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Produtos semicondutores discretos (31214)
| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tolerânia | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Poder - Máx | Estrutura | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Configuraça | Velocidade | ATUAL - Hold (ih) (Máx) | Tensão - Estado Off - Off | ATUAL - SEM ESTADO (IT (RMS)) (Max) | Tensão - Gatilho de Porta (VGT) (MAX) | Corrente - Não Rep. Surge 50, 60Hz (ITSM) | Corrente - Gatilho de Portão (IGT) (max) | Tensão - No Estado (VTM) (Max) | ATUAL - SEM ESTADO (IT (AV)) (MAX) | ATUAL - Off State (Max) | TIPO SCR | Configuraça do Diodo | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção | Corrente - Retificada Média (IO) | CapacitânCia @ VR, F | Número de SCRS, Diodos | Tensão - Zener (NOM) (VZ) | Impedioso (máx) (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | BZM55B3V3-TR | 0,3200 |  | 4 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101, BZM55 | Tape & Reel (TR) | Ativo | - | -65 ° C ~ 175 ° C. | Montagem na Superfície | 2-SMD, sem chumbo | BZM55B3V3 | 500 MW | Micromell | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1,5 V @ 200 mA | 2 µA @ 1 V | 3,3 v | 600 ohms | ||||||||||||||||||||||||
 | MB10H100HE3_B/i | 1.6700 | | 1 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | MB10H100 | Schottky | TO-263AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 770 mV @ 10 a | 4,5 µA a 100 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 10a | - | |||||||||||||||||||||||
| 10TTS08S | - | | 3189 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 125 ° C. | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | 10TTS08 | TO-263AB (D²PAK) | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.30.0080 | 1.000 | 30 mA | 800 v | 10 a | 1 v | 140A @ 50Hz | 15 MA | 1.15 v | 6.5 a | 50 µA | RecuperAção Padrão | ||||||||||||||||||||
 | MMBZ27VDA-HE3-18 | 0,4000 | | 9 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | - | -55 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBZ27 | 225 MW | SOT-23-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1 par ânodo comum | 1,1 V @ 200 mA | 80 Na @ 22 V | 27 v | ||||||||||||||||||||||||
 | V20dl45bp-m3/i | 0,8300 | | 4 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | ESMP®, TMBS® | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia) Variante | V20dl45 | Schottky | Smpd | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 45 v | 640 mV @ 20 A | 2,5 mA a 45 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 20a | - | |||||||||||||||||||||||
 | VSKH250-12 | - | | 6787 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Obsoleto | - | Montagem do chassi | 3-MAGN-A-PAK ™ | Vskh250 | CONEXÃO EM SÉRIE - SCR/DIODO | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.30.0080 | 2 | 500 MA | 1,2 kV | 555 a | 3 v | 8500A, 8900A | 200 MA | 250 a | 1 scr, 1 diodo | ||||||||||||||||||||||
 | TLZ5V1-GS18 | 0,0335 | | 1387 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Tlz | Tape & Reel (TR) | Ativo | - | -65 ° C ~ 175 ° C. | Montagem na Superfície | DO-213AC, Mini-Me-SED, SOD-80 | Tlz5v1 | 500 MW | SOD-80 MINIMELL | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,5 V @ 200 mA | 2 µA @ 2 V | 5.1 v | 20 ohms | ||||||||||||||||||||||||
| MMBZ5226B-E3-08 | 0,2100 | | 8 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBZ5226 | 225 MW | SOT-23-3 | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 25 µA @ 1 V | 3,3 v | 28 ohms | |||||||||||||||||||||||||
| 20CTQ035STRR | - | | 5996 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | 20ctq | Schottky | TO-263AB (D²PAK) | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 35 v | 10a | 640 mV @ 10 A | 2 mA a 35 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | |||||||||||||||||||||||
 | IRKT27/04A | - | | 2224 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Obsoleto | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Montagem do chassi | Add-a-pak (3 + 4) | IRKT27 | CONEXÃO EM SÉRIE - TODOS OS SCRS | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.30.0080 | 10 | 200 MA | 400 v | 60 a | 2,5 v | 400A, 420A | 150 MA | 27 a | 2 scrs | ||||||||||||||||||||||
 | VS-8EWS12ST-M3 | 3.0000 | | 1 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | 8ews12 | Padrão | D-Pak (TO-252AA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1200 v | 1,1 V @ 8 A | 50 µA A 1200 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 8a | - | |||||||||||||||||||||||
| VS-MBRB1045TRL-M3 | 1.5675 | | 1196 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | MBRB1045 | Schottky | TO-263AB (D²PAK) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 45 v | 570 mV @ 10 A | 100 µA A 45 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 10a | 600pf @ 5V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||
 | 1N5819-E3/53 | 0,5200 | | 8 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Fita de Corte (CT) | Ativo | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 1N5819 | Schottky | DO-204AL (DO-41) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 40 v | 900 mV @ 3.1 A | 1 mA a 40 V | -65 ° C ~ 125 ° C. | 1a | 110pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||
| DZ23C15-G3-08 | 0,0483 | | 8743 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Dz23-g | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Dz23 | 300 MW | SOT-23-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 15.000 | 1 par cátodo comum | 100 Na @ 11 V | 15 v | 30 ohms | ||||||||||||||||||||||||
| MMBZ5231B-E3-08 | - | | 7559 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBZ5231 | 225 MW | SOT-23-3 | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 5 µA @ 2 V | 5.1 v | 17 ohms | |||||||||||||||||||||||||
