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Produtos semicondutores discretos (31214)

Número do Produto	Preço (USD)	Quantidade	Quantidade Dispon Svel	Mfr	Série	Pacote	Status do produto	Tolerânia	Temperatura operacional	Tipo de Montagem	Pacote / Caso	Número do Produto Base	Tecnologia	Poder - Máx	Estrutura	Pacote de Dispositivo de Fornecedor	Ficha de Dadas	Status do rohs	Nível de sensibilidade à Umidade (msl)	Status de alcance	Nomes de Ulros	ECCN	Htsus	PACOTE PADROO	Velocidade	ATUAL - Hold (ih) (Máx)	Tensão - Estado Off - Off	ATUAL - SEM ESTADO (IT (RMS)) (Max)	Tensão - Gatilho de Porta (VGT) (MAX)	Corrente - Não Rep. Surge 50, 60Hz (ITSM)	Corrente - Gatilho de Portão (IGT) (max)	Tensão - No Estado (VTM) (Max)	ATUAL - SEM ESTADO (IT (AV)) (MAX)	ATUAL - Off State (Max)	TIPO SCR	Configuraça do Diodo	Tensão - DC Reversa (VR) (Max)	Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo)	Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se	Tempo de RecuperAção Reversa (TRR)	ATUAL - Vazamento Reverso @ VR	Temperatura operacional - Junção	Corrente - Retificada Média (IO)	CapacitânCia @ VR, F	Número de SCRS, Diodos	Tensão - Zener (NOM) (VZ)	Impedioso (máx) (ZZT)
EGP10CHE3/54	-	RFQ	7056	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	Superectifier®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			Através do buraco	Do-204al, DO-41, axial	EGP10	Padrão			DO-204AL (DO-41)	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0080	5.500	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)												150 v		950 mV @ 1 a	50 ns	5 µA A 150 V	-65 ° C ~ 150 ° C.	1a	22pf @ 4V, 1MHz
VS-81RIA80	41.0432	RFQ	5586	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	-	Volume	Ativo		-40 ° C ~ 125 ° C.	Chassi, montagem em pântano	TO-209AC, parágrafo 94-4, Stud	81ria80				TO-209AC (TO-94)	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado	Vs81ria80	Ear99	8541.30.0080	25		200 MA	800 v	125 a	2,5 v	1600A, 1675A	120 MA	1.6 V.	80 a	15 MA	RecuperAção Padrão
FEPB16GTHE3_A/P.	1.1715	RFQ	4519	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	Automotivo, AEC-Q101	Tubo	Ativo			Montagem na Superfície	TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab	FEPB16	Padrão			TO-263AB (D²PAK)	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0080	1.000	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)											1 par cátodo comum	400 v	8a	1,3 V @ 8 A	50 ns	10 µA A 400 V	-55 ° C ~ 150 ° C.
MBR16H45HE3/45	-	RFQ	4420	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	-	Tubo	Obsoleto			Através do buraco	To-220-2	MBR16	Schottky			TO-220AC	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0080	50	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)												45 v		660 mV @ 16 a		100 µA A 45 V	-65 ° C ~ 175 ° C.	16a	-
VS-31DQ04	-	RFQ	8841	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	-	Volume	Obsoleto			Através do buraco	Do-201D, axial	31DQ04	Schottky			C-16	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0080	500	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)												40 v		570 mV @ 3 a		1 mA a 40 V	-40 ° C ~ 150 ° C.	3.3a	-
MMSZ5267C-E3-08	0,0433	RFQ	7003	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Ativo	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C.	Montagem na Superfície	SOD-123	MMSZ5267		500 MW		SOD-123	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0050	15.000																	100 Na @ 56 V					75 v	270 ohms
IMBD4448-E3-08	0,0396	RFQ	8374	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Ativo			Montagem na Superfície	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	IMBD4448	Padrão			SOT-23-3	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0070	15.000	Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade												75 v		1 V @ 10 Ma	4 ns	2,5 µA A 70 V	150 ° C (Máximo)	150mA	-
