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Produtos semicondutores discretos (31214)

Número do Produto	Preço (USD)	Quantidade	Quantidade Dispon Svel	Mfr	Série	Pacote	Status do produto	Tolerânia	Temperatura operacional	Tipo de Montagem	Pacote / Caso	Número do Produto Base	Tecnologia	Poder - Máx	Pacote de Dispositivo de Fornecedor	Ficha de Dadas	Status do rohs	Nível de sensibilidade à Umidade (msl)	Status de alcance	Nomes de Ulros	ECCN	Htsus	PACOTE PADROO	Configuraça	Velocidade	ATUAL - Hold (ih) (Máx)	Tensão - Estado Off - Off	ATUAL - SEM ESTADO (IT (RMS)) (Max)	Tensão - Gatilho de Porta (VGT) (MAX)	Corrente - Não Rep. Surge 50, 60Hz (ITSM)	Corrente - Gatilho de Portão (IGT) (max)	Tensão - No Estado (VTM) (Max)	ATUAL - SEM ESTADO (IT (AV)) (MAX)	ATUAL - Off State (Max)	TIPO SCR	Configuraça do Diodo	Tensão - DC Reversa (VR) (Max)	Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo)	Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se	Tempo de RecuperAção Reversa (TRR)	ATUAL - Vazamento Reverso @ VR	Temperatura operacional - Junção	Corrente - Retificada Média (IO)	CapacitânCia @ VR, F	Tensão - Zener (NOM) (VZ)	Impedioso (máx) (ZZT)
HFA32PA120C	-	RFQ	1854	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	Hexfred®	Tubo	Obsoleto			Através do buraco	To-247-3	HFA32	Padrão		TO-247AC	download	Rohs Não Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0080	500		RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)											1 par cátodo comum	1200 v	16a (DC)	3 V @ 16 A	135 ns	20 µA A 1200 V	-55 ° C ~ 150 ° C.
VS-8EWS10S-M3	0,4950	RFQ	1072	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	-	Tubo	Ativo			Montagem na Superfície	TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63	8ews10	Padrão		D-Pak (TO-252AA)	-	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0080	3.000		RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io)												1000 v		1,1 V @ 8 A		50 µA A 1000 V	-55 ° C ~ 150 ° C.	8a	-
SE40PJ-M3/86A	0,2228	RFQ	8518	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Ativo			Montagem na Superfície	TO-277, 3-POWERDFN	SE40	Padrão		TO-277A (SMPC)	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0080	1.500		RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io)												600 v		920 mV @ 2 a	2,2 µs	10 µA A 600 V	-55 ° C ~ 175 ° C.	2.4a	28pf @ 4V, 1MHz
GP10YHM3/54	-	RFQ	7989	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	Automotivo, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			Através do buraco	Do-204al, DO-41, axial	Gp10	Padrão		DO-204AL (DO-41)	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0080	5.500		RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io)												1600 v		1,1 V @ 1 A	3 µs	5 µA A 1600 V	-65 ° C ~ 150 ° C.	1a	5pf @ 4V, 1MHz
TZM5244F-GS18	-	RFQ	8363	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	Automotivo, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-	175 ° C.	Montagem na Superfície	DO-213AC, Mini-Me-SED, SOD-80	TZM5244		500 MW	SOD-80 MINIMELL	-	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)			Ear99	8541.10.0050	10.000																1,1 V @ 200 mA		100 Na @ 10 V				14 v	600 ohms
BZX584C12-VG-08	-	RFQ	2345	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	BZX584C-VG	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C.	Montagem na Superfície	SC-79, SOD-523	BZX584C		200 MW	SOD-523	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0050	3.000																		100 Na @ 8 V				12 v	25 ohms
VSKC270-12	-	RFQ	8678	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	-	Volume	Obsoleto			Montagem do chassi	3-MAGN-A-PAK ™	Vskc270	Padrão		Magn-a-Pak®	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0080	2		RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io)											1 par cátodo comum	1200 v	270a			50 mA A 1200 V
MMSZ5227C-HE3-18	0,0441	RFQ	8368	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	Automotivo, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Última Vez compra	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C.	Montagem na Superfície	SOD-123	MMSZ5227		500 MW	SOD-123	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0050	10.000																		15 µA A 1 V				3,6 v	24 ohms
