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Produtos semicondutores discretos (31214)
| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tolerânia | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Poder - Máx | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Velocidade | Configuraça do Diodo | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção | Corrente - Retificada Média (IO) | CapacitânCia @ VR, F | Tensão - Zener (NOM) (VZ) | Impedioso (máx) (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | VS-20ETF04STRL-M3 | 2.8200 |  | 2473 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | 20ETF04 | Padrão | TO-263AB (D²PAK) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,3 V @ 20 A | 160 ns | 100 µA A 400 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 20a | - | |||||||||
 | MMSZ5258C-E3-08 | 0,3200 | | 30 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | SOD-123 | MMSZ5258 | 500 MW | SOD-123 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 100 Na @ 27 V | 36 v | 70 ohms | ||||||||||||
 | VS-8EWS10STR-M3 | 0,4950 | | 6418 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | 8ews10 | Padrão | D-Pak (TO-252AA) | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1000 v | 1,1 V @ 8 A | 50 µA A 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 8a | - | ||||||||||
 | 8TQ080 | - | | 1626 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | Através do buraco | To-220-2 | 8TQ080 | Schottky | TO-220AC | - | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 80 v | 720 mv @ 8 a | 550 µA A 80 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 8a | - | ||||||||||
 | GDZ16B-HE3-08 | 0,2800 | | 2111 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101, GDZ | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 4% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | SC-76, SOD-323 | GDZ16 | 200 MW | SOD-323 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 100 Na @ 12 V | 16 v | 50 ohms | ||||||||||||
| BZX384C68-HE3-18 | 0,0341 | | 1274 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotive, AEC-Q101, BZX384 | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | SC-76, SOD-323 | BZX384C68 | 200 MW | SOD-323 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 50 Na @ 47,6 V | 68 v | 240 ohms | ||||||||||||
 | BZG05C10-HE3-TR3 | - | | 2360 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101, BZG05C | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 5% | 150 ° C. | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | BZG05 | 1,25 w | DO-214AC (SMA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 6.000 | 1,2 V @ 200 mA | 500 Na @ 7 V | 10 v | 7 ohms | |||||||||||
 | S1PDHM3/85A | 0,0754 | | 4768 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotive, AEC-Q101, ESMP® | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-220AA | S1p | Padrão | DO-220AA (SMP) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 10.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1,1 V @ 1 A | 1,8 µs | 1 µA A 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 6pf @ 4V, 1MHz | |||||||||
| BZG05C4V3-HE3-TR3 | - | | 5133 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101, BZG05C | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 5% | 150 ° C. | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | BZG05 | 1,25 w | DO-214AC (SMA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 6.000 | 1,2 V @ 200 mA | 3 µA @ 1 V | 4.3 v | 13 ohms | |||||||||||
| GDZ2V0B-G3-18 | 0,3300 | | 37 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | GDZ-G | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 4% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | SC-76, SOD-323 | GDZ2V0 | 200 MW | SOD-323 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 120 µA A 500 mV | 2 v | 100 ohms | ||||||||||||
 | Rs2g/1 | - | | 5231 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AA, SMB | Rs2g | Padrão | DO-214AA (SMB) | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,3 V @ 1,5 A | 150 ns | 5 µA A 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1.5a | 20pf @ 4V, 1MHz | |||||||||
 | BZT52B51-HE3_A-08 | 0,0533 | | 9061 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotive, AEC-Q101, BZT52 | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SOD-123 | 300 MW | SOD-123 | download | 112-BZT52B51-HE3_A-08TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 15.000 | 100 Na @ 38 V | 51 v | 100 ohms | |||||||||||||||
 | MBRF745HE3/45 | - | | 4818 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-2, Guia Isolada | MBRF7 | Schottky | ITO-220AC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 45 v | 840 mV @ 15 A | 100 µA A 45 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 7.5a | - | ||||||||||
 | 20ETF10FP | - | | 7551 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-2 | 20ETF10 | Padrão | TO-220AC PACK CONCLUTO | - | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1000 v | 1,31 V @ 20 A | 400 ns | 100 µA A 1000 V | 20a | - | ||||||||||
 | 20ETF08 | - | | 6362 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | Através do buraco | To-220-2 | 20ETF08 | Padrão | TO-220AC | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 800 v | 1,31 V @ 20 A | 400 ns | 100 µA A 800 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 20a | - | |||||||||
