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Produtos semicondutores discretos (31214)
| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tolerânia | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Poder - Máx | Estrutura | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Velocidade | ATUAL - Hold (ih) (Máx) | Tensão - Estado Off - Off | ATUAL - SEM ESTADO (IT (RMS)) (Max) | Tensão - Gatilho de Porta (VGT) (MAX) | Corrente - Não Rep. Surge 50, 60Hz (ITSM) | Corrente - Gatilho de Portão (IGT) (max) | Tensão - No Estado (VTM) (Max) | ATUAL - SEM ESTADO (IT (AV)) (MAX) | ATUAL - Off State (Max) | TIPO SCR | Configuraça do Diodo | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção | Corrente - Retificada Média (IO) | CapacitânCia @ VR, F | Número de SCRS, Diodos | Tensão - Zener (NOM) (VZ) | Impedioso (máx) (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | VS-ST303S12PFK0 | 262.6900 |  | 3156 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Última Vez compra | -40 ° C ~ 125 ° C. | Chassi, montagem em pântano | TO-209AE, TO-118-4, Stud | ST303 | TO-209AE (TO-118) | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.30.0080 | 6 | 600 mA | 1,2 kV | 471 a | 3 v | 7950A, 8320A | 200 MA | 2.16 v | 300 a | 50 MA | RecuperAção Padrão | |||||||||||||||||||
 | BZG05B4V3-HM3-08 | 0,2079 | | 5193 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101, BZG05B-M | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 2,09% | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | BZG05B4V3 | 1,25 w | DO-214AC (SMA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 6.000 | 1,2 V @ 200 mA | 3 µA @ 1 V | 4.3 v | 13 ohms | |||||||||||||||||||||||
 | 1N4007GP-M3/54 | - | | 7979 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 1N4007 | Padrão | DO-204AL (DO-41) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.500 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1000 v | 1,1 V @ 1 A | 5 µA A 1000 V | -50 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 15pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||
| RS1J-M3/61T | 0,0577 | | 7458 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | Rs1j | Padrão | DO-214AC (SMA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,3 V @ 1 a | 250 ns | 5 µA A 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 7pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||
 | SD101CWS-E3-18 | 0,0543 | | 7894 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SC-76, SOD-323 | SD101 | Schottky | SOD-323 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 10.000 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 40 v | 900 mV @ 15 mA | 1 ns | 200 Na @ 30 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | 30Ma | 2.2pf @ 0V, 1MHz | |||||||||||||||||||||
 | MMSZ4681-G3-08 | 0,0409 | | 6871 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | SOD-123 | MMSZ4681 | 500 MW | SOD-123 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 15.000 | 2 µA @ 1 V | 2,4 v | |||||||||||||||||||||||||
 | Ss10ph45hm3_a/h | 0,6100 | | 82 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-277, 3-POWERDFN | SS10PH45 | Schottky | TO-277A (SMPC) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 45 v | 720 mV @ 10 A | 80 µA @ 45 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 10a | 400pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||
 | BZG03B270TR3 | - | | 1452 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101, BZG03B | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | BZG03 | 1,25 w | DO-214AC | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0050 | 6.000 | 1,2 V @ 500 mA | 1 µA A 200 V | 270 v | 1000 ohms | ||||||||||||||||||||||||
| BZG05B82-HM3-08 | 0,2079 | | 7826 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101, BZG05B-M | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | BZG05B82 | 1,25 w | DO-214AC (SMA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 6.000 | 1,2 V @ 200 mA | 500 Na @ 62 V | 82 v | 200 ohms | |||||||||||||||||||||||
 | TZM5266C-GS08 | - | | 3526 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 2% | 175 ° C. | Montagem na Superfície | DO-213AC, Mini-Me-SED, SOD-80 | TZM5266 | 500 MW | SOD-80 MINIMELL | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1,1 V @ 200 mA | 100 Na @ 52 V | 68 v | 230 ohms | |||||||||||||||||||||||
 | V6kl45du-m3/i | 0,5400 | | 4 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | 8-PowerTdfn | V6kl45 | Schottky | Flatpak 5x6 (Duplo) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 6.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 2 Independente | 45 v | 6a | 540 mV @ 3 a | 450 µA @ 45 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||||||||||||||
| BZG05B3V6-E3-TR | - | | 7564 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | BZG05B | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 1,94% | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | BZG05 | 1,25 w | DO-214AC | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0050 | 6.000 | 1,2 V @ 200 mA | 20 µA @ 1 V | 3,6 v | 20 ohms | ||||||||||||||||||||||||
| Vs-p404 | 40.2540 | | 2557 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Ativo | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Montagem do chassi | 8-PACE-PAK | P404 | Ponte, Fase Única - SCRS/Diodes (Layout 1) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | VSP404 | Ear99 | 8541.30.0080 | 10 | 130 MA | 1 kv | 40 a | 2 v | 385a, 400a | 60 MA | 2 scrs, 2 diodos | |||||||||||||||||||||
| Vs-vske56/08 | 34.8210 | | 8562 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Ativo | Montagem do chassi | Add-a-pak (3) | Vske56 | Padrão | Add-a-Pak® | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | VSVSKE5608 | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 800 v | 10 mA a 800 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 60a | - | ||||||||||||||||||||||