RGP10M-E3/53	-	RFQ	6744	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	Superectifier®	Fita E CAIXA (TB)	Ativo			Através do buraco	Do-204al, DO-41, axial	RGP10	Padrão		DO-204AL (DO-41)	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0080	3.000		RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)												1000 v		1,3 V @ 1 a	150 ns	5 µA A 1000 V	-65 ° C ~ 175 ° C.	1a	15pf @ 4V, 1MHz
AS1PJ-M3/84A	0,6500	RFQ	2	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	ESMP®	Tape & Reel (TR)	Ativo			Montagem na Superfície	DO-220AA	AS1	Avalanche		DO-220AA (SMP)	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0080	3.000		RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io)												600 v		1,15 V @ 1,5 A	1,5 µs	5 µA A 600 V	-55 ° C ~ 175 ° C.	1.5a	10.4pf @ 4V, 1MHz
BZD27B5V1P-M3-18	0.1155	RFQ	1662	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	BZD27B-M	Tape & Reel (TR)	Ativo	-	-65 ° C ~ 175 ° C.	Montagem na Superfície	DO-219AB	BZD27B5V1		800 MW	DO-219AB (SMF)	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0050	50.000																1,2 V @ 200 mA		5 µA @ 1 V				5.1 v	6 ohms
BZT03C24-TAP	0,6400	RFQ	1	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	BZT03	Fita de Corte (CT)	Ativo	± 5,83%	175 ° C (TJ)	Através do buraco	Sod-57, axial	BZT03C24		1.3 w	SOD-57	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0080	5.000																1,2 V @ 500 mA		1 µA a 18 V				24 v	15 ohms
V60100PW-E3	-	RFQ	5464	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	-	Tubo	Ativo			Através do buraco	Pacote completo para 3p-3	V60100	Schottky		TO-3PW	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0070	30		RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)											1 par cátodo comum	100 v	30a	860 mV @ 30 A		1 ma @ 100 V	-40 ° C ~ 150 ° C.
VS-6F120	8.2100	RFQ	2429	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	-	Volume	Ativo			Chassi, montagem em pântano	DO-203AA, DO-4, Stud	6F120	Padrão		Do-203aa (DO-4)	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0080	100		RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io)												1200 v		1,1 V @ 19 A		12 mA a 1200 V	-65 ° C ~ 175 ° C.	6a	-
Vx60m60chm3/p	1.2606	RFQ	5214	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	Automotivo, AEC-Q101	Tubo	Ativo			Através do buraco	To-220-3	Vx60m	Schottky		TO-220AB	download	ROHS3 Compatível		Alcançar Não Afetado	112-VX60M60CHM3/P.	Ear99	8541.10.0080	50		RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)											1 par cátodo comum	60 v	30a	660 mV @ 30 A		600 µA A 60 V	-40 ° C ~ 175 ° C.
V15k150c-m3/i	0,4320	RFQ	6213	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	Automotivo, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Ativo			Montagem na Superfície	8-PowerTdfn		Schottky		Flatpak (5x6)	download	ROHS3 Compatível		Alcançar Não Afetado	112-V15K150C-M3/ITR	Ear99	8541.10.0080	6.000		RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)											1 par cátodo comum	150 v	3.2a	1,08 V @ 7,5 A		300 µA @ 150 V	-40 ° C ~ 150 ° C.
VS-ST110S16P1	134.0776	RFQ	3691	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	-	Volume	Ativo		-40 ° C ~ 125 ° C.	Chassi, montagem em pântano	TO-209AC, parágrafo 94-4, Stud	ST110			TO-209AC (TO-94)	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado	VSST110S16P1	Ear99	8541.30.0080	25			600 mA	1,6 kV	175 a	3 v	2700A, 2830A	150 MA	1,52 v	110 a	20 MA	RecuperAção Padrão
V15k60c-m3/i	0,4519	RFQ	2031	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	Automotivo, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Ativo			Montagem na Superfície	8-PowerTdfn		Schottky		Flatpak (5x6)	download			Alcançar Não Afetado	112-V15K60C-M3/ITR	Ear99	8541.10.0080	6.000		RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)											1 par cátodo comum	60 v	5a	590 mV @ 7.5 A		1,1 mA a 60 V	-40 ° C ~ 150 ° C.