 | Vs-vskc320-16pbf | 201.1700 | | 8051 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Ativo | Montagem do chassi | Int-a-pak | Vskc320 | Padrão | Int-a-pak | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Vsvskc32016pbf | Ear99 | 8541.10.0080 | 2 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | CONEXÃO DE 1 SÉRIE DA SÉRIE | 1600 v | 40A | 50 mA a 1600 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||||||||||||||
 | VS-31DQ03 | - | | 6276 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Obsoleto | Através do buraco | Do-201D, axial | 31DQ03 | Schottky | C-16 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 30 v | 570 mV @ 3 a | 1 mA a 30 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 3.3a | - | |||||||||||||||||||||||
| AZ23C8V2-HE3_A-08 | - | | 9374 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotive, AEC-Q101, AZ23 | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 300 MW | SOT-23-3 | download | 112-AZ23C8V2-HE3_A-08TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 par ânodo comum | 700 Na @ 5 V | 8.2 v | 15 ohms | |||||||||||||||||||||||||||
 | SE30AFG-M3/6A | 0,4400 | | 25 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | ESMP® | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-221AC, SMA Flat Leads | SE30 | Padrão | DO-221AC (Slimsma) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.500 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,1 V @ 3 A | 1,5 µs | 10 µA A 400 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 1.4a | 19pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||
 | BZG05C6V2-HM3-08 | 0,4200 | | 4 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101, BZG05C-M | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 6,45% | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | BZG05C6V2 | 1,25 w | DO-214AC (SMA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA A 3 V | 6.2 v | 4 ohms | ||||||||||||||||||||||||
 | Sl44he3_b/i | 0,4125 | | 8087 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AB, SMC | SL44 | Schottky | DO-214AB (SMC) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 40 v | 500 mv @ 8 a | 500 µA A 40 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | 8a | - | |||||||||||||||||||||||
 | BZT55A5V1-GS08 | - | | 2008 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 1% | 175 ° C. | Montagem na Superfície | Variante SOD-80 | BZT55 | 500 MW | Sod-80 Quadromell | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1,5 V @ 200 mA | 100 Na @ 1 V | 5.1 v | 60 ohms | ||||||||||||||||||||||||
| HFA320NJ40D | - | | 4134 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Hexfred® | Volume | Obsoleto | Montagem do chassi | Guia Isolada parágrafo 244AB | HFA320 | Padrão | To-244ab (Isolado) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | *HFA320NJ40D | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | CONEXÃO DE 1 SÉRIE DA SÉRIE | 400 v | 321a (DC) | 1,55 V @ 320 A | 140 ns | 12 µA A 400 V | ||||||||||||||||||||||
| TZM5266C-GS18 | - | | 4227 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 2% | 175 ° C. | Montagem na Superfície | DO-213AC, Mini-Me-SED, SOD-80 | TZM5266 | 500 MW | SOD-80 MINIMELL | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,1 V @ 200 mA | 100 Na @ 52 V | 68 v | 230 ohms | ||||||||||||||||||||||||
 | BZD27C22P-M3-18 | 0,1650 | | 4508 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | BZD27-M | Tape & Reel (TR) | Ativo | - | -65 ° C ~ 175 ° C. | Montagem na Superfície | DO-219AB | BZD27C22 | 800 MW | DO-219AB (SMF) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 50.000 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA A 16 V | 22 v | 15 ohms | ||||||||||||||||||||||||
 | 1N6480HE3/97 | - | | 7707 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Superectifier® | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | Do-213ab, Mell (Vidro) | 1N6480 | Padrão | DO-213AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 1n6480he3_a/i | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1,1 V @ 1 A | 10 µA A 200 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 8pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||
| BZG03C200-HM3-18 | 0.1898 | | 5698 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101, BZG03C-M | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 6% | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | BZG03C200 | 1,25 w | DO-214AC (SMA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 6.000 | 1,2 V @ 500 mA | 1 µA A 150 V | 200 v | 500 ohms | ||||||||||||||||||||||||
| MBRB2535CT-E3/45 | - | | 8578 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | MBRB25 | Schottky | TO-263AB (D²PAK) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 35 v | 15a | 820 mV @ 30 A | 200 µA A 35 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||||||||||||||
| BZM55C15-TR3 | 0,2800 | | 8312 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101, BZM55 | Tape & Reel (TR) | Ativo | - | -65 ° C ~ 175 ° C. | Montagem na Superfície | 2-SMD, sem chumbo | BZM55C15 | 500 MW | Micromell | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,5 V @ 200 mA | 100 Na @ 11 V | 15 v | 110 ohms | ||||||||||||||||||||||||
 | VS-SD1700C45K | 288.7500 | | 1544 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Ativo | Prenda | DO-200AC, K-Puk | SD1700 | Padrão | DO-200AC, K-Puk | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 2 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 4500 v | 2.11 V @ 4000 A | 75 mA @ 4500 V | 1875a | - |
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