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Produtos semicondutores discretos (31214)
| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tolerânia | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Poder - Máx | Estrutura | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Velocidade | ATUAL - Hold (ih) (Máx) | Tensão - Estado Off - Off | ATUAL - SEM ESTADO (IT (RMS)) (Max) | Tensão - Gatilho de Porta (VGT) (MAX) | Corrente - Não Rep. Surge 50, 60Hz (ITSM) | Corrente - Gatilho de Portão (IGT) (max) | Tensão - No Estado (VTM) (Max) | ATUAL - SEM ESTADO (IT (AV)) (MAX) | ATUAL - Off State (Max) | TIPO SCR | Configuraça do Diodo | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção | Corrente - Retificada Média (IO) | CapacitânCia @ VR, F | Número de SCRS, Diodos | Tipo de diodo | Tensão - Pico Reverso (Max) | Tensão - Zener (NOM) (VZ) | Impedioso (máx) (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | VS-ST330S16M1 | - |  | 1932 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Ativo | -40 ° C ~ 125 ° C. | Chassi, montagem em pântano | TO-209AE, TO-118-4, Stud | ST330 | TO-209AE (TO-118) | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | VSST330S16M1 | Ear99 | 8541.30.0080 | 6 | 600 mA | 1,6 kV | 520 a | 3 v | 7570A, 7920A | 200 MA | 1,52 v | 330 a | 50 MA | RecuperAção Padrão | ||||||||||||||||||||
| VS-ST330C12L1 | 146.5800 | | 5459 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Ativo | -40 ° C ~ 125 ° C. | Montagem do chassi | TO-200B, E-PUK | ST330 | TO-200AB (E-PUK) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | VSST330C12L1 | Ear99 | 8541.30.0080 | 3 | 600 mA | 1,2 kV | 1420 a | 3 v | 7570A, 7920A | 200 MA | 1,96 v | 720 a | 50 MA | RecuperAção Padrão | ||||||||||||||||||||
 | VS-25TTS12SPBF | - | | 2281 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tubo | Descontinuado no sic | -40 ° C ~ 125 ° C. | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | 25TTS12 | TO-263AB (D²PAK) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.30.0080 | 50 | 150 MA | 1,2 kV | 25 a | 2 v | 350A @ 50Hz | 45 Ma | 1,25 v | 16 a | 500 µA | RecuperAção Padrão | |||||||||||||||||||||
| VS-87HF120 | 8.7081 | | 1698 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pântano | DO-203AB, DO-5, Stud | 87HF120 | Padrão | DO-203AB (DO-5) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | VS87HF120 | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1200 v | 1,2 V @ 267 A | -65 ° C ~ 180 ° C. | 85a | - | ||||||||||||||||||||||||
 | GBU4M-M3/51 | 1.0938 | | 1156 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Bandeja | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-sip, GBU | GBU4 | Padrão | GBU | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 250 | 1 V @ 4 a | 5 µA A 1000 V | 4 a | Fase Única | 1 kv | |||||||||||||||||||||||||
 | BYD33MGP-E3/54 | - | | 3291 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | BYD33 | Padrão | DO-204AL (DO-41) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.500 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1000 v | 1,3 V @ 1 a | 300 ns | 5 µA A 1000 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 15pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||
| BYM07-400HE3_A/H. | - | | 9834 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101, SuperiorIcier® | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-213AA (Vidro) | BYM07 | Padrão | DO-213AA (GL34) | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | BYM07-400HE3_B/H. | Ear99 | 8541.10.0070 | 2.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,35 V @ 500 mA | 50 ns | 5 µA A 400 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 500mA | 7pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||
 | BZT52C4V3-G3-18 | 0,0409 | | 8031 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | BZT52-G | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | SOD-123 | BZT52C4V3 | 410 MW | SOD-123 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 4.3 v | 95 ohms | |||||||||||||||||||||||||||
 | Vs-vskc56/10 | 37.0610 | | 9019 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Ativo | Montagem do chassi | Add-a-pak (3) | Vskc56 | Padrão | Add-a-Pak® | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | VSVSKC5610 | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | CONEXÃO DE 1 SÉRIE DA SÉRIE | 1000 v | 30a | 10 mA a 1000 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||||||||||||||||
| IRKL41/04A | - | | 2609 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Obsoleto | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Montagem do chassi | Add-a-Pak (3 + 2) | IRKL41 | CONEXÃO EM SÉRIE - SCR/DIODO | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.30.0080 | 10 | 200 MA | 400 v | 100 a | 2,5 v | 850A, 890A | 150 MA | 45 a | 1 scr, 1 diodo | |||||||||||||||||||||||
| BYD33JGPHE3/54 | - | | 4356 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | BYD33 | Padrão | DO-204AL (DO-41) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.500 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,3 V @ 1 a | 250 ns | 5 µA A 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 15pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||
 | VSKL170-16 | - | | 1897 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Obsoleto | - | Montagem do chassi | 3-MAGN-A-PAK ™ | Vskl170 | CONEXÃO EM SÉRIE - SCR/DIODO | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.30.0080 | 2 | 500 MA | 1,6 kV | 377 a | 3 v | 5100A, 5350A | 200 MA | 170 a | 1 scr, 1 diodo | |||||||||||||||||||||||
 | Sl44he3_a/i | - | | 7729 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | DO-214AB, SMC | SL44 | Schottky | DO-214AB (SMC) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 40 v | 440 mV @ 4 a | 500 µA A 40 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | 4a | - | ||||||||||||||||||||||||