TLZ7V5-GS08	0,0335	RFQ	1753	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	Tlz	Tape & Reel (TR)	Ativo	-	-65 ° C ~ 175 ° C.	Montagem na Superfície	DO-213AC, Mini-Me-SED, SOD-80	Tlz7v5		500 MW	SOD-80 MINIMELL	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0050	12.500																1,5 V @ 200 mA						7,5 v	8 ohms
DZ23C3V9-G3-18	0,0483	RFQ	1506	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	Dz23-g	Tape & Reel (TR)	Ativo	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C.	Montagem na Superfície	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Dz23		300 MW	SOT-23-3	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0050	10.000	1 par cátodo comum																					3,9 v	95 ohms
MBRB3035CT-E3/81	-	RFQ	8974	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			Montagem na Superfície	TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab	MBRB30	Schottky		TO-263AB (D²PAK)	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0080	800		RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)											1 par cátodo comum	35 v	15a	600 mV @ 20 A		1 ma @ 35 V	-65 ° C ~ 150 ° C.
VS-3C16ET07T-M3	7.1100	RFQ	3	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	-	Tubo	Ativo			Através do buraco	To-220-2		Sic (carboneto de Silíc) Schottky		TO-220AC	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)		112-VS-3C16ET07T-M3	Ear99	8541.10.0080	50		SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO)												650 v		1,5 V @ 16 a	0 ns	85 µA A 650 V	-55 ° C ~ 175 ° C.	16a	700pf @ 1V, 1MHz
M3060C-E3/4W	-	RFQ	7111	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	-	Tubo	Obsoleto			Através do buraco	To-220-3	M3060	Schottky		To-220-3	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0080	1.000		RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)											1 par cátodo comum	60 v	15a	720 mV @ 15 a		350 µA A 60 V	-65 ° C ~ 150 ° C.
Rs1pdhm3_a/h	0.1002	RFQ	2242	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	Automotive, AEC-Q101, ESMP®	Tape & Reel (TR)	Ativo			Montagem na Superfície	DO-220AA	Rs1p	Padrão		DO-220AA (SMP)	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0080	3.000		RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)												200 v		1,3 V @ 1 a	150 ns	1 µA A 200 V	-55 ° C ~ 150 ° C.	1a	9pf @ 4V, 1MHz
BYX85TAP	0,2772	RFQ	2740	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	-	Fita E CAIXA (TB)	Ativo			Através do buraco	Sod-57, axial	BYX85	Avalanche		SOD-57	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0080	25.000		RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io)												800 v		1 V @ 1 A	4 µs	1 µA A 800 V	-55 ° C ~ 175 ° C.	2a	20pf @ 4V, 1MHz
Ugb8jcthe3/81	-	RFQ	2295	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	Automotivo, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			Montagem na Superfície	TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab	UGB8	Padrão		TO-263AB (D²PAK)	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0080	800		RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)											1 par cátodo comum	600 v	4a	1,75 V @ 4 a	50 ns	30 µA A 600 V	-55 ° C ~ 150 ° C.
VIT3045C-M3/4W	1.1081	RFQ	6552	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	Automotive, AEC-Q101, TMBS®	Tubo	Ativo			Através do buraco	TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA	Vit3045	Schottky		TO-262AA	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0080	1.000		RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)											1 par cátodo comum	45 v	15a	570 mV @ 15 A		2 mA a 45 V	-40 ° C ~ 150 ° C.
SF5401-TAP	0,5445	RFQ	8368	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	-	Fita E CAIXA (TB)	Ativo			Através do buraco	Sod-64, axial	SF5401	Padrão		SOD-64	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0080	12.500		RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)												100 v		1,1 V @ 1 A	50 ns	5 µA A 100 V	-55 ° C ~ 175 ° C.	3a	-
BZX384B7V5-HE3-18	0,0378	RFQ	7654	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	Automotive, AEC-Q101, BZX384	Tape & Reel (TR)	Ativo	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C.	Montagem na Superfície	SC-76, SOD-323	BZX384B7V5		200 MW	SOD-323	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0050	10.000																		1 µA a 1 V				7,5 v	15 ohms
Nsf8dthe3_b/p	-	RFQ	5295	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	Automotivo, AEC-Q101	Tubo	Obsoleto			Através do buraco	Pacote completo parágrafo 220-2, Guia Isolada	NSF8	Padrão		ITO-220AC	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0080	1.000		RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io)												200 v		1,1 V @ 8 A		10 µA A 200 V	-55 ° C ~ 150 ° C.	8a	55pf @ 4V, 1MHz