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Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tolerânia | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Poder - Máx | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Velocidade | Configuraça do Diodo | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção | Corrente - Retificada Média (IO) | CapacitânCia @ VR, F | Tensão - Zener (NOM) (VZ) | Impedioso (máx) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MMSZ5240C-G3-08 | 0,3600 | ![]() | 15 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | SOD-123 | MMSZ5240 | 500 MW | SOD-123 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 3 µA a 8 V | 10 v | 17 ohms | ||||||||||||
![]() | VS-1N2130A | - | ![]() | 1905 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pântano | DO-203AB, DO-5, Stud | 1N2130 | Padrão | DO-203AB (DO-5) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 150 v | 1,3 V @ 188 A | 10 mA A 150 V | -65 ° C ~ 200 ° C. | 60a | - | ||||||||||
![]() | VS-STPS40L15CT-N3 | - | ![]() | 7072 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | Através do buraco | To-220-3 | STPS40 | Schottky | To-220-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | VSSTPS40L15CTN3 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 15 v | 20a | 410 mV @ 19 A | 10 mA a 15 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | |||||||||
![]() | BZX384B75-E3-18 | 0,0360 | ![]() | 5653 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | BZX384 | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | SC-76, SOD-323 | BZX384B75 | 200 MW | SOD-323 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 50 Na @ 52,5 V | 75 v | 255 ohms | ||||||||||||
![]() | 1N5399GPHE3/73 | - | ![]() | 6730 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Superectifier® | Fita E CAIXA (TB) | Obsoleto | Através do buraco | DO-204AC, DO-15, axial | 1N5399 | Padrão | DO-204AC (DO-15) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1000 v | 1,4 V @ 1,5 A | 2 µs | 5 µA A 1000 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1.5a | 15pf @ 4V, 1MHz | |||||||||
![]() | VS-63CPQ100GPBF | - | ![]() | 9374 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | Através do buraco | To-247-3 | 63cpq100 | Schottky | TO-247AC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Vs63cpq100gpbf | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 100 v | 30a | 920 mV @ 60 A | 300 µA @ 100 V | 175 ° C (max) | ||||||||||
![]() | Rs2dhe3/52t | - | ![]() | 1389 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | DO-214AA, SMB | RS2 | Padrão | DO-214AA (SMB) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 750 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1,3 V @ 1,5 A | 150 ns | 5 µA A 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1.5a | 20pf @ 4V, 1MHz | |||||||||
![]() | GP10-4004E-E3/53 | - | ![]() | 1081 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Superectifier® | Fita E CAIXA (TB) | Ativo | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | Gp10 | Padrão | DO-204AL (DO-41) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,1 V @ 1 A | 3 µs | 5 µA A 400 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 8pf @ 4V, 1MHz | |||||||||
![]() | FESF8DT-E3/45 | 0,6320 | ![]() | 4505 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-2, Guia Isolada | FESF8 | Padrão | ITO-220AC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 950 mV @ 8 A | 35 ns | 10 µA A 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 8a | - | |||||||||
![]() | Esh2C-E3/5BT | 0,1576 | ![]() | 7569 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AA, SMB | Esh2 | Padrão | DO-214AA (SMB) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.200 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 150 v | 930 mV @ 2 a | 35 ns | 2 µA A 150 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 2a | - | |||||||||
![]() | VS-32CTQ030-1HM3 | 1.2553 | ![]() | 7545 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Ativo | Através do buraco | TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA | 32CTQ030 | Schottky | TO-262-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 30 v | 15a | 490 mV @ 15 A | 1,75 mA a 30 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||
![]() | Smzj3799b-m3/5b | 0.1304 | ![]() | 9539 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | DO-214AA, SMB | SMZJ3799 | 1,5 w | DO-214AA (SMBJ) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.200 | 5 µA a 20,6 V | 27 v | 23 ohms | ||||||||||||
![]() | VI20120SG-E3/4W | 0,7435 | ![]() | 5319 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA | VI20120 | Schottky | TO-262AA | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 120 v | 1,33 V @ 20 A | 250 µA A 120 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 20a | - | ||||||||||
MPG06G-E3/100 | 0,1487 | ![]() | 8434 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Fita E CAIXA (TB) | Ativo | Através do buraco | MPG06, axial | MPG06 | Padrão | MPG06 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,1 V @ 1 A | 600 ns | 5 µA A 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 10pf @ 4V, 1MHz |
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