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Produtos semicondutores discretos (31214)
| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tolerânia | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Poder - Máx | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Velocidade | Configuraça do Diodo | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção | Corrente - Retificada Média (IO) | CapacitânCia @ VR, F | Tensão - Zener (NOM) (VZ) | Impedioso (máx) (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MBR30H35PT-E3/45 | 1.3321 |  | 8374 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-220-3 | MBR30 | Schottky | To-220-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 750 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 35 v | 30a | 730 mV @ 30 A | 150 µA @ 35 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | ||||||||||
 | VS-16CTQ060S-M3 | 0,9040 | | 8696 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tubo | Ativo | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | 16CTQ060 | Schottky | TO-263AB (D²PAK) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 60 v | 8a | 720 mv @ 8 a | 550 µA A 60 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | ||||||||||
 | Smzj3797a-e3/52 | - | | 7102 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 10% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | DO-214AA, SMB | Smzj37 | 1,5 w | DO-214AA (SMBJ) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 750 | 5 µA A 16,7 V | 22 v | 17,5 ohms | ||||||||||||
 | Byg23mhe3_a/i | 0,1419 | | 4472 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | BYG23 | Avalanche | DO-214AC (SMA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 7.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1000 v | 1,7 V @ 1 A | 75 ns | 5 µA A 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1.5a | - | |||||||||
 | MMBZ4702-HE3-08 | - | | 8292 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBZ4702 | 350 MW | SOT-23-3 | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 15.000 | 50 Na @ 11,4 V | 15 v | |||||||||||||
 | 1N3957GPHE3/73 | - | | 6881 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101, SuperiorIcier® | Fita E CAIXA (TB) | Obsoleto | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 1N3957 | Padrão | DO-204AL (DO-41) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1000 v | 1 V @ 1 A | 2 µs | 1 µA A 1000 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 8pf @ 4V, 1MHz | |||||||||
 | VIT3080C-E3/4W | 0,7755 | | 5135 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | TMBS® | Tubo | Ativo | Através do buraco | TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA | Vit3080 | Schottky | TO-262AA | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 80 v | 15a | 820 mV @ 15 a | 700 µA A 80 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||
 | VS-8AF2RPP | - | | 1445 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Obsoleto | Chassi, montagem em pântano | B-47 | 8af2 | Polaridada reversa padrão | B-47 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 5 mA a 200 V | -65 ° C ~ 195 ° C. | 50a | - | |||||||||||
 | VLZ9V1A-GS18 | - | | 3281 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotive, AEC-Q101, VLZ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | - | -65 ° C ~ 175 ° C. | Montagem na Superfície | Variante SOD-80 | Vlz9v1 | 500 MW | Sod-80 Quadromell | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,5 V @ 200 mA | 40 µA A 7,88 V | 8.51 v | 8 ohms | |||||||||||
 | GL34JHE3/98 | 0,5100 | | 5 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Superectifier® | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-213AA (Vidro) | GL34 | Padrão | DO-213AA (GL34) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 2.500 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,3 V @ 500 mA | 1,5 µs | 5 µA A 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 500mA | 4pf @ 4V, 1MHz | |||||||||
 | ZMY3V9-GS08 | 0,4200 | | 14 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | 175 ° C. | Montagem na Superfície | Do-213ab, Mell (Vidro) | ZMY3V9 | 1 w | DO-213AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 3,9 v | 7 ohms | |||||||||||||
| FEPF16JT-E3/45 | 0,9068 | | 6312 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada | FEPF16 | Padrão | ITO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 600 v | 8a | 1,5 V @ 8 A | 50 ns | 10 µA A 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||
 | Nsf8jt-e3/45 | - | | 9564 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-2, Guia Isolada | NSF8 | Padrão | ITO-220AC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,1 V @ 8 A | 10 µA A 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 8a | - | ||||||||||
| 121NQ040 | - | | 6949 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Obsoleto | Montagem do chassi | D-67 Half-Pak | 121NQ040 | Schottky | D-67 Half-Pak | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | *121NQ040 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 40 v | 650 mV @ 120 A | 10 mA a 40 V | 120a | 5200pf @ 5V, 1MHz | ||||||||||
