- RFQ
- Bom
- Contate-nos
Tel: +86-0755-83501315
E-mail:sales@sic-compponents.com
- chinês
- Inglês
- Francês
- Alemão
- Português
- Espanhol
- russo
- japonês
- coreano
- árabe
- irlandês
- grego
- turco
- italiano
- dinamarquês
- romeno
- indonésio
- Tcheco
- afrikaans
- sueco
- polonês
- Basco
- catalão
- esperanto
- hindi
- Laos
- albanês
- Amárico
- Armênio
- Azerbaijão
- Bielorrusso
- bengali
- Bósnia
- búlgaro
- Cebuano
- Chichewa
- Córsega
- croata
- Holandês
- estoniano
- Filipino
- finlandês
- Frisiano
- Galian
- Georgiano
- Gujarati
- haitiano
- Hausa
- havaiano
- hebraico
- Hmong
- húngaro
- islandês
- Igbo
- Javanês
- Kannada
- Cazaque
- Khmer
- curdo
- Kyrgyz
- Latim
- letão
- lituano
- Luxembou ..
- Macedônio
- malgaxe
- malaio
- Malaiala
- maltês
- maori
- Marathi
- mongol
- birmanês
- Nepalês
- norueguês
- Pashto
- persa
- Punjabi
- sérvio
- Sesoto
- Sinhala
- Eslovaco
- esloveno
- Somali
- Samoano
- Gaélico escocês
- Shona
- Sindhi
- Sundanês
- Suaíli
- Tajique
- tâmil
- Telugu
- Tailandês
- ucraniano
- urdu
- Uzbek
- vietnamita
- galês
- Xhosa
- Yiddish
- Ioruba
- zulu
- Kinyarwanda
- Tatar
- Oriya
- Turquemen
- Uyghur
Produtos semicondutores discretos (31214)
| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tolerânia | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Poder - Máx | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Corrente - Retificada Média (IO) | Tipo de diodo | Tensão - Pico Reverso (Max) | Tensão - Zener (NOM) (VZ) | Impedioso (máx) (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | G3SBA20L-M3/51 | - |  | 6359 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Bandeja | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-sip, GBU | G3SBA20 | Padrão | GBU | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 250 | 1 V @ 2 A | 5 µA A 200 V | 2.3 a | Fase Única | 200 v | |||||
| G3SBA60-M3/45 | 0,8910 | | 5644 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-sip, GBU | G3SBA60 | Padrão | GBU | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 1 V @ 2 A | 5 µA A 600 V | 2.3 a | Fase Única | 600 v | |||||
| G5SBA80-M3/51 | 1.0096 | | 4161 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Bandeja | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-sip, GBU | G5SBA80 | Padrão | GBU | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 250 | 1,05 V @ 3 A | 5 µA A 800 V | 2.8 a | Fase Única | 800 v | |||||
| GBU6A-M3/45 | 1.2844 | | 7028 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-sip, GBU | GBU6 | Padrão | GBU | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 1 V @ 6 A | 5 µA a 50 V | 3.8 a | Fase Única | 50 v | |||||
| GBU8A-M3/51 | 1.1425 | | 5888 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Bandeja | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-sip, GBU | GBU8 | Padrão | GBU | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 250 | 1 V @ 8 A | 5 µA a 50 V | 3.9 a | Fase Única | 50 v | |||||
| GBU8M-M3/45 | 2.2100 | | 4411 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-sip, GBU | GBU8 | Padrão | GBU | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 20 | 1 V @ 8 A | 5 µA A 1000 V | 8 a | Fase Única | 1 kv | |||||
 | GSIB1540N-M3/45 | 1.8371 | | 5936 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-SIP, GSIB-5S | GSIB1540 | Padrão | GSIB-5S | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.200 | 950 mV @ 7.5 A | 10 µA A 400 V | 15 a | Fase Única | 400 v | |||||
| GSIB620N-M3/45 | 1.5423 | | 2226 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-SIP, GSIB-5S | GSIB620 | Padrão | GSIB-5S | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.200 | 950 mV @ 3 a | 10 µA A 200 V | 6 a | Fase Única | 200 v | |||||
| GSIB640N-M3/45 | 1.5423 | | 3629 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-SIP, GSIB-5S | GSIB640 | Padrão | GSIB-5S | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.200 | 950 mV @ 3 a | 10 µA A 400 V | 6 a | Fase Única | 400 v | |||||
| GSIB660N-M3/45 | 1.5423 | | 4526 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-SIP, GSIB-5S | GSIB660 | Padrão | GSIB-5S | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.200 | 950 mV @ 3 a | 10 µA A 600 V | 6 a | Fase Única | 600 v | |||||
| LVB1560-M3/45 | 6.9300 | | 889 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-SIP, GSIB-5S | LVB1560 | Padrão | GSIB-5S | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 20 | 900 mV @ 7,5 A | 10 µA A 600 V | 15 a | Fase Única | 600 v | |||||
 | MMSZ5260C-G3-08 | 0,0483 | | 6728 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | SOD-123 | MMSZ5260 | 500 MW | SOD-123 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 15.000 | 100 Na @ 33 V | 43 v | 93 ohms | ||||||
 | 3KBP01M-M4/51 | - | | 2337 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Bandeja | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-sip, KBPM | 3KBP01 | Padrão | KBPM | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 600 | 1,05 V @ 3 A | 5 µA A 100 V | 3 a | Fase Única | 50 v | |||||
