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Produtos semicondutores discretos (31214)
| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tolerânia | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Poder - Máx | Entrada | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Configuraça | Velocidade | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção | Corrente - Retificada Média (IO) | CapacitânCia @ VR, F | TIPO IGBT | Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) | Corrente - Coletor (IC) (Max) | Vce (on) (max) @ vge, ic | Tipo de diodo | Tensão - Pico Reverso (Max) | Corrente - Corte de Colecionador (Max) | Termistor NTC | Tensão - Zener (NOM) (VZ) | Impedioso (máx) (ZZT) | CapacitânCia de Entrada (CIES) @ VCE |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 2KBP10ML-7001E4/51 | - |  | 2671 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Obsoleto | -55 ° C ~ 165 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-sip, KBPM | 2kbp10 | Padrão | KBPM | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 600 | 1,1 V @ 3,14 A | 5 µA A 1000 V | 2 a | Fase Única | 1 kv | ||||||||||||||||||||
| 3KBP005M-E4/72 | - | | 6705 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | CAIXA | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-sip, KBPM | 3KBP005 | Padrão | KBPM | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 200 | 1,05 V @ 3 A | 5 µA a 50 V | 3 a | Fase Única | 50 v | ||||||||||||||||||||
| 3KBP01M-E4/72 | - | | 5578 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | CAIXA | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-sip, KBPM | 3KBP01 | Padrão | KBPM | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 200 | 1,05 V @ 3 A | 5 µA A 100 V | 3 a | Fase Única | 100 v | ||||||||||||||||||||
| 3KBP08M-E4/72 | - | | 7983 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | CAIXA | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-sip, KBPM | 3KBP08 | Padrão | KBPM | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 200 | 1,05 V @ 3 A | 5 µA A 800 V | 3 a | Fase Única | 800 v | ||||||||||||||||||||
| 3N248-E4/72 | - | | 2735 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | CAIXA | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-sip, KBPM | 3N248 | Padrão | KBPM | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 200 | 1,3 V @ 1,57 A | 5 µA A 200 V | 1.5 a | Fase Única | 200 v | ||||||||||||||||||||
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| 3N250-E4/72 | - | | 9212 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | CAIXA | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-sip, KBPM | 3N250 | Padrão | KBPM | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 200 | 1,3 V @ 1,57 A | 5 µA A 600 V | 1.5 a | Fase Única | 600 v | ||||||||||||||||||||
| 3N255-E4/72 | - | | 6661 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | CAIXA | Obsoleto | -55 ° C ~ 165 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-sip, KBPM | 3N255 | Padrão | KBPM | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 200 | 1,1 V @ 3,14 A | 5 µA A 200 V | 2 a | Fase Única | 200 v | ||||||||||||||||||||
| 3N258-E4/72 | - | | 7294 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | CAIXA | Obsoleto | -55 ° C ~ 165 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-sip, KBPM | 3N258 | Padrão | KBPM | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 200 | 1,1 V @ 3,14 A | 5 µA A 800 V | 2 a | Fase Única | 800 v | ||||||||||||||||||||
| KBP02M-61E4/51 | - | | 7852 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Bandeja | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-sip, KBPM | KBP02 | Padrão | KBPM | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 600 | 1,3 V @ 1,57 A | 5 µA A 200 V | 1.5 a | Fase Única | 200 v | ||||||||||||||||||||
| KBP02ML-6127E4/72 | - | | 3328 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | CAIXA | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-sip, KBPM | KBP02 | Padrão | KBPM | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 200 | 1,3 V @ 1,57 A | 5 µA A 200 V | 1.5 a | Fase Única | 200 v | ||||||||||||||||||||
| KBP04M-43E4/51 | - | | 9560 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Bandeja | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-sip, KBPM | KBP04 | Padrão | KBPM | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 600 | 1,3 V @ 1,57 A | 5 µA A 400 V | 1.5 a | Fase Única | 400 v | ||||||||||||||||||||
| KBP06ML-6161E4/72 | - | | 1359 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | CAIXA | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-sip, KBPM | KBP06 | Padrão | KBPM | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 200 | 1,3 V @ 1,57 A | 5 µA A 600 V | 1.5 a | Fase Única | 600 v | ||||||||||||||||||||
| KBP06ML-6424E4/72 | - | | 8293 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | CAIXA | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-sip, KBPM | KBP06 | Padrão | KBPM | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 200 | 1,3 V @ 1,57 A | 5 µA A 600 V | 1.5 a | Fase Única | 600 v | ||||||||||||||||||||
