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Produtos semicondutores discretos (31214)
| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Poder - Máx | Entrada | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Configuraça | Velocidade | Configuraça do Diodo | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção | Corrente - Retificada Média (IO) | CapacitânCia @ VR, F | TIPO IGBT | Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) | Corrente - Coletor (IC) (Max) | Vce (on) (max) @ vge, ic | Corrente - Corte de Colecionador (Max) | Termistor NTC | CapacitânCia de Entrada (CIES) @ VCE |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | VS-GT250SA60S | 35.5788 |  | 5342 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tubo | Ativo | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem do chassi | SOT-227-4, Minibloc | 750 w | Padrão | SOT-227 | download | Alcançar Não Afetado | 112-VS-GT250SA60S | Ear99 | 8541.29.0095 | 160 | Solteiro | Parada de Campo da Trinceira | 600 v | 359 a | 1.16V @ 15V, 100A | 100 µA | Não | 24,2 NF @ 25 V | |||||||||||||||
 | VS-C5PW6006LHN3 | 5.0000 | | 1 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101, Fred Pt® Gen 5 | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-247-3 | Padrão | TO-247AD | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 112-VS-C5PW6006LHN3 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 600 v | 30a | 2,5 V @ 30 A | 39 ns | 20 µA A 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | |||||||||||||||
 | VS-E5PW3006LHN3 | 3.6200 | | 355 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101, Fred Pt® Gen 5 | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-247-2 | Padrão | TO-247AD | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 112-VS-E5PW3006LHN3 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 2,5 V @ 30 A | 39 ns | 20 µA A 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 30a | - | |||||||||||||||
 | VS-S1844 | - | | 7626 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Obsoleto | - | 112-VS-S1844 | Obsoleto | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||
| VS-73-4790 | - | | 7282 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Obsoleto | - | 112-VS-73-4790 | Obsoleto | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||
| VS-S741A | - | | 2481 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Obsoleto | - | 112-VS-S741A | Obsoleto | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||
| Vs-vshps1474 | - | | 5708 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Obsoleto | - | 112-VS-VSHPS1474 | Obsoleto | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||
| VS-G491UR | - | | 1415 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Obsoleto | - | 112-VS-G491UR | Obsoleto | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||
| VS-S671C | - | | 1723 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Obsoleto | - | 112-VS-S671C | Obsoleto | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||
| VS-G489UR | - | | 3121 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Obsoleto | - | 112-VS-G489UR | Obsoleto | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||
| VS-VSHPS1475 | - | | 8133 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Obsoleto | - | 112-VS-VSHPS1475 | Obsoleto | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||
| VS-S1277 | - | | 8950 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Obsoleto | - | 112-VS-S1277 | Obsoleto | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||
| VS-S1352 | - | | 1716 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Obsoleto | - | 112-VS-S1352 | Obsoleto | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||
| Vs-s669b | - | | 2901 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Obsoleto | - | 112-VS-S669B | Obsoleto | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||
| VS-S1274 | - | | 8467 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Obsoleto | - | 112-VS-S1274 | Obsoleto | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||
| VS-73-4715 | - | | 9472 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Obsoleto | - | 112-VS-73-4715 | Obsoleto | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||
| VS-S1845 | - | | 2391 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Obsoleto | - | 112-VS-S1845 | Obsoleto | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||
| VS-73-5265A | - | | 1625 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Obsoleto | - | 112-VS-73-5265A | Obsoleto | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||
| VS-S1317 | - | | 6948 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Obsoleto | - | 112-VS-S1317 | Obsoleto | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | S4pghm3_b/i | - | | 2430 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotive, AEC-Q101, ESMP® | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-277, 3-POWERDFN | S4pg | Padrão | TO-277A (SMPC) | download | 112-S4PGHM3_B/ITR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,1 V @ 4 A | 2,5 µs | 10 µA A 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 4a | 30pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||
| S4pkhm3_b/h | - | | 3590 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotive, AEC-Q101, ESMP® | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-277, 3-POWERDFN | S4PK | Padrão | TO-277A (SMPC) | download | 112-S4PKHM3_B/HTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 800 v | 1,1 V @ 4 A | 2,5 µs | 10 µA a 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 4a | 30pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||
| S4pjhm3_b/h | - | | 8697 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotive, AEC-Q101, ESMP® | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-277, 3-POWERDFN | S4pj | Padrão | TO-277A (SMPC) | download | 112-S4PJHM3_B/HTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,1 V @ 4 A | 2,5 µs | 10 µA A 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 4a | 30pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||
| S4pmhm3_b/i | - | | 3539 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotive, AEC-Q101, ESMP® | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-277, 3-POWERDFN | S4pm | Padrão | TO-277A (SMPC) | download | 112-s4pmhm3_b/itr | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1000 v | 1,1 V @ 4 A | 2,5 µs | 10 µA A 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 4a | 30pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||
| S4pmhm3_b/h | - | | 5482 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotive, AEC-Q101, ESMP® | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-277, 3-POWERDFN | S4pm | Padrão | TO-277A (SMPC) | download | 112-s4pmhm3_b/htr | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1000 v | 1,1 V @ 4 A | 2,5 µs | 10 µA A 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 4a | 30pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||
| S4pbhm3_b/h | - | | 3493 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotive, AEC-Q101, ESMP® | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-277, 3-POWERDFN | S4PB | Padrão | TO-277A (SMPC) | download | 112-S4PBHM3_B/HTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 1,1 V @ 4 A | 2,5 µs | 10 µA A 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 4a | 30pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||
 | VS-3EAH02-M3/i | 0,4200 | | 14 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Fred Pt® | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem NA Superfície, Flanco Molhado | 2-VDFN | VS-3EAH02 | Padrão | DFN3820A | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 14.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 960 mV @ 3 a | 25 ns | 2 µA a 200 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 3a | - | ||||||||||||||||
| VS-2EAH02-M3/i | 0,5300 | | 14 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Fred Pt® | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem NA Superfície, Flanco Molhado | 2-VDFN | VS-2EAH02 | Padrão | DFN3820A | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 14.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 950 mV @ 2 a | 25 ns | 2 µA a 200 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 2a | - | ||||||||||||||||
| VS-5EAH02HM3/H. | 0,5800 | | 300 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotive, AEC-Q101, Fred Pt® | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem NA Superfície, Flanco Molhado | 2-VDFN | VS-5EAH02 | Padrão | DFN3820A | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 970 mV @ 5 A | 25 ns | 4 µA A 200 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 5a | - | ||||||||||||||||
| Vs-3eah02hm3/i | 0,4200 | | 14 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotive, AEC-Q101, Fred Pt® | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem NA Superfície, Flanco Molhado | 2-VDFN | VS-3EAH02 | Padrão | DFN3820A | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 14.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 960 mV @ 3 a | 25 ns | 2 µA a 200 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 3a | - | ||||||||||||||||
| Vs-5eah02hm3/i | 0,5800 | | 4150 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotive, AEC-Q101, Fred Pt® | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem NA Superfície, Flanco Molhado | 2-VDFN | VS-5EAH02 | Padrão | DFN3820A | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 14.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 970 mV @ 5 A | 25 ns | 4 µA A 200 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 5a | - |
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