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Produtos semicondutores discretos (31214)
| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tolerânia | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Poder - Máx | Estrutura | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Configuraça | Velocidade | ATUAL - Hold (ih) (Máx) | Tensão - Estado Off - Off | ATUAL - SEM ESTADO (IT (RMS)) (Max) | Tensão - Gatilho de Porta (VGT) (MAX) | Corrente - Não Rep. Surge 50, 60Hz (ITSM) | Corrente - Gatilho de Portão (IGT) (max) | Tensão - No Estado (VTM) (Max) | ATUAL - SEM ESTADO (IT (AV)) (MAX) | ATUAL - Off State (Max) | TIPO SCR | Configuraça do Diodo | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção | Corrente - Retificada Média (IO) | CapacitânCia @ VR, F | Número de SCRS, Diodos | Tensão - Zener (NOM) (VZ) | Impedioso (máx) (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | VSKT430-20 | - |  | 6206 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem do chassi | Super Magn-A-Pak | Vskt430 | CONEXÃO EM SÉRIE - TODOS OS SCRS | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.30.0080 | 1 | 500 MA | 2 kv | 675 a | 3 v | 15700A, 16400A | 430 a | 2 scrs | |||||||||||||||||||||||
 | IRKT56/06A | - | | 6175 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Obsoleto | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Montagem do chassi | Add-a-pak (3 + 4) | IRKT56 | CONEXÃO EM SÉRIE - TODOS OS SCRS | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.30.0080 | 10 | 200 MA | 600 v | 135 a | 2,5 v | 1310A, 1370A | 150 MA | 60 a | 2 scrs | ||||||||||||||||||||||
 | VS-31DQ04 | - | | 8841 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Obsoleto | Através do buraco | Do-201D, axial | 31DQ04 | Schottky | C-16 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 40 v | 570 mV @ 3 a | 1 mA a 40 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 3.3a | - | |||||||||||||||||||||||
| VS-180RKI100PBF | 72.4908 | | 2283 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Ativo | -40 ° C ~ 125 ° C. | Chassi, montagem em pântano | TO-209AB, TO-93-4, Stud | 180RKI100 | TO-209AB (TO-93) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Vs180rki100pbf | Ear99 | 8541.30.0080 | 12 | 600 mA | 1 kv | 285 a | 2,5 v | 3500A, 3660A | 150 MA | 1,35 v | 180 a | 30 mA | RecuperAção Padrão | |||||||||||||||||||
 | MMSZ5267C-E3-08 | 0,0433 | | 7003 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | SOD-123 | MMSZ5267 | 500 MW | SOD-123 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 15.000 | 100 Na @ 56 V | 75 v | 270 ohms | |||||||||||||||||||||||||
| VS-ST110S04P1VPBF | 63.9532 | | 4687 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Ativo | -40 ° C ~ 125 ° C. | Chassi, montagem em pântano | TO-209AC, parágrafo 94-4, Stud | ST110 | TO-209AC (TO-94) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | VSST110S04P1VPBF | Ear99 | 8541.30.0080 | 25 | 600 mA | 400 v | 175 a | 3 v | 2270A, 2380A | 150 MA | 1,52 v | 110 a | 20 MA | RecuperAção Padrão | |||||||||||||||||||
 | IMBD4448-E3-08 | 0,0396 | | 8374 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | IMBD4448 | Padrão | SOT-23-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 15.000 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 75 v | 1 V @ 10 Ma | 4 ns | 2,5 µA A 70 V | 150 ° C (Máximo) | 150mA | - | ||||||||||||||||||||||
 | Vs-vskt142/14pbf | 84.2500 | | 9071 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Ativo | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Montagem do chassi | Int-a-pak | Vskt142 | CONEXÃO EM SÉRIE - TODOS OS SCRS | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.30.0080 | 15 | 200 MA | 1,4 kV | 310 a | 2,5 v | 4500A, 4712A | 150 MA | 140 a | 2 scrs | ||||||||||||||||||||||
 | SS5P9-E3/87A | - | | 8864 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | ESMP® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | TO-277, 3-POWERDFN | SS5P9 | Schottky | TO-277A (SMPC) | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 6.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 90 v | 880 mV @ 5 A | 15 µA A 90 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 5a | - | |||||||||||||||||||||||
