SIC
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Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Tolerânia Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tecnologia Poder - Máx Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Velocidade Configuraça do Diodo Tensão - DC Reversa (VR) (Max) Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) ATUAL - Vazamento Reverso @ VR Temperatura operacional - Junção Corrente - Retificada Média (IO) CapacitânCia @ VR, F Tensão - Zener (NOM) (VZ) Impedioso (máx) (ZZT)
SS3P3HM3/84A Vishay General Semiconductor - Diodes Division Ss3p3hm3/84a 0,3800
RFQ
ECAD 2 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Automotive, AEC-Q101, ESMP® Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-220AA Ss3p3 Schottky DO-220AA (SMP) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 30 v 580 mV @ 3 a 200 µA a 30 V -55 ° C ~ 150 ° C. 3a 130pf @ 4V, 1MHz
BYG21K-E3/TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYG21K-E3/TR 0,4100
RFQ
ECAD 18 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-214AC, SMA BYG21 Avalanche DO-214AC (SMA) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1.800 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 800 v 1,6 V @ 1,5 A 120 ns 1 µA A 800 V -55 ° C ~ 150 ° C. 1.5a -
VI20120S-M3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VI20120S-M3/4W 0,6072
RFQ
ECAD 8450 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Tubo Ativo Através do buraco TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA VI20120 Schottky TO-262AA download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 120 v 1,12 V @ 20 A 300 µA A 120 V -40 ° C ~ 150 ° C. 20a -
VS-301CNQ040PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-301CNQ040PBF 50.4860
RFQ
ECAD 5696 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Volume Ativo Montagem do chassi TO-244AB 301CNQ040 Schottky TO-244AB download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Vs301cnq040pbf Ear99 8541.10.0080 10 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 40 v 150a 900 mV @ 300 A 10 mA a 40 V 175 ° C (max)
BZD27C43P-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZD27C43P-HE3-08 0,1536
RFQ
ECAD 6840 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Automotivo, AEC-Q101, BZD27C Tape & Reel (TR) Ativo - -65 ° C ~ 175 ° C. Montagem na Superfície DO-219AB BZD27C43 800 MW DO-219AB (SMF) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 30.000 1,2 V @ 200 mA 1 µA @ 33 V 43 v 45 ohms
VB20M120C-E3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VB20M120C-E3/4W 0,7202
RFQ
ECAD 4777 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos TMBS® Tubo Ativo Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab VB20M120 Schottky TO-263AB (D²PAK) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 120 v 10a 910 mV @ 10 A 700 µA A 120 V -40 ° C ~ 150 ° C.
GI2402-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GI2402-E3/45 0,8186
RFQ
ECAD 9063 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Tubo Ativo Através do buraco To-220-3 GI2402 Padrão To-220-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 100 v 16a 975 mV @ 8 a 35 ns 50 µA A 100 V -65 ° C ~ 150 ° C.
MMSZ4691-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ4691-HE3-18 0,0378
RFQ
ECAD 8672 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Última Vez compra ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C. Montagem na Superfície SOD-123 MMSZ4691 500 MW SOD-123 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 10.000 10 µA a 5 V 6.2 v
SS26-E3/5BT Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS26-E3/5BT 0,4300
RFQ
ECAD 4 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-214AA, SMB SS26 Schottky DO-214AA (SMB) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 3.200 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 60 v 700 mv @ 2 a 400 µA A 60 V -65 ° C ~ 125 ° C. 2a -
SA2J-E3/5AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division SA2J-E3/5AT 0,3900
RFQ
ECAD 5551 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-214AC, SMA SA2 Padrão DO-214AC (SMA) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 7.500 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 600 v 1,1 V @ 2 A 1,5 µs 3 µA A 600 V -55 ° C ~ 150 ° C. 2a 11pf @ 4V, 1MHz
RGP10D-E3/53 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RGP10D-E3/53 -
RFQ
ECAD 2501 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Superectifier® Fita E CAIXA (TB) Ativo Através do buraco Do-204al, DO-41, axial RGP10 Padrão DO-204AL (DO-41) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 200 v 1,3 V @ 1 a 150 ns 5 µA A 200 V -65 ° C ~ 175 ° C. 1a 15pf @ 4V, 1MHz
V60200PG-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division V60200PG-E3/45 -
RFQ
ECAD 2067 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos TMBS® Tubo Obsoleto Através do buraco TO-3P-3, SC-65-3 V60200 Schottky TO-247AD (TO-3P) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 750 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 200 v 30a 1,48 V @ 30 A 200 µA a 200 V -40 ° C ~ 150 ° C.
SD241P-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SD241P-E3/45 1.6387
RFQ
ECAD 4325 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Tubo Ativo Através do buraco TO-3P-3, SC-65-3 SD241 Schottky TO-247AD (TO-3P) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 750 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 45 v 15a 470 mV @ 10 A 1 ma @ 35 V -65 ° C ~ 150 ° C.
VIT2045CBP-M3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VIT2045CBP-M3/4W 1.0065
RFQ
ECAD 2191 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos TMBS® Tubo Ativo Através do buraco TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA Vit2045 Schottky TO-262AA download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 45 v 10a 580 mV @ 10 A 2 mA a 45 V -40 ° C ~ 150 ° C.
VSSB420S-M3/52T Vishay General Semiconductor - Diodes Division VSSB420S-M3/52T 0,4400
RFQ
