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| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tolerânia | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | TIPO | Número do Produto Base | Tecnologia | Poder - Máx | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Configuraça | Velocidade | ATUAL | Tensão | Tensão - Isolamento | Configuraça do Diodo | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção | Corrente - Retificada Média (IO) | CapacitânCia @ VR, F | Tensão - Zener (NOM) (VZ) | Impedioso (máx) (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | BY229B-200HE3/81 | - |  | 1544 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | BY229 | Padrão | TO-263AB (D²PAK) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1,85 V @ 20 A | 145 ns | 10 µA A 200 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 8a | - | ||||||||||||||
 | EGF1D-E3/67A | 0,6600 | | 2 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Superectifier® | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214BA | EGF1 | Padrão | DO-214BA (GF1) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1 V @ 1 A | 50 ns | 5 µA A 200 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 15pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||
 | BZM55C39-TR | 0,2800 | | 3779 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101, BZM55 | Tape & Reel (TR) | Ativo | - | -65 ° C ~ 175 ° C. | Montagem na Superfície | 2-SMD, sem chumbo | BZM55C39 | 500 MW | Micromell | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1,5 V @ 200 mA | 100 Na @ 30 V | 39 v | 500 ohms | ||||||||||||||||
 | BZT03D68-TR | - | | 1151 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | BZT03 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 5,88% | 175 ° C (TJ) | Através do buraco | Sod-57, axial | BZT03 | 1.3 w | SOD-57 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 25.000 | 1,2 V @ 500 mA | 1 µA @ 51 V | 68 v | 80 ohms | ||||||||||||||||
 | VS-MBR2045CT-1-M3 | 0,7724 | | 1345 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA | MBR2045 | Schottky | TO-262AA | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 45 v | 10a | 840 mV @ 10 A | 100 µA A 45 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||||||
 | ZMY30-GS08 | 0,4200 | | 2 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | 175 ° C. | Montagem na Superfície | Do-213ab, Mell (Vidro) | ZMY30 | 1 w | DO-213AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 500 Na @ 22,5 V | 30 v | 20 ohms | |||||||||||||||||
 | Irkj71/14a | - | | 6213 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Obsoleto | Montagem do chassi | Add-a-pak (3) | Irkj71 | Padrão | Add-a-Pak® | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1 par ânodo comum | 1400 v | 80a | 10 mA A 1400 V | |||||||||||||||||
 | BZX884B6V8L-G3-08 | 0,3200 | | 9 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | BZX884L | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 0402 (1006 Mética) | 300 MW | DFN1006-2A | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 900 mV a 10 mA | 2 µA A 4 V | 6,8 v | 15 ohms | ||||||||||||||||||
 | BYM07-300-E3/83 | 0,1513 | | 2212 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Superectifier® | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-213AA (Vidro) | BYM07 | Padrão | DO-213AA (GL34) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 9.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 300 v | 1,35 V @ 500 mA | 50 ns | 5 µA A 300 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 500mA | 7pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||
| VS-8TQ100S-M3 | 1.4400 | | 6 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tubo | Ativo | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | 8TQ100 | Schottky | TO-263AB (D²PAK) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 720 mv @ 8 a | 550 µA A 80 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 8a | 500pf @ 5V, 1MHz | |||||||||||||||
| BZM55C15-TR3 | 0,2800 | | 8312 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101, BZM55 | Tape & Reel (TR) | Ativo | - | -65 ° C ~ 175 ° C. | Montagem na Superfície | 2-SMD, sem chumbo | BZM55C15 | 500 MW | Micromell | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,5 V @ 200 mA | 100 Na @ 11 V | 15 v | 110 ohms | ||||||||||||||||
 | SB140A-E3/73 | - | | 6472 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Fita E CAIXA (TB) | Obsoleto | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | SB140 | Schottky | DO-204AL (DO-41) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 40 v | 480 mV @ 1 a | 500 µA A 40 V | -65 ° C ~ 125 ° C. | 1a | - | |||||||||||||||
 | MMBZ4617-E3-18 | - | | 9809 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBZ4617 | 350 MW | SOT-23-3 | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 2 µA @ 1 V | 2,4 v | 1400 ohms | |||||||||||||||||
 | 60HQ100 | - | | 2522 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Obsoleto | Chassi, montagem em pântano | DO-203AB, DO-5, Stud | 60HQ100 | Schottky | DO-203AB (DO-5) | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 890 mV @ 60 A | 1,5 mA a 100 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 60a | 1400pf @ 5V, 1MHz | |||||||||||||||
