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Produtos semicondutores discretos (31214)
| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tolerânia | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Poder - Máx | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Configuraça | Velocidade | Configuraça do Diodo | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção | Corrente - Retificada Média (IO) | CapacitânCia @ VR, F | Tensão - Zener (NOM) (VZ) | Impedioso (máx) (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | VS-S671C | - |  | 1723 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Obsoleto | - | 112-VS-S671C | Obsoleto | 1 | ||||||||||||||||||||||||||
 | MBRB16H45-E3/81 | - | | 4599 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | MBRB16 | Schottky | TO-263AB (D²PAK) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 45 v | 660 mV @ 16 a | 100 µA A 45 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 16a | - | |||||||||||
 | GDZ3V9B-E3-08 | 0,0360 | | 4098 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | GDZ | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | SC-76, SOD-323 | GDZ3V9 | 200 MW | SOD-323 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 15.000 | 5 µA @ 1 V | 3,9 v | 100 ohms | |||||||||||||
 | AZ23B3V0-HE3-08 | 0,0534 | | 6845 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotive, AEC-Q101, AZ23 | Tape & Reel (TR) | Última Vez compra | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | AZ23B3V0 | 300 MW | SOT-23-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 15.000 | 1 par ânodo comum | 3 v | 95 ohms | |||||||||||||
 | BZT55C47-GS08 | 0,0283 | | 9070 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotive, AEC-Q101, BZT55 | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Montagem na Superfície | Variante SOD-80 | BZT55C47 | 500 MW | Sod-80 Quadromell | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 12.500 | 1,5 V @ 200 mA | 100 Na @ 36 V | 47 v | 110 ohms | ||||||||||||
 | BZT03C82-TAP | 0,2640 | | 3387 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | BZT03 | Fita E CAIXA (TB) | Ativo | ± 6,1% | 175 ° C (TJ) | Através do buraco | Sod-57, axial | BZT03C82 | 1.3 w | SOD-57 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 25.000 | 1,2 V @ 500 mA | 1 µA A 62 V | 82 v | 100 ohms | ||||||||||||
 | US1K-M3/5AT | 0,4100 | | 2083 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | US1K | Padrão | DO-214AC (SMA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 7.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 800 v | 1,7 V @ 1 A | 10 µA a 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | - | |||||||||||
| MMBZ4622-HE3-18 | - | | 5324 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBZ4622 | 350 MW | SOT-23-3 | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 5 µA @ 2 V | 3,9 v | 1650 ohms | |||||||||||||
 | BZD27C20P-M3-18 | 0,1650 | | 4513 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | BZD27-M | Tape & Reel (TR) | Ativo | - | -65 ° C ~ 175 ° C. | Montagem na Superfície | DO-219AB | BZD27 | 800 MW | DO-219AB (SMF) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 50.000 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA A 15 V | 20 v | 15 ohms | ||||||||||||
| BZX84B7V5-G3-18 | 0,0389 | | 5888 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | BZX84-G | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BZX84B7V5 | 300 MW | SOT-23-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1 µA a 5 V | 7,5 v | 15 ohms | |||||||||||||
| GDZ5V1B-HG3-08 | 0,0451 | | 8512 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotive, AEC-Q101, GDZ-G | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | SC-76, SOD-323 | GDZ5V1 | 200 MW | SOD-323 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 15.000 | 2 µA @ 1 V | 5.1 v | 100 ohms | |||||||||||||
 | Ss12p2lhm3_a/i | 0,4534 | | 1902 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-277, 3-POWERDFN | SS12P2 | Schottky | TO-277A (SMPC) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 6.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 20 v | 560 mV @ 12 A | 1 mA a 20 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 12a | 930pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||
| S07J-GS18 | 0,4300 | | 42 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-219AB | S07 | Padrão | DO-219AB (SMF) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 10.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,1 V @ 1 A | 1,8 µs | 10 µA A 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 700mA | 4pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||
 | BY134GPHE3/54 | - | | 6644 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Através do buraco | DO-204AC, DO-15, axial | BY134 | Padrão | DO-204AC (DO-15) | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 4.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,2 V @ 2 A | 2 µs | 5 µA A 600 V | - | 1a | - | ||||||||||
| DZ23C16-HE3-18 | 0,0436 | | 5391 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101, DZ23 | Tape & Reel (TR) | Última Vez compra | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Dz23 | 300 MW | SOT-23-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1 par cátodo comum | 100 Na @ 12 V | 16 v | 40 ohms | ||||||||||||