| 3N250-M4/51 | - | | 9581 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Bandeja | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-sip, KBPM | 3N250 | Padrão | KBPM | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 600 | 1 V @ 1 A | 5 µA A 600 V | 1.5 a | Fase Única | 600 v | |||||
 | BU1008A-M3/51 | 1.2098 | | 3478 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Bandeja | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-sip, bu | BU1008 | Padrão | ISOCINK+™ BU | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 250 | 1,1 V @ 5 A | 5 µA A 800 V | 10 a | Fase Única | 800 v | |||||
| Bu1010-M3/51 | 1.3185 | | 2341 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Bandeja | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-sip, bu | Bu1010 | Padrão | ISOCINK+™ BU | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 250 | 1,05 V @ 5 A | 5 µA A 1000 V | 10 a | Fase Única | 1 kv | |||||
| KBP02M-M4/51 | - | | 5886 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Bandeja | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-sip, KBPM | KBP02 | Padrão | KBPM | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 600 | 1 V @ 1 A | 5 µA A 200 V | 1.5 a | Fase Única | 200 v | |||||
 | SMAZ5930B-M3/5A | 0,1063 | | 4506 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | SMAZ5930 | 500 MW | DO-214AC (SMA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 7.500 | 1,5 V @ 200 mA | 1 µA A 12,2 V | 16 v | 10 ohms | |||||
| SMAZ5943B-M3/5A | 0,1063 | | 4542 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | SMAZ5943 | 500 MW | DO-214AC (SMA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 7.500 | 1,5 V @ 200 mA | 1 µA a 42,6 V | 56 v | 86 ohms | |||||
| SML4742-E3/5A | 0,4700 | | 16 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 10% | 150 ° C. | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | SML4742 | 1 w | DO-214AC (SMA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 7.500 | 5 µA a 9,1 V | 12 v | 9 ohms | ||||||
| SML4746-E3/5A | 0,4700 | | 6925 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 10% | 150 ° C. | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | SML4746 | 1 w | DO-214AC (SMA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 7.500 | 5 µA A 13,7 V | 18 v | 20 ohms | ||||||
| SML4751HE3/5A | - | | 4710 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | ± 10% | 150 ° C. | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | SML4751 | 1 w | DO-214AC (SMA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 7.500 | 5 µA A 22,8 V | 30 v | 40 ohms | ||||||
| SML4754AHE3/5A | - | | 2136 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | ± 5% | 150 ° C. | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | SML4754 | 1 w | DO-214AC (SMA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 7.500 | 5 µA a 29,7 V | 39 v | 60 ohms | ||||||
| SML4759A-E3/5A | 0,5000 | | 3 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | SML4759 | 1 w | DO-214AC (SMA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 7.500 | 5 µA a 47,1 V | 62 v | 125 ohms | ||||||
 | TLZ10D-GS18 | 0,0335 | | 5048 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Tlz | Tape & Reel (TR) | Ativo | - | -65 ° C ~ 175 ° C. | Montagem na Superfície | DO-213AC, Mini-Me-SED, SOD-80 | TLZ10 | 500 MW | SOD-80 MINIMELL | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,5 V @ 200 mA | 40 Na @ 9,44 V | 10 v | 8 ohms | |||||
| TLZ20-GS18 | 0,0335 | | 8294 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Tlz | Tape & Reel (TR) | Ativo | - | -65 ° C ~ 175 ° C. | Montagem na Superfície | DO-213AC, Mini-Me-SED, SOD-80 | TLZ20 | 500 MW | SOD-80 MINIMELL | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,5 V @ 200 mA | 20 v | 28 ohms | ||||||
 | Tzx11a-tap | 0,0287 | | 1031 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotive, AEC-Q101, TZX | Fita E CAIXA (TB) | Ativo | - | -65 ° C ~ 175 ° C. | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | TZX11 | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 30.000 | 1,5 V @ 200 mA | 1 µA A 8,2 V | 11 v | 25 ohms | |||||
| TZX11B-TAP | 0,0287 | | 8678 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotive, AEC-Q101, TZX | Fita E CAIXA (TB) | Ativo | - | -65 ° C ~ 175 ° C. | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | TZX11 | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 30.000 | 1,5 V @ 200 mA | 1 µA A 8,2 V | 11 v | 25 ohms | |||||
| TZX12D-TAP | 0,2300 | | 9 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotive, AEC-Q101, TZX | Fita de Corte (CT) | Ativo | - | -65 ° C ~ 175 ° C. | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | TZX12 | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,5 V @ 200 mA | 1 µA A 9,5 V | 12 v | 35 ohms | |||||
| TZX13C-TAP | 0,2300 | | 30 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotive, AEC-Q101, TZX | Fita de Corte (CT) | Ativo | - | -65 ° C ~ 175 ° C. | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | TZX13 | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,5 V @ 200 mA | 1 µA A 10 V | 13 v | 35 ohms |
2000+
Volume médio diário de RFQ
30.000.000
Unidade de produto padrão
2800+
Fabricantes em todo o mundo
15.000 m2
Armazém em estoque
Lista de desejos (0 itens)