| KBP08ML-6747E4/51 | - | | 7762 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Bandeja | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-sip, KBPM | KBP08 | Padrão | KBPM | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 600 | 1,3 V @ 1,57 A | 5 µA A 800 V | 1.5 a | Fase Única | 800 v | ||||||||||||||||||||
 | BYG21KHE3_A/H. | 0,1429 | | 5937 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | BYG21 | Avalanche | DO-214AC (SMA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 800 v | 1,6 V @ 1,5 A | 120 ns | 1 µA A 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1.5a | - | ||||||||||||||||||
| BZG05B51-E3-TR | - | | 6659 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | BZG05B | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | BZG05 | 1,25 w | DO-214AC | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0050 | 6.000 | 1,2 V @ 200 mA | 500 Na @ 39 V | 51 v | 115 ohms | |||||||||||||||||||||
| BZG05B6V8-E3-TR | - | | 2453 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | BZG05B | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 2,06% | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | BZG05 | 1,25 w | DO-214AC | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0050 | 6.000 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA A 4 V | 6,8 v | 3,5 ohms | |||||||||||||||||||||
| BZG05B75-E3-TR3 | - | | 7142 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | BZG05B | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | BZG05 | 1,25 w | DO-214AC | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0050 | 6.000 | 1,2 V @ 200 mA | 500 Na @ 56 V | 75 v | 135 ohms | |||||||||||||||||||||
| Egl34bhe3_a/i | - | | 8733 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101, SuperiorIcier® | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-213AA (Vidro) | Egl34 | Padrão | DO-213AA (GL34) | download | Alcançar Não Afetado | Egl34bhe3_b/i | Ear99 | 8541.10.0070 | 9.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 1,25 V @ 500 mA | 50 ns | 5 µA A 100 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 500mA | 7pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||
 | PLZ3V3B-HG3_A/H. | 0,3600 | | 8 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotive, AEC-Q101, PLZ | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 3,07% | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DO-219AC | Plz3v3 | 960 MW | DO-219AC (Microsmf) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 4.500 | 900 mV a 10 mA | 10 µA A 1 V | 3,43 v | 70 ohms | ||||||||||||||||||||
| Plz9v1a-g3/h | 0,2800 | | 20 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Plz | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 2,59% | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DO-219AC | Plz9v1 | 960 MW | DO-219AC (Microsmf) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 4.500 | 900 mV a 10 mA | 500 Na @ 6 V | 8.51 v | 8 ohms | ||||||||||||||||||||
| BZG03B12TR3 | - | | 3612 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101, BZG03B | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | BZG03 | 1,25 w | DO-214AC | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0050 | 6.000 | 1,2 V @ 500 mA | 3 µA A 9,1 V | 12 v | 7 ohms | |||||||||||||||||||||
| BZG03B75TR3 | - | | 9050 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101, BZG03B | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | BZG03 | 1,25 w | DO-214AC | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0050 | 6.000 | 1,2 V @ 500 mA | 1 µA @ 56 V | 75 v | 100 ohms | |||||||||||||||||||||
| BZG03B91TR | - | | 7490 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101, BZG03B | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | BZG03 | 1,25 w | DO-214AC | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0050 | 6.000 | 1,2 V @ 500 mA | 1 µA A 68 V | 91 v | 200 ohms | |||||||||||||||||||||
| BZG05B12-E3-TR | - | | 9024 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | BZG05B | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | BZG05 | 1,25 w | DO-214AC | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0050 | 6.000 | 1,2 V @ 200 mA | 500 Na @ 9,1 V | 12 v | 9 ohms | |||||||||||||||||||||
| BZG05B18-E3-TR3 | - | | 3017 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | BZG05B | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | BZG05 | 1,25 w | DO-214AC | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0050 | 6.000 | 1,2 V @ 200 mA | 500 Na @ 13 V | 18 v | 20 ohms | |||||||||||||||||||||
| VS-130MT160C | 87.4500 | | 4034 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Ativo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem do chassi | Mtc | 130MT160 | Padrão | Mtc | download | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 12 | 2,05 V @ 300 A | 130 a | Três fase | 1,6 kV | |||||||||||||||||||||||
| VS-150MT060WDF-P | - | | 1842 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montagem do chassi | Módulo de 12 mtp | 150MT060 | 543 w | Padrão | 12 MTP Pressfit | - | Não Aplicável | Ear99 | 8541.29.0095 | 105 | Chopper Duplo | - | 600 v | 138 a | 2.48V @ 15V, 80A | 100 µA | Não | 14 NF @ 30 V | ||||||||||||||||||
| VS-ETY020P120F | 179.8500 | | 5155 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Bandeja | Ativo | ETY020 | download | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 60 |
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