| BZT52A15-G3-18 | - | | 4675 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | BZT52-G | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | BZT52 | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | ||||||||||||||||||||||
 | SMPZ3926B-M3/84A | 0.1027 | | 6761 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | ESMP® | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | DO-220AA | SMPZ3926 | 500 MW | DO-220AA (SMP) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,5 V @ 200 mA | 500 Na @ 8,4 V | 11 v | 5,5 ohms | |||||||||||
| VLZ16C-GS18 | - | | 8705 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotive, AEC-Q101, VLZ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | - | -65 ° C ~ 175 ° C. | Montagem na Superfície | Variante SOD-80 | VLZ16 | 500 MW | Sod-80 Quadromell | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,5 V @ 200 mA | 40 µA a 14,9 V | 16,1 v | 18 ohms | |||||||||||
| 225CNQ015 | - | | 9821 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Obsoleto | Montagem do chassi | TO-244AB | 225cnq | Schottky | TO-244AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | *225CNQ015 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 15 v | 220A | 490 mV @ 220 A | 40 mA a 15 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | |||||||||
| TZS4686-GS08 | 0,3100 | | 13 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Montagem na Superfície | Variante SOD-80 | TZS4686 | 500 MW | Sod-80 Quadromell | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1,5 V @ 100 Ma | 5 µA @ 2 V | 3,9 v | ||||||||||||
| Vs-vskjs440/030 | 45.3600 | | 3423 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Ativo | Montagem do chassi | Add-a-pak (3) | VSKJS440 | Schottky | Add-a-Pak® | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | VSVSKJS440030 | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par ânodo comum | 30 v | 220A | 680 mV @ 220 A | 20 mA a 30 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||
 | 1n4150tap | 0,2700 | | 21 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Fita de Corte (CT) | Ativo | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | 1N4150 | Padrão | DO-35 (DO-204AH) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 10.000 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 50 v | 1 V @ 200 mA | 4 ns | 100 Na @ 50 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 150mA | 2.5pf @ 0V, 1MHz | |||||||||
| BYG10KHM3_A/I. | 0,1551 | | 6813 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | BYG10 | Avalanche | DO-214AC (SMA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 7.500 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 800 v | 1,15 V @ 1,5 A | 4 µs | 1 µA A 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1.5a | - | |||||||||
 | MMSZ5251B-HE3_A-18 | 0,0549 | | 9516 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SOD-123 | 500 MW | SOD-123 | download | 112-MMSZ5251B-HE3_A-18TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 900 mV a 10 mA | 100 Na @ 17 V | 22 v | 29 ohms | ||||||||||||||
| MMBZ5247C-G3-08 | - | | 1857 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBZ5247 | 225 MW | SOT-23-3 | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 15.000 | 100 Na @ 13 V | 17 v | 19 ohms | ||||||||||||
 | AU3PKHM3/87A | - | | 1074 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | ESMP® | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | TO-277, 3-POWERDFN | Au3 | Avalanche | TO-277A (SMPC) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 6.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 800 v | 2,5 V @ 3 A | 75 ns | 10 µA a 800 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 1.4a | 42pf @ 4V, 1MHz | |||||||||
 | 10TQ045 | - | | 9962 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | Através do buraco | To-220-2 | 10TQ045 | Schottky | TO-220AC | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 45 v | 760 mV @ 10 A | 6 mA a 45 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 10a | - | ||||||||||
| VS-10TQ045pbf | - | | 3098 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tubo | Descontinuado no sic | Através do buraco | To-220-2 | 10TQ045 | Schottky | TO-220AC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 45 v | 760 mV @ 10 A | 6 mA a 45 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 10a | - | ||||||||||
| Vs-vsud200ch40pbf | 37.5095 | | 6231 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | * | Volume | Ativo | Vsud200 | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Vsvsud200ch40pbf | Ear99 | 8541.10.0080 | 20 | ||||||||||||||||||||
| BZT52B13-HE3_A-18 | 0,0533 | | 6247 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotive, AEC-Q101, BZT52 | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SOD-123 | 300 MW | SOD-123 | download | 112-BZT52B13-HE3_A-18TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 100 Na @ 10 V | 13 v | 25 ohms | |||||||||||||||
 | VS-SD603C22S20C | 135.1808 | | 9486 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Última Vez compra | Prenda | Do-200aa, a-puk | SD603 | Padrão | B-43, Hóquei Puk | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 12 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 2200 v | 2,97 V @ 1885 A | 2 µs | 45 mA A 2200 V | 600A | - |
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