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Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tolerânia | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Poder - Máx | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Configuraça | Velocidade | Configuraça do Diodo | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção | Corrente - Retificada Média (IO) | CapacitânCia @ VR, F | Tensão - Zener (NOM) (VZ) | Impedioso (máx) (ZZT) |
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![]() | V20pwl63c-m3/i | 0,4133 | ![]() | 4 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | Schottky | Slimdpak | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 112-V20PWL63C-M3/ITR | Ear99 | 8541.10.0080 | 4.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 60 v | 10a | 610 mV @ 10 A | 180 µA A 60 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||
AZ23B3V6-HE3-18 | 0,0534 | ![]() | 3565 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotive, AEC-Q101, AZ23 | Tape & Reel (TR) | Última Vez compra | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | AZ23B3V6 | 300 MW | SOT-23-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1 par ânodo comum | 3,6 v | 95 ohms | ||||||||||||||
![]() | Vs-8dkh02hm3/h | 0,8500 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotive, AEC-Q101, Fred Pt® | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | 8-PowerTdfn | 8dkh02 | Padrão | Flatpak 5x6 (Duplo) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 2 Independente | 200 v | 4a | 960 mV @ 4 a | 25 ns | 2 µA a 200 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | ||||||||||
![]() | S2A/54 | - | ![]() | 3337 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AA, SMB | S2A | Padrão | DO-214AA (SMB) | download | Rohs Não Compatível | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 750 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 50 v | 1,15 V @ 1,5 A | 2 µs | 1 µA a 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1.5a | 16pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||
![]() | SE50paghm3/i | 0,5000 | ![]() | 12 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotive, AEC-Q101, ESMP® | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-221BC, SMA PLL PLAT PAD | SE50 | Padrão | DO-221BC (SMPA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 14.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,16 V @ 5 A | 2 µs | 10 µA A 400 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 5a | 32pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||
![]() | SS5P4-M3/87A | 0,6200 | ![]() | 6 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | ESMP® | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-277, 3-POWERDFN | SS5P4 | Schottky | TO-277A (SMPC) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 6.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 40 v | 520 mV @ 5 A | 250 µA A 40 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 5a | 280pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||
![]() | Ss3p3hm3/84a | 0,3800 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotive, AEC-Q101, ESMP® | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-220AA | Ss3p3 | Schottky | DO-220AA (SMP) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 30 v | 580 mV @ 3 a | 200 µA a 30 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 130pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||
![]() | UG1A-M3/54 | 0,0997 | ![]() | 1734 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | UG1 | Padrão | DO-204AL (DO-41) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 50 v | 950 mV @ 1 a | 25 ns | 5 µA a 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 7pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||
![]() | S3G-E3/9AT | 0,4800 | ![]() | 713 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AB, SMC | S3G | Padrão | DO-214AB (SMC) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.500 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,15 V @ 2,5 A | 2,5 µs | 10 µA A 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 60pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||
![]() | VS-10MQ040NTRPBF | 0,6400 | ![]() | 169 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | 10MQ040 | Schottky | DO-214AC (SMA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 7.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 40 v | 540 mV @ 1 a | 500 µA A 40 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 38pf @ 10V, 1MHz | |||||||||||
![]() | MB30H45C-61HE3J/81 | - | ![]() | 2910 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | MB30H45 | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | ||||||||||||||||||||||
![]() | ES3B-M3/9AT | 0.2101 | ![]() | 6055 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AB, SMC | ES3B | Padrão | DO-214AB (SMC) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 900 mV @ 3 a | 30 ns | 10 µA A 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 45pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||
![]() | VS-SD1700C45K | 288.7500 | ![]() | 1544 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Ativo | Prenda | DO-200AC, K-Puk | SD1700 | Padrão | DO-200AC, K-Puk | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 2 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 4500 v | 2.11 V @ 4000 A | 75 mA @ 4500 V | 1875a | - | ||||||||||||
![]() | V1f22-m3/h | 0,4000 | ![]() | 14 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-219AB | Schottky | DO-219AB (SMF) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 880 mV @ 1 a | 35 µA A 200 V | -40 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 75pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||
