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Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tolerânia | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Poder - Máx | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Velocidade | Configuraça do Diodo | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção | Corrente - Retificada Média (IO) | CapacitânCia @ VR, F | Tensão - Zener (NOM) (VZ) | Impedioso (máx) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | Ug10ccthe3/45 | - | ![]() | 6919 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Obsoleto | Através do buraco | To-220-3 | UG10 | Padrão | To-220-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 150 v | 5a | 1,1 V @ 5 A | 25 ns | 10 µA A 150 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||
![]() | SS26-E3/5BT | 0,4300 | ![]() | 4 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AA, SMB | SS26 | Schottky | DO-214AA (SMB) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.200 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 60 v | 700 mv @ 2 a | 400 µA A 60 V | -65 ° C ~ 125 ° C. | 2a | - | ||||||||||
![]() | Mbrb760he3_b/p | 0,6765 | ![]() | 4496 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Ativo | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | MBRB760 | Schottky | TO-263AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 60 v | 750 mV @ 7.5 A | 500 µA A 60 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 7.5a | - | ||||||||||
![]() | BZX55F8V2-TAP | - | ![]() | 1010 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 1% | 175 ° C. | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | BZX55 | 500 MW | DO-35 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,5 V @ 200 mA | 100 Na @ 6,2 V | 8.2 v | 7 ohms | |||||||||||
![]() | SS1H10-M3/5AT | 0.1061 | ![]() | 5765 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | SS1H10 | Schottky | DO-214AC (SMA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 7.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 860 mV @ 2 a | 1 µA A 100 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1a | - | ||||||||||
![]() | BAS285-GS08 | 0,4000 | ![]() | 5 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | Variante SOD-80 | Bas285 | Schottky | Sod-80 Quadromell | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 2.500 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 30 v | 800 mV @ 100 Ma | 2,3 µA a 25 V | 125 ° C (Máximo) | 200Ma | 10pf @ 1V, 1MHz | ||||||||||
![]() | RS07D-M-18 | 0,0922 | ![]() | 6764 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-219AB | RS07 | Padrão | DO-219AB (SMF) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 50.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1,15 V @ 700 mA | 150 ns | 10 µA A 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 500mA | 9pf @ 4V, 1MHz | |||||||||
![]() | MBR2060CT-E3/45 | - | ![]() | 2854 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | Através do buraco | To-220-3 | MBR20 | Schottky | To-220-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 60 v | 10a | 800 mv @ 10 a | 150 µA A 60 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||
![]() | IRKE196/08 | - | ![]() | 5098 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Obsoleto | Montagem do chassi | Int-a-pak (2) | IRKE196 | Padrão | Módlo | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | *IRKE196/08 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 800 v | 20 mA a 800 V | 195a | - | |||||||||||
![]() | SMZG3801B-M3/5B | 0,2485 | ![]() | 8196 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | DO-215AA, Asa de Gaivota SMB | SMZG3801 | 1,5 w | SMBG (DO-215AA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.200 | 5 µA a 25,1 V | 33 v | 33 ohms | ||||||||||||
![]() | V12p15-m3/h | 0,7700 | ![]() | 5 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | ESMP®, TMBS® | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-277, 3-POWERDFN | V12p15 | Schottky | TO-277A (SMPC) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 150 v | 1,08 V @ 12 A | 250 µA @ 150 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 12a | - | ||||||||||
![]() | SA2J-E3/5AT | 0,3900 | ![]() | 5551 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | SA2 | Padrão | DO-214AC (SMA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 7.500 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,1 V @ 2 A | 1,5 µs | 3 µA A 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | 11pf @ 4V, 1MHz | |||||||||
![]() | RGP10D-E3/53 | - | ![]() | 2501 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Superectifier® | Fita E CAIXA (TB) | Ativo | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | RGP10 | Padrão | DO-204AL (DO-41) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1,3 V @ 1 a | 150 ns | 5 µA A 200 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 15pf @ 4V, 1MHz | |||||||||
BZX84B3V3-G3-08 | 0,0389 | ![]() | 1583 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | BZX84-G | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BZX84B3V3 | 300 MW | SOT-23-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 15.000 | 5 µA @ 1 V | 3,3 v | 95 ohms | |||||||||||||
