SIC
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Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Tolerânia Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tecnologia Poder - Máx Estrutura Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Configuraça Velocidade ATUAL - Hold (ih) (Máx) Tensão - Estado Off - Off ATUAL - SEM ESTADO (IT (RMS)) (Max) Tensão - Gatilho de Porta (VGT) (MAX) Corrente - Não Rep. Surge 50, 60Hz (ITSM) Corrente - Gatilho de Portão (IGT) (max) Tensão - No Estado (VTM) (Max) ATUAL - SEM ESTADO (IT (AV)) (MAX) ATUAL - Off State (Max) TIPO SCR Configuraça do Diodo Tensão - DC Reversa (VR) (Max) Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) ATUAL - Vazamento Reverso @ VR Temperatura operacional - Junção Corrente - Retificada Média (IO) CapacitânCia @ VR, F Número de SCRS, Diodos Tensão - Zener (NOM) (VZ) Impedioso (máx) (ZZT)
VS-VSKN41/10 Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vs-vskn41/10 39.0550
RFQ
ECAD 5471 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Volume Ativo -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Montagem do chassi Add-a-pak (3 + 4) Vskn41 CONEXÃO EM SÉRIE - SCR/DIODO download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado VSVSKN4110 Ear99 8541.30.0080 10 200 MA 1 kv 100 a 2,5 v 850A, 890A 150 MA 45 a 1 scr, 1 diodo
SMZJ3791BHE3_B/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division Smzj3791bhe3_b/i 0,1500
RFQ
ECAD 2872 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície DO-214AA, SMB SMZJ3791 1,5 w DO-214AA (SMB) download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 112-SMZJ3791BHE3_B/ITR Ear99 8541.10.0050 3.200 5 µA a 9,1 V 12 v 7 ohms
MBRB1045HE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRB1045HE3/45 -
RFQ
ECAD 4101 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Tubo Descontinuado no sic Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MBRB10 Schottky TO-263AB (D²PAK) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 45 v 840 mV @ 20 A 100 µA A 45 V -65 ° C ~ 150 ° C. 10a -
VLZ30C-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VLZ30C-GS18 -
RFQ
ECAD 2843 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Automotive, AEC-Q101, VLZ Tape & Reel (TR) Obsoleto - -65 ° C ~ 175 ° C. Montagem na Superfície Variante SOD-80 VLZ30 500 MW Sod-80 Quadromell download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 10.000 1,5 V @ 200 mA 40 µA A 26,9 V 29.09 v 55 ohms
UGB5JT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division UGB5JT-E3/45 -
RFQ
ECAD 4926 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Tubo Obsoleto Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab UGB5 Padrão TO-263AB (D²PAK) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 600 v 1,75 V @ 5 A 50 ns 30 µA A 600 V -55 ° C ~ 150 ° C. 5a -
VS-ST1200C16K3P Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-ST1200C16K3P 456.5050
RFQ
ECAD 2474 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Volume Ativo -40 ° C ~ 125 ° C. Montagem do chassi TO-200AC, K-PUK, A-24 ST1200 A-24 (K-Puk) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado VSST1200C16K3P Ear99 8541.30.0080 2 600 mA 1,6 kV 3080 a 3 v 25700A, 26900A 200 MA 1,73 v 1650 a 100 ma RecuperAção Padrão
RGP10M-7008E3/72 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RGP10M-7008E3/72 -
RFQ
ECAD 8882 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Superectifier® Fita E CAIXA (TB) Obsoleto Através do buraco Do-204al, DO-41, axial RGP10 Padrão DO-204AL (DO-41) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1000 v 1,3 V @ 1 a 500 ns 5 µA A 1000 V -65 ° C ~ 175 ° C. 1a 15pf @ 4V, 1MHz
BYX84TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYX84TR 0,2673
RFQ
ECAD 1532 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Tape & Reel (TR) Ativo Através do buraco Sod-57, axial BYX84 Avalanche SOD-57 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 25.000 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 600 v 1 V @ 1 A 4 µs 1 µA A 600 V -55 ° C ~ 175 ° C. 2a 20pf @ 4V, 1MHz
VLZ39E-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VLZ39E-GS08 -
RFQ