| 1N5395-E3/73 | - | | 8713 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Fita de Corte (CT) | Ativo | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 1N5395 | Padrão | DO-204AL (DO-41) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,4 V @ 1,5 A | 2 µs | 5 µA A 400 V | -50 ° C ~ 150 ° C. | 1.5a | 15pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||
 | PLZ3V0B-G3/H. | 0,2800 | | 12 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Plz | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 3,37% | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DO-219AC | Plz3v0 | 960 MW | DO-219AC (Microsmf) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 4.500 | 900 mV a 10 mA | 20 µA @ 1 V | 3.12 v | 80 ohms | ||||||||||||||||
 | MMSZ5231B-G3-08 | 0,3100 | | 2 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | SOD-123 | MMSZ5231 | 500 MW | SOD-123 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 5 µA @ 2 V | 5.1 v | 17 ohms | |||||||||||||||||
| MMBZ5247B-E3-18 | - | | 6799 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBZ5247 | 225 MW | SOT-23-3 | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 100 Na @ 13 V | 17 v | 19 ohms | |||||||||||||||||
| EMP15P12D | - | | 6456 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Obsoleto | Montagem do chassi | Módulo de Potênia | IGBT | Emp15 | - | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Obsoleto | 0000.00.0000 | 6 | 3 fase | 30 a | 1,2 kV | 2500VDC | ||||||||||||||||||||
| Plz22a-hg3_a/h | 0,3600 | | 20 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotive, AEC-Q101, PLZ | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 3% | 150 ° C. | Montagem na Superfície | DO-219AC | Plz22 | 500 MW | DO-219AC (Microsmf) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 4.500 | 900 mV a 10 mA | 200 Na @ 17 V | 22 v | 30 ohms | ||||||||||||||||
| VS-32CTQ025-1-M3 | 0,8966 | | 2916 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA | 32CTQ025 | Schottky | TO-262AA | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 25 v | 15a | 490 mV @ 15 A | 1,75 mA a 25 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||||||
| BZX84B3V3-HE3_A-08 | 0,0498 | | 4493 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotive, AEC-Q101, BZX84 | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 300 MW | SOT-23-3 | download | 112-BZX84B3V3-HE3_A-08TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 15.000 | 5 µA @ 1 V | 3,3 v | 95 ohms | ||||||||||||||||||||
| BZX884B24L-HG3-08 | 0,3600 | | 8 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotive, AEC-Q101, BZX884L | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 0402 (1006 Mética) | BZX884 | 300 MW | DFN1006-2A | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 900 mV a 10 mA | 50 Na @ 16,8 V | 24 v | 70 ohms | |||||||||||||||||
| BZX84C4V3-G3-08 | 0,0353 | | 9003 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | BZX84-G | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BZX84C4V3 | 300 MW | SOT-23-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 15.000 | 3 µA @ 1 V | 4.3 v | 90 ohms | |||||||||||||||||
| MMBZ5231B-G3-18 | - | | 7035 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBZ5231 | 225 MW | SOT-23-3 | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 5 µA @ 2 V | 5.1 v | 17 ohms | |||||||||||||||||
 | 1N5417-TAP | 0,4950 | | 1847 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Fita E CAIXA (TB) | Ativo | Através do buraco | Sod-64, axial | 1N5417 | Avalanche | SOD-64 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 12.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1,5 V @ 9 A | 100 ns | 1 µA A 200 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 3a | - | ||||||||||||||
 | BZX384C5V6-G3-08 | 0,2900 | | 28 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | BZX384-G | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | SC-76, SOD-323 | BZX384C5V6 | 200 MW | SOD-323 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1 µA @ 2 V | 5,6 v | 40 ohms | |||||||||||||||||
 | BZG05B5V6-M3-08 | 0,1980 | | 6216 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | BZG05B-M | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 1,96% | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | BZG05B5V6 | 1,25 w | DO-214AC (SMA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 6.000 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA @ 2 V | 5,6 v | 7 ohms | ||||||||||||||||
| 10ets12s | - | | 8573 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | 10ets12 | Padrão | TO-263AB (D²PAK) | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | *10ets12s | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1200 v | 1,1 V @ 10 A | 50 µA A 1200 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 10a | - | ||||||||||||||
 | Vs-40eps16pbf | - | | 1874 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | Através do buraco | To-247-2 | 40EPS16 | Padrão | TO-247AC Modifado | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Vs40eps16pbf | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1600 v | 1,14 V @ 40 A | 100 µA A 1600 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 40A | - |
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