 | SB160-E3/73 | 0,4800 | | 2 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Fita de Corte (CT) | Ativo | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | SB160 | Schottky | DO-204AL (DO-41) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 60 v | 650 mV @ 1 a | 500 µA A 60 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 1a | - | |||||||||||
 | Mbrb25h35cthe3_b/p | 1.0230 | | 8891 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Ativo | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | MBRB25 | Schottky | TO-263AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 35 v | 15a | 640 mV @ 15 A | 100 µA A 35 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | |||||||||||
 | BZT52B4V7-E3-08 | 0,3100 | | 12 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | BZT52 | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | SOD-123 | BZT52B4V7 | 410 MW | SOD-123 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 4,7 v | 78 ohms | ||||||||||||||
 | Tzx2v7a-tr | 0,2400 | | 30 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotive, AEC-Q101, TZX | Tape & Reel (TR) | Ativo | - | -65 ° C ~ 175 ° C. | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | TZX2V7 | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,5 V @ 200 mA | 5 µA A 500 mV | 2,7 v | 100 ohms | ||||||||||||
| AZ23C22-HE3_A-08 | - | | 4808 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotive, AEC-Q101, AZ23 | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 300 MW | SOT-23-3 | download | 112-AZ23C22-HE3_A-08TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 par ânodo comum | 50 Na @ 15,4 V | 22 v | 55 ohms | |||||||||||||||
| MMBZ4681-G3-08 | - | | 7590 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBZ4681 | 350 MW | SOT-23-3 | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 15.000 | 2 µA @ 1 V | 2,4 v | ||||||||||||||
 | VS-32CTQ025-1HM3 | 1.2553 | | 4532 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Ativo | Através do buraco | TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA | 32CTQ025 | Schottky | TO-262-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 25 v | 15a | 490 mV @ 15 A | 1,75 mA a 25 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||
 | MURS360S-E3/5BT | 0,5200 | | 8 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AA, SMB | MURS360 | Padrão | DO-214AA (SMB) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.200 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,45 V @ 3 A | 75 ns | 5 µA A 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1.5a | - | ||||||||||
 | V20K170HM3/H. | 0,8910 | | 6359 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | 8-PowerTdfn | Schottky | Flatpak (5x6) | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 112-V20K170HM3/HTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 170 v | 1,02 V @ 20 A | 100 µA A 170 V | -40 ° C ~ 165 ° C. | 3.2a | 800pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||
 | Esh2pd-m3/85a | 0.1681 | | 9787 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | ESMP® | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-220AA | Esh2 | Padrão | DO-220AA (SMP) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 10.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 980 mV @ 2 A | 25 ns | 1 µA A 200 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 2a | 25pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||
 | TLZ20-GS08 | 0,0335 | | 1143 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Tlz | Tape & Reel (TR) | Ativo | - | -65 ° C ~ 175 ° C. | Montagem na Superfície | DO-213AC, Mini-Me-SED, SOD-80 | TLZ20 | 500 MW | SOD-80 MINIMELL | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 12.500 | 1,5 V @ 200 mA | 20 v | 28 ohms | |||||||||||||
 | BZW03D9V1-TAP | - | | 9322 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | BZW03 | Fita E CAIXA (TB) | Obsoleto | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Através do buraco | Sod-64, axial | BZW03 | 1,85 w | SOD-64 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 12.500 | 1,2 V @ 1 A | 40 µA A 6,5 V | 9.1 v | 2 ohms | ||||||||||||
 | VS-85HFLR60S05 | 14.6345 | | 7532 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pântano | DO-203AB, DO-5, Stud | 85HFLR60 | Polaridada reversa padrão | DO-203AB (DO-5) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,75 V @ 266,9 A | 500 ns | 100 µA A 600 V | -40 ° C ~ 125 ° C. | 85a | - | ||||||||||
| 1N5397GPHE3/73 | - | | 2207 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Superectifier® | Fita E CAIXA (TB) | Obsoleto | Através do buraco | DO-204AC, DO-15, axial | 1N5397 | Padrão | DO-204AC (DO-15) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,4 V @ 1,5 A | 2 µs | 5 µA A 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1.5a | 15pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||
| BZX84C5V1-G3-08 | 0,2700 | | 13 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | BZX84-G | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BZX84C5V1 | 300 MW | SOT-23-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 2 µA @ 2 V | 5.1 v | 60 ohms |
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