ECAD 8999 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Automotive, AEC-Q101, VLZ Tape & Reel (TR) Obsoleto - -65 ° C ~ 175 ° C. Montagem na Superfície Variante SOD-80 VLZ39 500 MW Sod-80 Quadromell download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 2.500 1,5 V @ 200 mA 40 µA a 35,5 V 38.33 v 85 ohms
BZT52C4V7-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT52C4V7-HE3-18 0,0378
RFQ
ECAD 8877 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Automotive, AEC-Q101, BZT52 Tape & Reel (TR) Última Vez compra ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C. Montagem na Superfície SOD-123 BZT52C4V7 410 MW SOD-123 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 10.000 4,7 v 78 ohms
TZQ5260B-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZQ5260B-GS08 0.0303
RFQ
ECAD 6054 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C. Montagem na Superfície Variante SOD-80 TZQ5260 500 MW Sod-80 Quadromell download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 12.500 1,5 V @ 200 mA 100 Na @ 33 V 43 v 93 ohms
BZX384C5V6-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX384C5V6-E3-08 0,2400
RFQ
ECAD 11 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos BZX384 Tape & Reel (TR) Ativo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C. Montagem na Superfície SC-76, SOD-323 BZX384C5V6 200 MW SOD-323 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 3.000 1 µA @ 2 V 5,6 v 40 ohms
1N5231B-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N5231B-TR 0,2300
RFQ
ECAD 61 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Tape & Reel (TR) Ativo ± 5% - Através do buraco Do-204ah, do-35, axial 1N5231 500 MW DO-35 (DO-204AH) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 10.000 1,1 V @ 200 mA 5 µA @ 2 V 5.1 v 17 ohms
VBT1045BP-E3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VBT1045BP-E3/4W 0,4290
RFQ
ECAD 6625 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos TMBS® Tubo Ativo Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab VBT1045 Schottky TO-263AB (D²PAK) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado VBT1045BPE34W Ear99 8541.10.0080 1.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 45 v 680 mV @ 10 a 500 µA @ 45 V 200 ° C (max) 10a -
M3045S-E3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division M3045S-E3/4W -
RFQ
ECAD 5319 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Tubo Obsoleto Através do buraco To-220-3 M3045 Schottky To-220-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 45 v 700 mV @ 30 A 200 µA @ 45 V -65 ° C ~ 150 ° C. 30a -
GP30GE-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GP30GE-E3/54 -
RFQ
ECAD 3649 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Superectifier® Tape & Reel (TR) Obsoleto Através do buraco Do-201D, axial GP30 Padrão Do-201d download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1.400 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 400 v 1,1 V @ 3 A 5 µs 5 µA A 400 V -65 ° C ~ 175 ° C. 3a -
ES1PBHE3/84A Vishay General Semiconductor - Diodes Division Es1pbhe3/84a -
RFQ
ECAD 5156 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos ESMP® Tape & Reel (TR) Obsoleto Montagem na Superfície DO-220AA ES1 Padrão DO-220AA (SMP) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 100 v 920 mV @ 1 a 25 ns 5 µA A 100 V -55 ° C ~ 150 ° C. 1a 10pf @ 4V, 1MHz
VS-88-6436 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-88-6436 -
RFQ
ECAD 9664 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Volume Última Vez compra 88-6436 - 112-VS-88-6436 1
S8PJ-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division S8pj-m3/i 0,2175
RFQ
ECAD 6536 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície TO-277, 3-POWERDFN S8pj Padrão TO-277A (SMPC) download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 112-S8PJ-M3/ITR 6.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 600 v 1,1 V @ 8 A 5 µs 5 µA A 600 V -55 ° C ~ 150 ° C. 2a 60pf @ 4V, 1MHz
20CTH03STRR Vishay General Semiconductor - Diodes Division 20CTH03STRR -
RFQ
ECAD 3307 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Fred Pt® Tape & Reel (TR) Obsoleto Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab 20CTH03 Padrão TO-263AB (D²PAK) download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 800 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 300 v 10a 1,25 V @ 10 A 35 ns 20 µA A 300 V -65 ° C ~ 175 ° C.
