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Produtos semicondutores discretos (31214)
| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tolerânia | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Poder - Máx | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Configuraça | Velocidade | ATUAL - Hold (ih) (Máx) | Tensão - Estado Off - Off | ATUAL - SEM ESTADO (IT (RMS)) (Max) | Tensão - Gatilho de Porta (VGT) (MAX) | Corrente - Não Rep. Surge 50, 60Hz (ITSM) | Corrente - Gatilho de Portão (IGT) (max) | Tensão - No Estado (VTM) (Max) | ATUAL - SEM ESTADO (IT (AV)) (MAX) | ATUAL - Off State (Max) | TIPO SCR | Configuraça do Diodo | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção | Corrente - Retificada Média (IO) | CapacitânCia @ VR, F | Tensão - Zener (NOM) (VZ) | Impedioso (máx) (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | BZD27B18P-HE3-08 | 0,1238 |  | 8246 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101, BZD27B | Tape & Reel (TR) | Ativo | - | -65 ° C ~ 175 ° C. | Montagem na Superfície | DO-219AB | BZD27 | 800 MW | DO-219AB (SMF) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 30.000 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA A 13 V | 18 v | 15 ohms | ||||||||||||||||||||||
 | DZ23C2V7-HE3-08 | 0,0436 | | 1261 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101, DZ23 | Tape & Reel (TR) | Última Vez compra | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Dz23 | 300 MW | SOT-23-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 15.000 | 1 par cátodo comum | 2,7 v | 83 ohms | |||||||||||||||||||||||
| MMBD914-HE3-08 | 0,2100 | | 15 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBD914 | Padrão | SOT-23-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 100 v | 1 V @ 10 Ma | 4 ns | 5 µA @ 75 V | 150 ° C (Máximo) | 200Ma | 4pf @ 0V, 1MHz | ||||||||||||||||||||
 | ZM4752A-GS18 | 0,3900 | | 5 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | 175 ° C. | Montagem na Superfície | Do-213ab, Mell (Vidro) | ZM4752 | 1 w | DO-213AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 5 µA a 25,1 V | 33 v | 45 ohms | |||||||||||||||||||||||
| S1FLM-GS18 | 0,3400 | | 49 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-219AB | S1f | Padrão | DO-219AB (SMF) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 10.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1000 v | 1,1 V @ 1 A | 1,8 µs | 10 µA A 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 700mA | 4pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||
 | BZT03D27-TR | - | | 4409 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | BZT03 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 7,04% | 175 ° C (TJ) | Através do buraco | Sod-57, axial | BZT03 | 1.3 w | SOD-57 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 25.000 | 1,2 V @ 500 mA | 1 µA a 20 V | 27 v | 15 ohms | ||||||||||||||||||||||
 | VS-MBRD320TRR-M3 | 0,2764 | | 5778 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | MBRD320 | Schottky | D-Pak (TO-252AA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | VSMBRD320TRRM3 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 20 v | 600 mv @ 3 a | 200 µA a 20 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 189pf @ 5V, 1MHz | ||||||||||||||||||||
| BZX84C11-HE3_A-18 | 0,0498 | | 8123 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotive, AEC-Q101, BZX84 | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 300 MW | SOT-23-3 | download | 112-BZX84C11-HE3_A-18TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 100 Na @ 8 V | 11 v | 20 ohms | ||||||||||||||||||||||||||
| DZ23C3V6-E3-18 | 0,0415 | | 7867 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Dz23 | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Dz23 | 300 MW | SOT-23-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1 par cátodo comum | 3,6 v | 95 ohms | |||||||||||||||||||||||
 | VS-96-1203pbf | - | | 2031 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | * | Tubo | Obsoleto | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 50 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZD27C68P-M3-18 | 0,1733 | | 2856 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | BZD27-M | Tape & Reel (TR) | Ativo | - | -65 ° C ~ 175 ° C. | Montagem na Superfície | DO-219AB | BZD27C68 | 800 MW | DO-219AB (SMF) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 50.000 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA @ 51 V | 68 v | 80 ohms | ||||||||||||||||||||||
 | MUR460-E3/73 | - | | 3049 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Fita de Corte (CT) | Ativo | Através do buraco | Do-201D, axial | Mur460 | Padrão | Do-201d | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,28 V @ 4 a | 75 ns | 10 µA A 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 4a | - | ||||||||||||||||||||
 | VS-20CTQ150S-M3 | 1.6200 | | 8 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Ativo | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | 20CTQ150 | Schottky | TO-263AB (D²PAK) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 150 v | 10a | 880 mV @ 10 A | 25 µA A 150 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | |||||||||||||||||||||
 | EGP10GEHE3/54 | - | | 2836 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Superectifier® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | EGP10 | Padrão | DO-204AL (DO-41) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,25 V @ 1 A | 50 ns | 5 µA A 400 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 15pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||
