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| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tolerânia | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Poder - Máx | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Velocidade | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção | Corrente - Retificada Média (IO) | CapacitânCia @ VR, F | Tipo de diodo | Tensão - Pico Reverso (Max) | Tensão - Zener (NOM) (VZ) | Impedioso (máx) (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 2KBP06ML-36E4/51 | - |  | 6394 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Bandeja | Obsoleto | -55 ° C ~ 165 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-sip, KBPM | 2kbp06 | Padrão | KBPM | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 600 | 1,1 V @ 3,14 A | 5 µA A 600 V | 2 a | Fase Única | 600 v | |||||||||||
| 2KBP06ML-6145E4/72 | - | | 3294 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | CAIXA | Obsoleto | -55 ° C ~ 165 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-sip, KBPM | 2kbp06 | Padrão | KBPM | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 200 | 1,1 V @ 3,14 A | 5 µA A 600 V | 2 a | Fase Única | 600 v | |||||||||||
| 2KBP06ML-6762E4/72 | - | | 4069 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | CAIXA | Obsoleto | -55 ° C ~ 165 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-sip, KBPM | 2kbp06 | Padrão | KBPM | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 200 | 1,1 V @ 3,14 A | 5 µA A 600 V | 2 a | Fase Única | 600 v | |||||||||||
| 2KBP08M-23E4/51 | - | | 9662 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Bandeja | Obsoleto | -55 ° C ~ 165 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-sip, KBPM | 2kbp08 | Padrão | KBPM | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 600 | 1,1 V @ 3,14 A | 5 µA A 800 V | 2 a | Fase Única | 800 v | |||||||||||
| 2KBP08ML-6581E4/72 | - | | 1605 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | CAIXA | Obsoleto | -55 ° C ~ 165 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-sip, KBPM | 2kbp08 | Padrão | KBPM | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 200 | 1,1 V @ 3,14 A | 5 µA A 800 V | 2 a | Fase Única | 800 v | |||||||||||
| 2KBP08ML-7001E4/72 | - | | 7689 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | CAIXA | Obsoleto | -55 ° C ~ 165 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-sip, KBPM | 2kbp08 | Padrão | KBPM | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 200 | 1,1 V @ 3,14 A | 5 µA A 800 V | 2 a | Fase Única | 800 v | |||||||||||
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| 2KBP10ML-7001E4/51 | - | | 2671 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Obsoleto | -55 ° C ~ 165 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-sip, KBPM | 2kbp10 | Padrão | KBPM | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 600 | 1,1 V @ 3,14 A | 5 µA A 1000 V | 2 a | Fase Única | 1 kv | |||||||||||
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| KBP08ML-6747E4/51 | - | | 7762 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Bandeja | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-sip, KBPM | KBP08 | Padrão | KBPM | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 600 | 1,3 V @ 1,57 A | 5 µA A 800 V | 1.5 a | Fase Única | 800 v | |||||||||||
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| BZG05B6V8-E3-TR | - | | 2453 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | BZG05B | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 2,06% | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | BZG05 | 1,25 w | DO-214AC | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0050 | 6.000 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA A 4 V | 6,8 v | 3,5 ohms | ||||||||||||
| BZG05B75-E3-TR3 | - | | 7142 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | BZG05B | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | BZG05 | 1,25 w | DO-214AC | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0050 | 6.000 | 1,2 V @ 200 mA | 500 Na @ 56 V | 75 v | 135 ohms | ||||||||||||
| Egl34bhe3_a/i | - | | 8733 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101, SuperiorIcier® | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-213AA (Vidro) | Egl34 | Padrão | DO-213AA (GL34) | download | Alcançar Não Afetado | Egl34bhe3_b/i | Ear99 | 8541.10.0070 | 9.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 1,25 V @ 500 mA | 50 ns | 5 µA A 100 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 500mA | 7pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||
 | PLZ3V3B-HG3_A/H. | 0,3600 | | 8 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotive, AEC-Q101, PLZ | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 3,07% | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DO-219AC | Plz3v3 | 960 MW | DO-219AC (Microsmf) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 4.500 | 900 mV a 10 mA | 10 µA A 1 V | 3,43 v | 70 ohms | |||||||||||
| Plz9v1a-g3/h | 0,2800 | | 20 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Plz | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 2,59% | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DO-219AC | Plz9v1 | 960 MW | DO-219AC (Microsmf) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 4.500 | 900 mV a 10 mA | 500 Na @ 6 V | 8.51 v | 8 ohms |
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