VBT4060C-E3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VBT4060C-E3/4W 1.2317
RFQ
ECAD 6906 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos TMBS® Tubo Ativo Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab VBT4060 Schottky TO-263AB (D²PAK) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 60 v 20a 620 mV @ 20 A 6 mA a 60 V -40 ° C ~ 150 ° C.
BYT51B-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYT51B-TAP 0,2475
RFQ
ECAD 2884 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Fita E CAIXA (TB) Ativo Através do buraco Sod-57, axial BYT51 Avalanche SOD-57 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 25.000 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 100 v 1,1 V @ 1 A 4 µs 1 µA A 100 V -55 ° C ~ 175 ° C. 1.5a -
MMBZ4704-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMBZ4704-G3-08 -
RFQ
ECAD 3112 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C. Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBZ4704 350 MW SOT-23-3 - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 15.000 50 Na @ 12,9 V 17 v
MMSZ4694-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ4694-HE3-18 0,0378
RFQ
ECAD 6753 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Última Vez compra ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C. Montagem na Superfície SOD-123 MMSZ4694 500 MW SOD-123 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 10.000 1 µA a 6,2 V 8.2 v
BYV26D-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYV26D-TR 0,6900
RFQ
ECAD 13 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Tape & Reel (TR) Ativo Através do buraco Sod-57, axial BYV26 Avalanche SOD-57 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 5.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 800 v 2,5 V @ 1 a 75 ns 5 µA A 800 V -55 ° C ~ 175 ° C. 1a -
AZ23B36-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division AZ23B36-E3-08 0,0509
RFQ
ECAD 7417 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos AZ23 Tape & Reel (TR) Ativo ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C. Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 AZ23B36 300 MW SOT-23-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 15.000 1 par ânodo comum 100 Na @ 27 V 36 v 90 ohms
VS-85HF80M Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-85HF80M 19.7286
RFQ
ECAD 5971 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Volume Ativo Chassi, montagem em pântano DO-203AB, DO-5, Stud 85HF80 Padrão DO-203AB (DO-5) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Vs85hf80m Ear99 8541.10.0080 100 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 400 v 1,2 V @ 267 A -65 ° C ~ 180 ° C. 85a -
BYG10D-E3/TR3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYG10D-E3/TR3 0,3900
RFQ
ECAD 7 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-214AC, SMA BYG10 Avalanche DO-214AC (SMA) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 7.500 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 200 v 1,15 V @ 1,5 A 4 µs 1 µA A 200 V -55 ° C ~ 150 ° C. 1.5a -
BZD17C7V5P-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZD17C7V5P-E3-18 0,1482
RFQ
ECAD 2322 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Tape & Reel (TR) Ativo - -55 ° C ~ 150 ° C. Montagem na Superfície DO-219AB BZD17C7V5 800 MW DO-219AB (SMF) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 50.000 1,2 V @ 200 mA 50 µA @ 3 V 7,5 v
BZT55B75-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT55B75-GS08 0,0433
RFQ
ECAD 5380 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Automotive, AEC-Q101, BZT55 Tape & Reel (TR) Ativo ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C. Montagem na Superfície Variante SOD-80 BZT55B75 500 MW Sod-80 Quadromell download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 12.500 1,5 V @ 200 mA 100 Na @ 56 V 75 v 250 ohms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume médio diário de RFQ

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unidade de produto padrão

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes em todo o mundo

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    15.000 m2

    Armazém em estoque