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Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tolerânia | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Poder - Máx | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Velocidade | ATUAL - Hold (ih) (Máx) | Tensão - Estado Off - Off | ATUAL - SEM ESTADO (IT (RMS)) (Max) | Tensão - Gatilho de Porta (VGT) (MAX) | Corrente - Não Rep. Surge 50, 60Hz (ITSM) | Corrente - Gatilho de Portão (IGT) (max) | Tensão - No Estado (VTM) (Max) | ATUAL - SEM ESTADO (IT (AV)) (MAX) | ATUAL - Off State (Max) | TIPO SCR | Configuraça do Diodo | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção | Corrente - Retificada Média (IO) | CapacitânCia @ VR, F | Tensão - Zener (NOM) (VZ) | Impedioso (máx) (ZZT) |
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![]() | US1G-E3/61T | 0,3800 | ![]() | 19 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | US1 | Padrão | DO-214AC (SMA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1 V @ 1 A | 50 ns | 10 µA A 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 15pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||
![]() | Ss1fh6hm3/h | 0,3700 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-219AB | SS1FH6 | Schottky | DO-219AB (SMF) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 60 v | 700 mv @ 1 a | 3 µA A 60 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 90pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||
![]() | SD103BWS-HE3-08 | 0,0606 | ![]() | 3998 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SC-76, SOD-323 | SD103 | Schottky | SOD-323 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 15.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 30 v | 600 mV a 200 mA | 10 ns | 5 µA a 20 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 350mA | 50pf @ 0V, 1MHz | |||||||||||||||||||
MMBZ5231C-E3-18 | - | ![]() | 7259 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBZ5231 | 225 MW | SOT-23-3 | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 5 µA @ 2 V | 5.1 v | 17 ohms | |||||||||||||||||||||||
![]() | BZD27C6V2P-E3-08 | 0,5300 | ![]() | 13 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | BZD27C | Tape & Reel (TR) | Ativo | - | -65 ° C ~ 175 ° C. | Montagem na Superfície | DO-219AB | BZD27C6V2 | 800 MW | DO-219AB (SMF) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V @ 200 mA | 5 µA @ 2 V | 6.2 v | 3 ohms | |||||||||||||||||||||
![]() | UF4003-M3/73 | - | ![]() | 4914 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Fita E CAIXA (TB) | Ativo | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | UF4003 | Padrão | DO-204AL (DO-41) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1 V @ 1 A | 50 ns | 10 µA A 200 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | 1a | 17pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||
![]() | MBR2090CT-1 | - | ![]() | 2084 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | TMBS® | Tubo | Obsoleto | Através do buraco | TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA | MBR20 | Schottky | TO-262-3 | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | *MBR2090CT-1 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 90 v | 10a | 800 mv @ 10 a | 100 µA A 90 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||||||||||
![]() | V15km60chm3/i | 0,4683 | ![]() | 7311 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | 8-PowerTdfn | Schottky | Flatpak (5x6) | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 112-V15KM60CHM3/ITR | Ear99 | 8541.10.0080 | 6.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 60 v | 5.1a | 630 mV @ 7.5 A | 900 µA A 60 V | -40 ° C ~ 175 ° C. | |||||||||||||||||||||
![]() | MMSZ5232B-HE3-08 | 0,2800 | ![]() | 6 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Última Vez compra | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | SOD-123 | MMSZ5232 | 500 MW | SOD-123 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 5 µA @ 3 V | 5,6 v | 11 ohms | ||||||||||||||||||||||
![]() | FGP10D-E3/54 | - | ![]() | 2415 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Superectifier® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | FGP10 | Padrão | DO-204AL (DO-41) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 950 mV @ 1 a | 35 ns | 2 µA a 200 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 25pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||
![]() | BYVB32-200HE3_A/P. | 0,9405 | ![]() | 5879 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Ativo | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | BYVB32 | Padrão | TO-263AB (D²PAK) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 200 v | 18a | 1,15 V @ 20 A | 25 ns | 10 µA A 200 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||||||||||
![]() | Smzj3792b-e3/5b | 0.1546 | ![]() | 1157 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | DO-214AA, SMB | SMZJ3792 | 1,5 w | DO-214AA (SMBJ) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.200 | 5 µA A 9,9 V | 13 v | 7,5 ohms | ||||||||||||||||||||||
![]() | VFT5200-E3/4W | 0,3873 | ![]() | 4723 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-220-3 | VFT5200 | Schottky | To-220-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1,6 V @ 5 A | 150 µA @ 200 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 5a | - | ||||||||||||||||||||
![]() | TZX14C-TAP | 0,2300 | ![]() | 29 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotive, AEC-Q101, TZX | Fita de Corte (CT) | Ativo | - | -65 ° C ~ 175 ° C. | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | TZX14 | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,5 V @ 200 mA | 1 µA A 11 V | 14 v | 35 ohms | |||||||||||||||||||||