 | VS-60EPU04HN3 | - | | 8930 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotive, AEC-Q101, Fred Pt® | Tubo | Obsoleto | Através do buraco | To-247-3 | 60EPU04 | Padrão | TO-247AC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,25 V @ 60 A | 85 ns | 50 µA A 400 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 60a | - | ||||||||||||||||||||
| BZD27C200P-E3-18 | 0,1612 | | 7831 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | BZD27C | Tape & Reel (TR) | Ativo | - | -65 ° C ~ 175 ° C. | Montagem na Superfície | DO-219AB | BZD27C200 | 800 MW | DO-219AB (SMF) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 50.000 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA A 150 V | 200 v | 500 ohms | ||||||||||||||||||||||
 | VS-30BQ040-M3/9AT | 0,9500 | | 18 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AB, SMC | 30BQ040 | Schottky | DO-214AB (SMC) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 40 v | 530 mV @ 3 a | 500 µA A 40 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 230pf @ 5V, 1MHz | |||||||||||||||||||||
| 8ews12strl | - | | 6269 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | 8ews12 | Padrão | D-Pak (TO-252AA) | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1200 v | 1,1 V @ 8 A | 50 µA A 1200 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 8a | - | |||||||||||||||||||||
| VS-10TQ035STRL-M3 | 0,8346 | | 8 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | 10TQ035 | Schottky | TO-263AB (D²PAK) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 35 v | 570 mV @ 10 A | 2 mA a 35 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 10a | 900pf @ 5V, 1MHz | |||||||||||||||||||||
| EGP10GHE3/73 | - | | 2827 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Superectifier® | Fita E CAIXA (TB) | Obsoleto | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | EGP10 | Padrão | DO-204AL (DO-41) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,25 V @ 1 A | 50 ns | 5 µA A 400 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 15pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||
 | VS-E4PU6006LHN3 | 2.8900 | | 7310 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotive, AEC-Q101, Fred Pt® | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-247-2 | E4PU6006 | Padrão | TO-247AD | download | Não Aplicável | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,7 V @ 60 A | 74 ns | 50 µA A 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 60a | - | |||||||||||||||||||||
| AZ23C16-G3-18 | 0,0483 | | 2858 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | AZ23-G | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | AZ23C16 | 300 MW | SOT-23-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1 par ânodo comum | 100 Na @ 12 V | 16 v | 40 ohms | ||||||||||||||||||||||
 | VS-ST300C18C0 | 162.0792 | | 4550 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Ativo | -40 ° C ~ 125 ° C. | Montagem do chassi | TO-200B, E-PUK | ST300 | TO-200AB (E-PUK) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.30.0080 | 12 | 600 mA | 1,8 kV | 1290 a | 3 v | 8000A, 8380A | 200 MA | 2.18 v | 650 a | 50 MA | RecuperAção Padrão | ||||||||||||||||||
 | Ssb44hm3_a/i | 0,4800 | | 2594 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AA, SMB | SSB44 | Schottky | DO-214AA (SMB) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.200 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 40 v | 490 mV @ 4 a | 400 µA A 40 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 4a | - | |||||||||||||||||||||
| MBRB30H90CTHE3/81 | - | | 9930 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | MBRB30 | Schottky | TO-263AB (D²PAK) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 90 v | 15a | 820 mV @ 15 a | 5 µA A 90 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | |||||||||||||||||||||
 | VLZ27B-GS08 | - | | 6132 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotive, AEC-Q101, VLZ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | - | -65 ° C ~ 175 ° C. | Montagem na Superfície | Variante SOD-80 | VLZ27 | 500 MW | Sod-80 Quadromell | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1,5 V @ 200 mA | 40 µA A 23,7 V | 25,62 v | 45 ohms | ||||||||||||||||||||||
 | BAV21W-E3-18 | 0,2800 | | 9 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SOD-123 | BAV21 | Padrão | SOD-123 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 10.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1 V @ 100 Ma | 50 ns | 100 Na @ 150 V | 175 ° C (max) | 250mA | 1.5pf @ 0V, 1MHz | ||||||||||||||||||||
| AZ23C33-HE3_A-08 | - | | 8988 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotive, AEC-Q101, AZ23 | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 300 MW | SOT-23-3 | download | 112-AZ23C33-HE3_A-08TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 par ânodo comum | 50 Na @ 23,1 V | 33 v | 80 ohms | |||||||||||||||||||||||||
 | TZX27X-TAP | 0,0273 | | 7979 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotive, AEC-Q101, TZX | Fita E CAIXA (TB) | Ativo | - | -65 ° C ~ 175 ° C. | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | TZX27 | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 30.000 | 1,5 V @ 200 mA | 1 µA A 21 V | 27 v | 80 ohms | ||||||||||||||||||||||
 | VS-60APF06PBF | - | | 5764 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | Através do buraco | To-247-3 | 60APF06 | Padrão | TO-247AC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Vs60apf06pbf | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,3 V @ 60 A | 180 ns | 100 µA A 600 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 60a | - |
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