 | VS-8EWS08STR-M3 | 3.0000 | | 2017 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | 8ews08 | Padrão | D-Pak (TO-252AA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 800 v | 1,1 V @ 8 A | 50 µA A 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 8a | - | ||||||||||||||||||||||||
| VS-VSHPS1467 | - | | 4615 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Obsoleto | - | 112-VS-VSHPS1467 | Obsoleto | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | VS-150U100DL | 35.5104 | | 7334 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tubo | Ativo | Chassi, montagem em pântano | Do-205AA, DO-8, Stud | 150U100 | Padrão | Do-205AA (DO-8) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | VS150U100DL | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1000 v | 1,47 V @ 600 A | -40 ° C ~ 180 ° C. | 150a | - | ||||||||||||||||||||||||
| Vs-vskv56/08 | 41.0770 | | 1030 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Ativo | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Montagem do chassi | Add-a-pak (3 + 4) | Vskv56 | Catodo Comum - Todos OS SCRS | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | VSVSKV5608 | Ear99 | 8541.30.0080 | 10 | 200 MA | 800 v | 95 a | 2,5 v | 1200A, 1256a | 150 MA | 60 a | 2 scrs | ||||||||||||||||||||||
 | VIT3060G-E3/4W | 0,5808 | | 9178 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA | Vit3060 | Schottky | TO-262AA | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 60 v | 730 mV @ 15 A | 850 µA A 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 15a | - | ||||||||||||||||||||||||
| IRKH92/10A | - | | 3578 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Obsoleto | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Montagem do chassi | Add-a-Pak (3 + 2) | IRKH92 | CONEXÃO EM SÉRIE - SCR/DIODO | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.30.0080 | 10 | 250 Ma | 1 kv | 210 a | 2,5 v | 1785a, 1870a | 150 MA | 95 a | 1 scr, 1 diodo | |||||||||||||||||||||||
| Egf1dhe3_a/h | - | | 3413 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101, SuperiorIcier® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | DO-214BA | EGF1 | Padrão | DO-214BA (GF1) | download | ROHS3 Compatível | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1 V @ 1 A | 50 ns | 2 µA a 200 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 15pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||
 | SS29-M3/52T | 0,1460 | | 3849 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AA, SMB | SS29 | Schottky | DO-214AA (SMB) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 750 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 90 v | 750 mv @ 1 a | 30 µA A 90 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1.5a | - | ||||||||||||||||||||||||
| VS-20ETF02STRR-M3 | 1.5728 | | 3616 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | 20ETF02 | Padrão | TO-263AB (D²PAK) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1,3 V @ 20 A | 160 ns | 100 µA A 200 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 20a | - | |||||||||||||||||||||||
| VS-ST230S04M1VPBF | 135.7950 | | 5143 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Ativo | -40 ° C ~ 125 ° C. | Chassi, montagem em pântano | TO-209AB, TO-93-4, Stud | ST230 | TO-209AB (TO-93) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | VSST230S04M1VPBF | Ear99 | 8541.30.0080 | 12 | 600 mA | 400 v | 360 a | 3 v | 5700A, 5970A | 150 MA | 1,55 v | 230 a | 30 mA | RecuperAção Padrão | ||||||||||||||||||||
| VS-S1132A | - | | 3813 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Última Vez compra | S1132A | - | 112-VS-S1132A | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | VS-22RIA20 | 10.0351 | | 7050 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Ativo | -65 ° C ~ 125 ° C. | Chassi, montagem em pântano | TO-208AA, TO-48-3, Stud | 22RIA20 | TO-208AA (TO-48) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.30.0080 | 100 | 130 MA | 200 v | 35 a | 2 v | 400A, 420A | 60 MA | 1,7 V. | 22 a | 10 MA | RecuperAção Padrão | |||||||||||||||||||||
 | Uge5jt-e3/45 | - | | 2654 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Através do buraco | To-220-2 | Uge5 | Padrão | TO-220AC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,75 V @ 5 A | 25 ns | 30 µA A 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 5a | - | |||||||||||||||||||||||
 | 40TPS08 | - | | 9806 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 125 ° C. | Através do buraco | To-247-3 | 40TPS08 | TO-247AC | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.30.0080 | 500 | 150 MA | 800 v | 55 a | 2,5 v | 600A @ 50Hz | 150 MA | 1,85 v | 35 a | 500 µA | RecuperAção Padrão | |||||||||||||||||||||
| IRKH72/06A | - | | 2499 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Obsoleto | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Montagem do chassi | Add-a-Pak (3 + 2) | IRKH72 | CONEXÃO EM SÉRIE - SCR/DIODO | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.30.0080 | 10 | 250 Ma | 600 v | 165 a | 2,5 v | 1665a, 1740a | 150 MA | 75 a | 1 scr, 1 diodo | |||||||||||||||||||||||
 | V10pm6-m3/h | 0,6600 | | 488 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | ESMP®, TMBS® | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-277, 3-POWERDFN | V10pm6 | Schottky | TO-277A (SMPC) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 60 v | 640 mV @ 10 A | 800 µA A 60 V | -40 ° C ~ 175 ° C. | 10a | 1650pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||
 | Vs-p124 | 36.3560 | | 4555 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Ativo | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Montagem do chassi | 8-PACE-PAK | P124 | Ponte, Fase Única - SCRS/Diodos (Layout 3) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | VSP124 | Ear99 | 8541.30.0080 | 10 | 130 MA | 1 kv | 2 v | 357a, 375a | 60 MA | 2 scrs, 2 diodos |
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