![]() | V60200PG-E3/45 | - | ![]() | 2067 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | TMBS® | Tubo | Obsoleto | Através do buraco | TO-3P-3, SC-65-3 | V60200 | Schottky | TO-247AD (TO-3P) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 750 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 200 v | 30a | 1,48 V @ 30 A | 200 µA a 200 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||
![]() | VFT4060C-M3/4W | 1.2598 | ![]() | 6705 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | TMBS® | Tubo | Ativo | Através do buraco | Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada | VFT4060 | Schottky | ITO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 60 v | 20a | 620 mV @ 20 A | 6 mA a 60 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||
![]() | VS-G1956EF | - | ![]() | 4432 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Última Vez compra | G1956EF | - | 112-VS-G1956EF | 1 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | BZD27C43P-HE3-08 | 0,1536 | ![]() | 6840 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101, BZD27C | Tape & Reel (TR) | Ativo | - | -65 ° C ~ 175 ° C. | Montagem na Superfície | DO-219AB | BZD27C43 | 800 MW | DO-219AB (SMF) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 30.000 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA @ 33 V | 43 v | 45 ohms | |||||||||||
BAW56-HE3-08 | 0,2300 | ![]() | 27 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BAW56 | Padrão | SOT-23-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par ânodo comum | 70 v | 250mA | 1,25 V @ 150 Ma | 6 ns | 2,5 mA a 70 V | 150 ° C (Máximo) | ||||||||||
![]() | MMSZ5258B-G3-18 | 0,0409 | ![]() | 3566 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | SOD-123 | MMSZ5258 | 500 MW | SOD-123 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 100 Na @ 27 V | 36 v | 70 ohms | ||||||||||||
![]() | VS-VSKDS209/150 | 46.9170 | ![]() | 5793 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Ativo | Montagem do chassi | Add-a-pak (3) | VSKDS209 | Schottky | Add-a-Pak® | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | VSVSKDS209150 | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 150 v | 100a | 1,01 V @ 100 A | 6 mA a 150 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | |||||||||
![]() | BZG03C18-M3-08 | 0,5000 | ![]() | 4748 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | BZG03C-M | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 6,39% | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | BZG03C18 | 1,25 w | DO-214AC (SMA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V @ 500 mA | 1 µA A 13 V | 18 v | 15 ohms | |||||||||||
![]() | Es3ahe3_a/h | 0,3138 | ![]() | 9389 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AB, SMC | ES3A | Padrão | DO-214AB (SMC) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 850 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 50 v | 900 mV @ 3 a | 30 ns | 10 µA a 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 45pf @ 4V, 1MHz | |||||||||
![]() | VI30150C-M3/4W | 0,8630 | ![]() | 5622 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | TMBS® | Tubo | Ativo | Através do buraco | TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA | VI30150 | Schottky | TO-262AA | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 150 v | 15a | 1,36 V @ 15 A | 200 µA A 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||
![]() | VS-HFA08TA60CSR-M3 | 0,4648 | ![]() | 4733 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Hexfred® | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | HFA08 | Padrão | TO-263AB (D²PAK) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 600 v | 4a (DC) | 2,2 V @ 8 A | 42 ns | 3 µA A 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||
![]() | BYT51M-TR | 0,2970 | ![]() | 7243 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | Sod-57, axial | BYT51 | Avalanche | SOD-57 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 25.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1000 v | 1,1 V @ 1 A | 4 µs | 1 µA A 1000 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 1.5a | - | |||||||||
BAV70-HE3-08 | 0,2300 | ![]() | 44 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotive, AEC-Q101, BAV70 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Bav70 | Padrão | SOT-23-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 70 v | 250mA (DC) | 1,25 V @ 150 Ma | 6 ns | 2,5 µA A 70 V | 150 ° C (Máximo) | ||||||||||
![]() | MI2050C-E3/4W | - | ![]() | 7026 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | Através do buraco | TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA | MI2050 | Schottky | TO-262AA | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 50 v | 10a | 740 mV @ 10 a | 150 µA a 50 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||
![]() | U16CCT-E3/4W | - | ![]() | 5098 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | Através do buraco | To-220-3 | U16 | Padrão | To-220-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 150 v | 8a | 1,1 V @ 8 A | 80 ns | 10 µA A 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||
![]() | VS-50PFR120 | 5.3444 | ![]() | 7440 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pântano | DO-203AB, DO-5, Stud | 50pfr120 | Polaridada reversa padrão | DO-203AB (DO-5) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Vs50pfr120 | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1200 v | 1,4 V @ 125 A | -55 ° C ~ 180 ° C. | 50a | - |
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