 | FEPF16ATHE3_A/P. | - | | 4285 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Obsoleto | Através do buraco | Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada | FEPF16 | Padrão | ITO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 50 v | 8a | 950 mV @ 8 A | 35 ns | 10 µA a 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||
 | GP30BHE3/54 | - | | 2824 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101, SuperiorIcier® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Através do buraco | Do-201D, axial | GP30 | Padrão | Do-201d | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.400 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 1,2 V @ 3 A | 5 µs | 5 µA A 100 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 3a | - | |||||||||
| MBR25H60CT-E3/4W | - | | 8800 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | Através do buraco | To-220-3 | MBR25 | Schottky | To-220-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 60 v | 15a | 700 mV @ 15 a | 100 µA A 60 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | ||||||||||
 | VS-60EPF10-M3 | 6.5711 | | 6461 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-247-2 | 60EPF10 | Padrão | TO-247AC Modifado | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | VS-60EPF10-M3GI | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1000 v | 1,4 V @ 60 A | 480 ns | 100 µA A 1000 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 60a | - | ||||||||
 | BZD27C8V2P-E3-08 | 0,5300 | | 6848 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | BZD27C | Tape & Reel (TR) | Ativo | - | -65 ° C ~ 175 ° C. | Montagem na Superfície | DO-219AB | BZD27C8V2 | 800 MW | DO-219AB (SMF) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V @ 200 mA | 10 µA A 3 V | 8.2 v | 2 ohms | |||||||||||
| S1BA-E3/5AT | - | | 6180 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | S1b | Padrão | DO-214AC (SMA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 7.500 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 1,1 V @ 1 A | 1 µs | 3 µA A 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 8pf @ 4V, 1MHz | |||||||||
| 19TQ015 | - | | 4068 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | Através do buraco | To-220-2 | 19TQ015 | Schottky | TO-220AC | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 15 v | 360 mV @ 19 A | 1,5 mA a 15 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | 19a | - | ||||||||||
| BZD27B91P-E3-18 | 0,1050 | | 7867 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | BZD27B | Tape & Reel (TR) | Ativo | - | -65 ° C ~ 175 ° C. | Montagem na Superfície | DO-219AB | BZD27B91 | 800 MW | DO-219AB (SMF) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 50.000 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA A 68 V | 91 v | 200 ohms | |||||||||||
 | 1N4006GP-E3/54 | 0,4900 | | 1 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Superectifier® | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 1N4006 | Padrão | DO-204AL (DO-41) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.500 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 800 v | 1,1 V @ 1 A | 2 µs | 5 µA A 800 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 8pf @ 4V, 1MHz | |||||||||
| MMSZ5259C-G3-08 | 0,0483 | | 1516 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | SOD-123 | MMSZ5259 | 500 MW | SOD-123 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 15.000 | 100 Na @ 30 V | 39 v | 80 ohms | ||||||||||||
| SML4748A-E3/5A | 0,1815 | | 7762 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | 150 ° C. | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | SML4748 | 1 w | DO-214AC (SMA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 7.500 | 5 µA A 16,7 V | 22 v | 23 ohms | ||||||||||||
 | Au2pdhm3_a/i | 0,4950 | | 2834 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotive, AEC-Q101, ESMP® | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-277, 3-POWERDFN | Au2 | Avalanche | TO-277A (SMPC) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 6.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1,9 V @ 2 A | 75 ns | 10 µA A 200 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 1.6a | 42pf @ 4V, 1MHz | |||||||||
| GP30GE-E3/54 | - | | 3649 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Superectifier® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Através do buraco | Do-201D, axial | GP30 | Padrão | Do-201d | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.400 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,1 V @ 3 A | 5 µs | 5 µA A 400 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 3a | - | |||||||||
| BZT52C56-HE3_A-08 | 0,0533 | | 3195 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotive, AEC-Q101, BZT52 | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SOD-123 | 300 MW | SOD-123 | download | 112-BZT52C56-HE3_A-08TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 15.000 | 100 Na @ 42 V | 56 v | 135 ohms | |||||||||||||||
| BYG20GHE3_A/i | 0,1419 | | 5570 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | BYG20 | Avalanche | DO-214AC (SMA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 7.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,4 V @ 1,5 A | 75 ns | 1 µA A 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1.5a | - |
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