![]() | VS-SD1500C08L | 140.1400 | ![]() | 1558 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Ativo | Prenda | Do-200ab, B-Puk | SD1500 | Padrão | Do-200ab, B-Puk | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 800 v | 1,64 V @ 3000 A | 50 mA a 800 V | 1600A | - | |||||||||||||||||||||
![]() | MBRF15H60CT-E3/45 | - | ![]() | 1318 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | Através do buraco | Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada | MBRF15 | Schottky | ITO-220AB | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 60 v | 7.5a | 730 mV @ 7.5 A | 50 µA A 60 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | ||||||||||||||||||||
![]() | TZQ5258B-GS08 | 0.0303 | ![]() | 3091 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Montagem na Superfície | Variante SOD-80 | TZQ5258 | 500 MW | Sod-80 Quadromell | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 12.500 | 1,5 V @ 200 mA | 100 Na @ 27 V | 36 v | 70 ohms | |||||||||||||||||||||
![]() | VS-SD300C04C | 48.0967 | ![]() | 1111 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Ativo | Prenda | Do-200aa, a-puk | SD300 | Padrão | Do-200aa, a-puk | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 12 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 2.08 V @ 1500 A | 15 mA a 400 V | 650A | - | |||||||||||||||||||||
MMBZ5245C-G3-18 | - | ![]() | 8980 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBZ5245 | 225 MW | SOT-23-3 | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 100 Na @ 11 V | 15 v | 16 ohms | |||||||||||||||||||||||
![]() | V8pm63hm3/i | 0,2673 | ![]() | 4303 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-277, 3-POWERDFN | Schottky | TO-277A (SMPC) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 112-V8pm63hm3/itr | Ear99 | 8541.10.0080 | 6.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 60 v | 640 mV @ 8 a | 20 µA A 60 V | -40 ° C ~ 175 ° C. | 4.3a | 1460pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||
![]() | Smzj3792bhe3/52 | - | ![]() | 3271 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | DO-214AA, SMB | Smzj37 | 1,5 w | DO-214AA (SMBJ) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 750 | 5 µA A 9,9 V | 13 v | 7,5 ohms | ||||||||||||||||||||||
![]() | BZT52B24-E3-18 | 0,0415 | ![]() | 2840 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | BZT52 | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | SOD-123 | BZT52B24 | 410 MW | SOD-123 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 100 Na @ 18 V | 24 v | 70 ohms | ||||||||||||||||||||||
![]() | BZX384B75-E3-18 | 0,0360 | ![]() | 5653 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | BZX384 | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | SC-76, SOD-323 | BZX384B75 | 200 MW | SOD-323 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 50 Na @ 52,5 V | 75 v | 255 ohms | ||||||||||||||||||||||
![]() | VS-30ETH06-N-S1 | - | ![]() | 3297 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | 30eth06 | - | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | VS-ST083S08MFM1P | 129.3836 | ![]() | 2618 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Última Vez compra | -40 ° C ~ 125 ° C. | Chassi, montagem em pântano | TO-209AC, parágrafo 94-4, Stud | ST083 | TO-209AC (TO-94) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | VSST083S08MFM1P | Ear99 | 8541.30.0080 | 25 | 600 mA | 800 v | 135 a | 3 v | 2060A, 2160A | 200 MA | 2.15 v | 85 a | 30 mA | RecuperAção Padrão | ||||||||||||||||
![]() | BZX55B3V0-TAP | 0,2200 | ![]() | 29 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotive, AEC-Q101, BZX55 | Fita de Corte (CT) | Ativo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | BZX55B3V0 | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,5 V @ 200 mA | 4 µA A 1 V | 3 v | 85 ohms | |||||||||||||||||||||
![]() | VS-ST303C10LFJ0 | 216.4733 | ![]() | 8107 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Última Vez compra | -40 ° C ~ 125 ° C. | Montagem do chassi | TO-200B, E-PUK | ST303 | TO-200AB (E-PUK) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.30.0080 | 3 | 600 mA | 1 kv | 995 a | 3 v | 7950A, 8320A | 200 MA | 2.16 v | 515 a | 50 MA | RecuperAção Padrão | |||||||||||||||||
20ETF04 | - | ![]() | 4491 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | Através do buraco | To-220-2 | 20ETF04 | Padrão | TO-220AC | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,3 V @ 20 A | 160 ns | 100 µA A 400 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 20a | - | ||||||||||||||||||||
![]() | BYX86TAP | 0,6900 | ![]() | 731 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Fita de Corte (CT) | Ativo | Através do buraco | Sod-57, axial | BYX86 | Avalanche | SOD-57 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1000 v | 1 V @ 1 A | 4 µs | 1 µA A 1000 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 2a | 20pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||
![]() | TZMC7V5-M-08 | 0,0324 | ![]() | 7934 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101, TZM-M | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Montagem na Superfície | DO-213AC, Mini-Me-SED, SOD-80 | TZMC7V5 | 500 MW | SOD-80 MINIMELL | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 12.500 | 1,5 V @ 200 mA | 100 Na @ 5 V | 7,5 v | 7 ohms |
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