ECAD 5 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos TMBS® Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-214AA, SMB SB420 Schottky DO-214AA (SMB) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 750 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 200 v 1,9 V @ 4 A 150 µA @ 200 V -40 ° C ~ 150 ° C. 1.8a 120pf @ 4V, 1MHz
BZX55F8V2-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX55F8V2-TAP -
RFQ
ECAD 1010 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 1% 175 ° C. Através do buraco Do-204ah, do-35, axial BZX55 500 MW DO-35 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 10.000 1,5 V @ 200 mA 100 Na @ 6,2 V 8.2 v 7 ohms
VS-3EJU06HM3/6B Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-3EJU06HM3/6B 0,1485
RFQ
ECAD 8232 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Automotive, AEC-Q101, Fred Pt® Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-221AC, SMA Flat Leads 3EJU06 Padrão DO-221AC (Slimsma) download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 14.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 600 v 1,35 V @ 3 A 50 ns 3 µA A 600 V -55 ° C ~ 175 ° C. 3a -
VS-30CTQ045-N3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-30CTQ045-N3 -
RFQ
ECAD 8043 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Tubo Obsoleto Através do buraco To-220-3 30CTQ045 Schottky To-220-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado VS-30CTQ045-N3GI Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 45 v 15a 620 mV @ 15 a 2 mA a 45 V -55 ° C ~ 175 ° C.
U10BCT-E3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division U10BCT-E3/4W -
RFQ
ECAD 6434 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Tubo Obsoleto Através do buraco To-220-3 U10 Padrão To-220-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 100 v 5a 1,1 V @ 5 A 25 ns 5 µA A 100 V -55 ° C ~ 150 ° C.
S2A-E3/5BT Vishay General Semiconductor - Diodes Division S2A-E3/5BT 0,0841
RFQ
ECAD 9619 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-214AA, SMB S2A Padrão DO-214AA (SMB) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 3.200 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 50 v 1,15 V @ 1,5 A 2 µs 1 µA a 50 V -55 ° C ~ 150 ° C. 1.5a 16pf @ 4V, 1MHz
UG1A-M3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division UG1A-M3/54 0,0997
RFQ
ECAD 1734 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Tape & Reel (TR) Ativo Através do buraco Do-204al, DO-41, axial UG1 Padrão DO-204AL (DO-41) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 5.500 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 50 v 950 mV @ 1 a 25 ns 5 µA a 50 V -55 ° C ~ 150 ° C. 1a 7pf @ 4V, 1MHz
VS-18TQ045HN3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-18TQ045HN3 1.0067
RFQ
ECAD 9347 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Automotivo, AEC-Q101 Tubo Ativo Através do buraco To-220-2 18TQ045 Schottky TO-220AC download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 40 v 600 mV @ 18 A 2,5 mA A 35 V -55 ° C ~ 175 ° C. 18a 1400pf @ 5V, 1MHz
BAW56-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BAW56-HE3-08 0,2300
RFQ
ECAD 27 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BAW56 Padrão SOT-23-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0070 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par ânodo comum 70 v 250mA 1,25 V @ 150 Ma 6 ns 2,5 mA a 70 V 150 ° C (Máximo)
S10CK-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division S10CK-M3/i 0,3960
RFQ
ECAD 3793 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-214AB, SMC S10 Padrão DO-214AB (SMC) download Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 3.500 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 800 v 1 V @ 10 A 5 µs 10 µA a 800 V -55 ° C ~ 150 ° C. 10a 79pf @ 4V, 1MHz
FEPB6DT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division FEPB6DT-E3/45 -
RFQ
ECAD 3751 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Tubo Obsoleto Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab FEPB6 Padrão TO-263AB (D²PAK) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 200 v 6a 975 mV @ 3 a 35 ns 5 µA A 200 V -55 ° C ~ 150 ° C.
VI10150SHM3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VI10150SHM3/4W -
RFQ
ECAD 1947 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Automotivo, AEC-Q101 Tubo Obsoleto Através do buraco TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA VI10150 Schottky TO-262AA download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 150 v 1,2 V @ 10 A 150 µA @ 150 V -40 ° C ~ 150 ° C. 10a -
V30DM120CHM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division V30dm120chm3/i 0,8174
RFQ
ECAD 1235 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Automotivo, AEC-Q101, ESMP®, TMBS® Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia) Variante V30DM120 Schottky TO-263AC (SMPD) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 2.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 120 v 15a 970 mV @ 15 A 800 µA A 120 V -40 ° C ~ 175 ° C.
MBR1560CT-2HE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBR1560CT-2HE3/45 -
RFQ
ECAD 3868 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Automotivo, AEC-Q101 Tubo Obsoleto Através do buraco To-220-3 MBR15 Schottky To-220-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 60 v 7.5a 840 mV @ 15 A 1 mA a 60 V -65 ° C ~ 150 ° C.
VS-8EWF12STR-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-8EWF12ST-M3 3.4300
RFQ
ECAD 9 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 8ewf12 Padrão D-Pak (TO-252AA) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 2.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1200 v 1,3 V @ 8 A 270 ns 100 µA A 1200 V -40 ° C ~ 150 ° C. 8a -
VS-T40HF60 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-T40HF60 26.2700
RFQ
ECAD 186 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Volume Ativo Montagem do chassi D-55 T-Múdulo T40 Padrão D-55 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 10 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 600 v 15 mA a 600 V 40A -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume médio diário de RFQ

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unidade de produto padrão

  • Worldwide Manufacturers

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