![]() | VS-HFA30PA60C-N3 | 6.7300 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Hexfred® | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-247-3 | HFA30 | Padrão | TO-247AC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | VS-HFA30PA60C-N3GI | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 600 v | 15a | 1,7 V @ 1,5 A | 60 ns | 10 µA A 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||
![]() | V15km45c-m3/i | 0,4283 | ![]() | 9749 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | 8-PowerTdfn | Schottky | Flatpak (5x6) | download | Alcançar Não Afetado | 112-V15KM45C-M3/ITR | Ear99 | 8541.10.0080 | 6.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 45 v | 5.4a | 600 mV @ 7,5 A | 350 µA @ 45 V | -40 ° C ~ 175 ° C. | |||||||||||||
![]() | Ug10ccthe3/45 | - | ![]() | 6919 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Obsoleto | Através do buraco | To-220-3 | UG10 | Padrão | To-220-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 150 v | 5a | 1,1 V @ 5 A | 25 ns | 10 µA A 150 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||
![]() | SS26-E3/5BT | 0,4300 | ![]() | 4 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AA, SMB | SS26 | Schottky | DO-214AA (SMB) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.200 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 60 v | 700 mv @ 2 a | 400 µA A 60 V | -65 ° C ~ 125 ° C. | 2a | - | |||||||||||
![]() | Mbrb760he3_b/p | 0,6765 | ![]() | 4496 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Ativo | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | MBRB760 | Schottky | TO-263AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 60 v | 750 mV @ 7.5 A | 500 µA A 60 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 7.5a | - | |||||||||||
![]() | BZX55F8V2-TAP | - | ![]() | 1010 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 1% | 175 ° C. | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | BZX55 | 500 MW | DO-35 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,5 V @ 200 mA | 100 Na @ 6,2 V | 8.2 v | 7 ohms | ||||||||||||
![]() | SS1H10-M3/5AT | 0.1061 | ![]() | 5765 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | SS1H10 | Schottky | DO-214AC (SMA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 7.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 860 mV @ 2 a | 1 µA A 100 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1a | - | |||||||||||
![]() | BAS285-GS08 | 0,4000 | ![]() | 5 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | Variante SOD-80 | Bas285 | Schottky | Sod-80 Quadromell | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 2.500 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 30 v | 800 mV @ 100 Ma | 2,3 µA a 25 V | 125 ° C (Máximo) | 200Ma | 10pf @ 1V, 1MHz | |||||||||||
![]() | RS07D-M-18 | 0,0922 | ![]() | 6764 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-219AB | RS07 | Padrão | DO-219AB (SMF) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 50.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1,15 V @ 700 mA | 150 ns | 10 µA A 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 500mA | 9pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||
![]() | MBR2060CT-E3/45 | - | ![]() | 2854 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | Através do buraco | To-220-3 | MBR20 | Schottky | To-220-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 60 v | 10a | 800 mv @ 10 a | 150 µA A 60 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||
![]() | IRKE196/08 | - | ![]() | 5098 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Obsoleto | Montagem do chassi | Int-a-pak (2) | IRKE196 | Padrão | Módlo | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | *IRKE196/08 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 800 v | 20 mA a 800 V | 195a | - | ||||||||||||
![]() | SMZG3801B-M3/5B | 0,2485 | ![]() | 8196 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | DO-215AA, Asa de Gaivota SMB | SMZG3801 | 1,5 w | SMBG (DO-215AA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.200 | 5 µA a 25,1 V | 33 v | 33 ohms | |||||||||||||
![]() | V12p15-m3/h | 0,7700 | ![]() | 5 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | ESMP®, TMBS® | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-277, 3-POWERDFN | V12p15 | Schottky | TO-277A (SMPC) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 150 v | 1,08 V @ 12 A | 250 µA @ 150 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 12a | - | |||||||||||
![]() | MMSZ4691-HE3-18 | 0,0378 | ![]() | 8672 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Última Vez compra | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | SOD-123 | MMSZ4691 | 500 MW | SOD-123 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 10 µA a 5 V | 6.2 v | ||||||||||||||
![]() | SA2J-E3/5AT | 0,3900 | ![]() | 5551 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | SA2 | Padrão | DO-214AC (SMA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 7.500 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,1 V @ 2 A | 1,5 µs | 3 µA A 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | 11pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||
![]() | RGP10D-E3/53 | - | ![]() | 2501 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Superectifier® | Fita E CAIXA (TB) | Ativo | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | RGP10 | Padrão | DO-204AL (DO-41) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1,3 V @ 1 a | 150 ns | 5 µA A 200 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 15pf @ 4V, 1MHz |
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