SS5P9-E3/87A	-	RFQ	8864	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	ESMP®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			Montagem na Superfície	TO-277, 3-POWERDFN	SS5P9	Schottky			TO-277A (SMPC)	-	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0080	6.500	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)												90 v		880 mV @ 5 A		15 µA A 90 V	-55 ° C ~ 150 ° C.	5a	-
VS-ST180C18C1	120.3842	RFQ	4034	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	-	Volume	Ativo		-40 ° C ~ 125 ° C.	Montagem do chassi	TO-200B, A-Puk	ST180				TO-200B, A-Puk	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado	VSST180C18C1	Ear99	8541.30.0080	12		600 mA	1,8 kV	660 a	3 v	4200A, 4400A	150 MA	1,96 v	350 a	30 mA	RecuperAção Padrão
1N4246GP-E3/73	-	RFQ	9312	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	Superectifier®	Fita E CAIXA (TB)	Ativo			Através do buraco	Do-204al, DO-41, axial	1N4246	Padrão			DO-204AL (DO-41)	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0080	3.000	RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io)												400 v		1,2 V @ 1 A		1 µA A 400 V	-65 ° C ~ 160 ° C.	1a	8pf @ 4V, 1MHz
Vs-10ria80m	17.1757	RFQ	9224	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	-	Tubo	Ativo		-65 ° C ~ 125 ° C.	Chassi, montagem em pântano	TO-208AA, TO-48-3, Stud	10ria80				TO-208AA (TO-48)	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado	Vs10ria80m	Ear99	8541.30.0080	100		130 MA	800 v	10 a	2 v	190a, 200a	60 MA	1,75 v	25 a	10 MA	RecuperAção Padrão
Vs-vs19csr16l	-	RFQ	7502	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	-	Volume	Última Vez compra					Vs19					-				112-VS-VS19CSR16L			1
VBT3060G-E3/8W	0,5483	RFQ	9583	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Ativo			Montagem na Superfície	TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab	VBT3060	Schottky			TO-263AB (D²PAK)	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0080	800	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)											1 par cátodo comum	60 v	15a	730 mV @ 15 A		850 µA A 60 V	-55 ° C ~ 150 ° C.
Vs-vskv91/10	47.8760	RFQ	2826	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	-	Volume	Ativo		-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	Montagem do chassi	Add-a-pak (3 + 4)	Vskv91			Ânodo comum - Todos OS SCRS		download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado	VSVSKV9110	Ear99	8541.30.0080	10		250 Ma	1 kv	150 a	2,5 v	2000a, 2094a	150 MA		95 a												2 scrs
Es1bhe3_a/i	0,3900	RFQ	2103	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	Automotivo, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Ativo			Montagem na Superfície	DO-214AC, SMA	ES1	Padrão			DO-214AC (SMA)	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0080	7.500	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)												100 v		920 mV @ 1 a	25 ns	5 µA A 100 V	-55 ° C ~ 150 ° C.	1a	10pf @ 4V, 1MHz
VS-81RIA40	36.5572	RFQ	7427	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	-	Volume	Ativo		-40 ° C ~ 125 ° C.	Chassi, montagem em pântano	TO-209AC, parágrafo 94-4, Stud	81ria40				TO-209AC (TO-94)	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado	Vs81ria40	Ear99	8541.30.0080	25		200 MA	400 v	125 a	2,5 v	1600A, 1675A	120 MA	1.6 V.	80 a	15 MA	RecuperAção Padrão
Vs-vskh26/14	37.1300	RFQ	5328	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	-	Volume	Ativo		-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	Montagem do chassi	Add-a-pak (3 + 4)	Vskh26			CONEXÃO EM SÉRIE - SCR/DIODO		download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado	Vsvskh2614	Ear99	8541.30.0080	10		200 MA	1,4 kV	60 a	2,5 v	400A, 420A	150 MA		27 a												1 scr, 1 diodo
VS-20CTQ035STRL-M3	0,9298	RFQ	4624	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Ativo			Montagem na Superfície	TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab	20CTQ035	Schottky			TO-263AB (D²PAK)	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0080	800	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)											1 par cátodo comum	35 v	10a	640 mV @ 10 A		2 mA a 35 V	-55 ° C ~ 175 ° C.