| VS-ST180C18C1 | 120.3842 | | 4034 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Ativo | -40 ° C ~ 125 ° C. | Montagem do chassi | TO-200B, A-Puk | ST180 | TO-200B, A-Puk | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | VSST180C18C1 | Ear99 | 8541.30.0080 | 12 | 600 mA | 1,8 kV | 660 a | 3 v | 4200A, 4400A | 150 MA | 1,96 v | 350 a | 30 mA | RecuperAção Padrão | |||||||||||||||||||
 | 1N4246GP-E3/73 | - | | 9312 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Superectifier® | Fita E CAIXA (TB) | Ativo | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 1N4246 | Padrão | DO-204AL (DO-41) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,2 V @ 1 A | 1 µA A 400 V | -65 ° C ~ 160 ° C. | 1a | 8pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||
| Vs-10ria80m | 17.1757 | | 9224 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tubo | Ativo | -65 ° C ~ 125 ° C. | Chassi, montagem em pântano | TO-208AA, TO-48-3, Stud | 10ria80 | TO-208AA (TO-48) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Vs10ria80m | Ear99 | 8541.30.0080 | 100 | 130 MA | 800 v | 10 a | 2 v | 190a, 200a | 60 MA | 1,75 v | 25 a | 10 MA | RecuperAção Padrão | |||||||||||||||||||
 | VT2080C-E3/4W | 0,6691 | | 9330 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-220-3 | VT2080 | Schottky | To-220-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | VT2080CE34W | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 80 v | 10a | 810 mV @ 10 A | 600 µA A 80 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||||||||||||||
 | VS-ST230C12C0 | 70.8900 | | 6122 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Ativo | -40 ° C ~ 125 ° C. | Montagem do chassi | TO-200B, A-Puk | ST230 | TO-200B, A-Puk | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.30.0080 | 12 | 600 mA | 1,2 kV | 780 a | 3 v | 5700A, 5970A | 150 MA | 1,69 v | 410 a | 30 mA | RecuperAção Padrão | ||||||||||||||||||||
| Vs-vs19csr16l | - | | 7502 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Última Vez compra | Vs19 | - | 112-VS-VS19CSR16L | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | VBT3060G-E3/8W | 0,5483 | | 9583 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | VBT3060 | Schottky | TO-263AB (D²PAK) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 60 v | 15a | 730 mV @ 15 A | 850 µA A 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||||||||||||||
| IRKT27/16A | - | | 5625 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Obsoleto | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Montagem do chassi | Add-a-pak (3 + 4) | IRKT27 | CONEXÃO EM SÉRIE - TODOS OS SCRS | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.30.0080 | 10 | 200 MA | 1,6 kV | 60 a | 2,5 v | 400A, 420A | 150 MA | 27 a | 2 scrs | ||||||||||||||||||||||
 | VS-ST1200C18K0P | 288.5850 | | 4746 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Não é para desenhos para Novos | -40 ° C ~ 125 ° C. | Montagem do chassi | TO-200AC, K-PUK, A-24 | ST1200 | A-24 (K-Puk) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | VSST1200C18K0P | Ear99 | 8541.30.0080 | 2 | 600 mA | 1,8 kV | 3080 a | 3 v | 25700A, 26900A | 200 MA | 1,73 v | 1650 a | 100 ma | RecuperAção Padrão | |||||||||||||||||||
| Vs-vskv91/10 | 47.8760 | | 2826 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Ativo | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Montagem do chassi | Add-a-pak (3 + 4) | Vskv91 | Ânodo comum - Todos OS SCRS | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | VSVSKV9110 | Ear99 | 8541.30.0080 | 10 | 250 Ma | 1 kv | 150 a | 2,5 v | 2000a, 2094a | 150 MA | 95 a | 2 scrs | |||||||||||||||||||||
| IRKH42/12A | - | | 1008 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Obsoleto | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Montagem do chassi | Add-a-Pak (3 + 2) | IRKH42 | CONEXÃO EM SÉRIE - SCR/DIODO | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.30.0080 | 10 | 200 MA | 1,2 kV | 100 a | 2,5 v | 850A, 890A | 150 MA | 45 a | 1 scr, 1 diodo | ||||||||||||||||||||||
