 2 | 600 mA | 1,6 kV | 3080 a | 3 v | 25700A, 26900A | 200 MA | 1,73 v | 1650 a | 100 ma | RecuperAção Padrão | |||||||||||||||||||
 | SS24HE3/5BT | - | | 3743 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | DO-214AA, SMB | SS24 | Schottky | DO-214AA (SMB) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.200 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 40 v | 500 mv @ 2 a | 400 µA A 40 V | -65 ° C ~ 125 ° C. | 2a | - | |||||||||||||||||||||||
 | PLZ33B-G3/H. | 0,3200 | | 30 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Plz | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 3% | 150 ° C. | Montagem na Superfície | DO-219AC | PLZ33 | 500 MW | DO-219AC (Microsmf) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 4.500 | 900 mV a 10 mA | 200 Na @ 25 V | 33 v | 65 ohms | ||||||||||||||||||||||||
| Ar4pjhm3_a/h | 0,6699 | | 6112 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotive, AEC-Q101, ESMP® | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-277, 3-POWERDFN | AR4 | Avalanche | TO-277A (SMPC) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,6 V @ 4 a | 140 ns | 10 µA A 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 2a | 77pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||
 | 8EWF02STRL | - | | 6213 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | 8ewf02 | Padrão | D-Pak (TO-252AA) | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1,2 V @ 8 A | 140 ns | 100 µA A 200 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 8a | - | ||||||||||||||||||||||
| S07J-GS08 | 0,4400 | | 81 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-219AB | S07 | Padrão | DO-219AB (SMF) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,1 V @ 1 A | 1,8 µs | 10 µA A 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 700mA | 4pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||
| VS-20ETF10SPBF | - | | 5736 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tubo | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | 20ETF10 | Padrão | TO-263AB (D²PAK) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Vs20etf10spbf | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1000 v | 1,31 V @ 20 A | 95 ns | 100 µA A 1000 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 20a | - | |||||||||||||||||||||
| Vs-vskv26/06 | 37.4570 | | 7801 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Ativo | - | Montagem do chassi | Add-a-pak (3 + 4) | Vskv26 | - | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | VSVSKV2606 | Ear99 | 8541.30.0080 | 10 | - | - | |||||||||||||||||||||||||||
 | V10pwm10chm3/i | 0,4250 | | 3909 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | Schottky | Slimdpak | download | Alcançar Não Afetado | 112-V10PWM10CHM3/ITR | Ear99 | 8541.10.0080 | 4.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 100 v | 5a | 750 mv @ 5 a | 100 µA A 100 V | -40 ° C ~ 175 ° C. | |||||||||||||||||||||||||
| BZG03B75-HM3-08 | 0,2310 | | 5250 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotive, AEC-Q101, BZG03B-M | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | BZG03B75 | 1,25 w | DO-214AC (SMA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 6.000 | 1,2 V @ 500 mA | 1 µA @ 56 V | 75 v | 100 ohms | ||||||||||||||||||||||||
| VS-15MQ040NTRPBF | 0,8500 | | 1 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | 15MQ040 | Schottky | DO-214AC (SMA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 7.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 40 v | 490 mV @ 2 a | 500 µA A 40 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 1.5a | 134pf @ 10V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||
 | EGP10B-E3/73 | - | | 7485 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Superectifier® | Fita E CAIXA (TB) | Ativo | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | EGP10 | Padrão | DO-204AL (DO-41) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 950 mV @ 1 a | 50 ns | 5 µA A 100 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 22pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||
| SML4753AHE3/61 | - | | 8080 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | ± 5% | 150 ° C. | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | SML4753 | 1 w | DO-214AC (SMA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.800 | 5 µA A 27,4 V | 36 v | 50 ohms | |||||||||||||||||||||||||
 | VS-12FL60S02 | 8.0100 | | 9418 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pântano | DO-203AA, DO-4, Stud | 12fl60 | Padrão | Do-203aa (DO-4) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,4 V @ 12 A | 200 ns | 50 µA A 600 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 12a | - | ||||||||||||||||||||||
 | 20ETF02FP | - | | 8659 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-2 | 20ETF02 | Padrão | TO-220AC PACK CONCLUTO | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | *20etf02fp | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1,3 V @ 20 A | 160 ns | 100 µA A 200 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 20a | - |
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