301UR80	-	RFQ	1595	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	-	Volume	Ativo			Montagem do Pino	DO-205AB, DO-9, Stud	301UR80	Padrão			DO-205AB (DO-9)	download	Rohs Não Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado	*301UR80	Ear99	8541.10.0080	12	RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io)												800 v		1,22 V @ 942 A		15 mA a 800 V	-40 ° C ~ 180 ° C.	330A	-
VS-SD1500C30L	145.4900	RFQ	3806	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	-	Volume	Ativo			Prenda	Do-200ab, B-Puk	SD1500	Padrão			Do-200ab, B-Puk	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0080	3	RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io)												3000 v		1,64 V @ 3000 A		50 mA A 3000 V		1600A	-
TZX2V7B-TAP	0,0290	RFQ	3521	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	Automotive, AEC-Q101, TZX	Fita E CAIXA (TB)	Ativo	-	-65 ° C ~ 175 ° C.	Através do buraco	Do-204ah, do-35, axial	TZX2V7		500 MW		DO-35 (DO-204AH)	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0050	30.000															1,5 V @ 200 mA		5 µA A 500 mV					2,7 v	100 ohms
VSKT500-12	-	RFQ	6810	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	-	Volume	Obsoleto		-	Montagem do chassi	Super Magn-A-Pak	Vskt500			CONEXÃO EM SÉRIE - TODOS OS SCRS		download	Rohs Não Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.30.0080	1		500 MA	1,2 kV	785 a	3 v	17800A, 18700A	200 MA		500 a												2 scrs
VS-ST183C08CFN1	81.1008	RFQ	4876	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	-	Volume	Última Vez compra		-40 ° C ~ 125 ° C.	Montagem do chassi	TO-200B, A-Puk	ST183				TO-200B, A-Puk	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado	VSST183C08CFN1	Ear99	8541.30.0080	12		600 mA	800 v	690 a	3 v	4120A, 4310A	200 MA	1,8 v	370 a	40 MA	RecuperAção Padrão
Vs-vskh250-08pbf	212.2650	RFQ	3623	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	-	Volume	Ativo		-40 ° C ~ 130 ° C (TJ)	Montagem do chassi	Magn-a-pak (3)	Vskh250			CONEXÃO EM SÉRIE - SCR/DIODO		download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado	Vsvskh25008pbf	Ear99	8541.30.0080	2		500 MA	400 v	555 a	3 v	8500A, 8900A	200 MA		250 a												1 scr, 1 diodo
40CPQ080	-	RFQ	3834	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	-	Tubo	Obsoleto			Através do buraco	To-247-3	40cpq	Schottky			TO-247AC	download	Rohs Não Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0080	500	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)											1 par cátodo comum	80 v	20a	770 mV @ 20 A		1,25 mA a 80 V	-55 ° C ~ 175 ° C.
BZT52C3V0-HE3_A-18	-	RFQ	9658	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	Automotive, AEC-Q101, BZT52	Tape & Reel (TR)	Ativo	± 5%	150 ° C (TJ)	Montagem na Superfície	SOD-123			300 MW		SOD-123	download				112-BZT52C3V0-HE3_A-18TR	Ear99	8541.10.0050	1																	10 µA A 1 V					3 v	95 ohms
6CWQ10FNTR	-	RFQ	5272	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			Montagem na Superfície	TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63	6CWQ10	Schottky			D-Pak (TO-252AA)	download	Rohs Não Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0080	2.000	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)											1 par cátodo comum	100 v	3.5a	810 mV @ 3 a		1 ma @ 100 V	-40 ° C ~ 150 ° C.
Vs-25ria60m	17.1757	RFQ	9370	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	-	Volume	Ativo		-65 ° C ~ 125 ° C.	Chassi, montagem em pântano	TO-208AA, TO-48-3, Stud	25ria60				TO-208AA (TO-48)	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado	Vs25ria60m	Ear99	8541.30.0080	100		130 MA	600 v	40 a	2 v	350A, 370A	60 MA	1,7 V.	25 a	10 MA	RecuperAção Padrão
VS-25TTS12STRLPBF	-	RFQ	3503	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Descontinuado no sic		-40 ° C ~ 125 ° C.	Montagem na Superfície	TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab	25TTS12				TO-263AB (D²PAK)	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.30.0080	800		150 MA	1,2 kV	25 a	2 v	350A @ 50Hz	45 Ma	1,25 v	16 a	500 µA	RecuperAção Padrão
VS-22RIA120M	17.1757	RFQ	3353	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	-	Volume	Ativo		-65 ° C ~ 125 ° C.	Chassi, montagem em pântano	TO-208AA, TO-48-3, Stud	22RIA120				TO-208AA (TO-48)	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado	VS22RIA120M	Ear99	8541.30.0080	100		130 MA	1,2 kV	35 a	2 v	335a, 355a	60 MA	1,7 V.	22 a	10 MA	RecuperAção Padrão