 | Es1bhe3_a/i | 0,3900 | | 2103 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | ES1 | Padrão | DO-214AC (SMA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 7.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 920 mV @ 1 a | 25 ns | 5 µA A 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 10pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||
| VS-81RIA40 | 36.5572 | | 7427 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Ativo | -40 ° C ~ 125 ° C. | Chassi, montagem em pântano | TO-209AC, parágrafo 94-4, Stud | 81ria40 | TO-209AC (TO-94) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Vs81ria40 | Ear99 | 8541.30.0080 | 25 | 200 MA | 400 v | 125 a | 2,5 v | 1600A, 1675A | 120 MA | 1.6 V. | 80 a | 15 MA | RecuperAção Padrão | |||||||||||||||||||
 | Vs-vskh26/14 | 37.1300 | | 5328 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Ativo | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Montagem do chassi | Add-a-pak (3 + 4) | Vskh26 | CONEXÃO EM SÉRIE - SCR/DIODO | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Vsvskh2614 | Ear99 | 8541.30.0080 | 10 | 200 MA | 1,4 kV | 60 a | 2,5 v | 400A, 420A | 150 MA | 27 a | 1 scr, 1 diodo | |||||||||||||||||||||
| Vs-vskl91/08 | 42.8990 | | 3230 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Ativo | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Montagem do chassi | Add-a-pak (3 + 4) | Vskl91 | CONEXÃO EM SÉRIE - SCR/DIODO | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Vsvskl9108 | Ear99 | 8541.30.0080 | 10 | 250 Ma | 800 v | 210 a | 2,5 v | 2000a, 2094a | 150 MA | 95 a | 1 scr, 1 diodo | |||||||||||||||||||||
| VS-20CTQ035STRL-M3 | 0,9298 | | 4624 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | 20CTQ035 | Schottky | TO-263AB (D²PAK) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 35 v | 10a | 640 mV @ 10 A | 2 mA a 35 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | |||||||||||||||||||||||
 | VS-40HFLR20S02 | 8.1723 | | 5688 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pântano | DO-203AB, DO-5, Stud | 40HFLR20 | Polaridada reversa padrão | DO-203AB (DO-5) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1,95 V @ 40 A | 200 ns | 100 µA A 200 V | -40 ° C ~ 125 ° C. | 40A | - | ||||||||||||||||||||||
 | 301UR80 | - | | 1595 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Ativo | Montagem do Pino | DO-205AB, DO-9, Stud | 301UR80 | Padrão | DO-205AB (DO-9) | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | *301UR80 | Ear99 | 8541.10.0080 | 12 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 800 v | 1,22 V @ 942 A | 15 mA a 800 V | -40 ° C ~ 180 ° C. | 330A | - | ||||||||||||||||||||||
| Vs-vskh91/16 | 47.1120 | | 7558 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Ativo | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Montagem do chassi | Add-a-pak (3 + 4) | Vskh91 | CONEXÃO EM SÉRIE - SCR/DIODO | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Vsvskh9116 | Ear99 | 8541.30.0080 | 10 | 250 Ma | 1,6 kV | 210 a | 2,5 v | 2000a, 2094a | 150 MA | 95 a | 1 scr, 1 diodo | |||||||||||||||||||||
| Vs-vskh570-18pbf | 294.7400 | | 3701 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Ativo | -40 ° C ~ 135 ° C (TJ) | Montagem do chassi | Super Magn-A-Pak | Vskh570 | CONEXÃO EM SÉRIE - SCR/DIODO | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.30.0080 | 1 | 500 MA | 1,8 kV | 895 a | 3 v | 17800A, 18700A | 200 MA | 570 a | 1 scr, 1 diodo | ||||||||||||||||||||||
| AZ23B13-HE3_A-18 | - | | 2487 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotive, AEC-Q101, AZ23 | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 300 MW | SOT-23-3 | download | 112-AZ23B13-HE3_A-18TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 par ânodo comum | 100 Na @ 8 V | 13 v | 30 ohms |
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