 | VS-ST303C10LFJ0 | 216.4733 | | 8107 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Última Vez compra | -40 ° C ~ 125 ° C. | Montagem do chassi | TO-200B, E-PUK | ST303 | TO-200AB (E-PUK) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.30.0080 | 3 | 600 mA | 1 kv | 995 a | 3 v | 7950A, 8320A | 200 MA | 2.16 v | 515 a | 50 MA | RecuperAção Padrão | |||||||||||||||||||
 | VS-86HFR100 | 14.7416 | | 4293 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pântano | DO-203AB, DO-5, Stud | 86HFR100 | Polaridada reversa padrão | DO-203AB (DO-5) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1000 v | 1,2 V @ 267 A | 9 mA a 1000 V | -65 ° C ~ 180 ° C. | 85a | - | ||||||||||||||||||||||
 | Nsb8kthe3/45 | - | | 9768 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | NSB8 | Padrão | TO-263AB (D²PAK) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 800 v | 1,1 V @ 8 A | 10 µA a 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 8a | 55pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||
 | Vs-25fr40m | 8.5474 | | 7639 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pântano | DO-203AA, DO-4, Stud | 25fr40 | Polaridada reversa padrão | Do-203aa (DO-4) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Vs25fr40m | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,3 V @ 78 A | -65 ° C ~ 175 ° C. | 25a | - | ||||||||||||||||||||||
 | S5K-M3/9AT | 0,1549 | | 4157 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AB, SMC | S5K | Padrão | DO-214AB (SMC) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.500 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 800 v | 1,15 V @ 5 A | 2,5 µs | 10 µA a 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 5a | 40pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||
 | PTV9.1B-M3/84A | 0,1721 | | 1751 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | ESMP® | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 6% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | DO-220AA | PTV9.1 | 600 MW | DO-220AA (SMP) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,5 V @ 200 mA | 20 µA A 6 V | 9,7 v | 6 ohms | |||||||||||||||||||||||
| BY206GPHE3/73 | - | | 3049 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Superectifier® | Fita E CAIXA (TB) | Obsoleto | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | BY206 | Padrão | DO-204AL (DO-41) | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 300 v | 1,5 V @ 2 A | 1 µs | 2 µA A 300 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 400mA | - | |||||||||||||||||||||
| VBT2045CBP-M3/4W | 0,9758 | | 4782 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | TMBS® | Tubo | Ativo | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | VBT2045 | Schottky | TO-263AB (D²PAK) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 45 v | 10a | 580 mV @ 10 A | 2 mA a 45 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||||||||||||||
| VS-6FLR80S05 | 5.7283 | | 4702 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pântano | DO-203AA, DO-4, Stud | 6FLR80 | Polaridada reversa padrão | Do-203aa (DO-4) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 800 v | 1,4 V @ 6 A | 500 ns | 50 µA A 800 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 6a | - | |||||||||||||||||||||
 | GI1401-E3/45 | 0,5298 | | 6446 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-220-2 | GI1401 | Padrão | TO-220AC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 50 v | 975 mV @ 8 a | 35 ns | 5 µA a 50 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 8a | - | |||||||||||||||||||||
| VS-40HFR160 | 11.6100 | | 7320 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pântano | DO-203AB, DO-5, Stud | 40HFR160 | Polaridada reversa padrão | DO-203AB (DO-5) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1600 v | 1,5 V @ 125 A | 4,5 mA a 1600 V | -65 ° C ~ 160 ° C. | 40A | - | ||||||||||||||||||||||
 | BY458TAP | 0,2772 | | 6764 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Fita E CAIXA (TB) | Ativo | Através do buraco | Sod-57, axial | BY458 | Avalanche | SOD-57 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 25.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1200 v | 1,6 V @ 3 A | 2 µs | 3 µA A 1200 V | 140 ° C (Máximo) | 2a | - | |||||||||||||||||||||
 | Vs-2egh02hm3/5bt | - | | 5829 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotive, AEC-Q101, Fred Pt® | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | DO-214AA, SMB | 2egh02 | Padrão | DO-214AA (SMB) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Vs2egh02hm35bt | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.200 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 900 mV @ 2 a | 21 ns | 2 µA a 200 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 2a | - | ||||||||||||||||||||
| UH1C-M3/5AT | - | | 9860 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | UH1 | Padrão | DO-214AC (SMA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 7.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 150 v | 1,05 V @ 1 A | 30 ns | 1 µA A 150 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 17pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||
 | SB260-E3/73 | 0,4300 | | 4 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Fita de Corte (CT) | Ativo | Através do buraco | DO-204AC, DO-15, axial | SB260 | Schottky | DO-204AC (DO-15) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 60 v | 680 mV @ 2 a | 500 µA A 60 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 2a | - | ||||||||||||||||||||||
 | BZM55B51-TR | 0,0433 | | 5905 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101, BZM55 | Tape & Reel (TR) | Ativo | - | -65 ° C ~ 175 ° C. | Montagem na Superfície | 2-SMD, sem chumbo | BZM55B51 | 500 MW | Micromell | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 12.500 | 1,5 V @ 200 mA | 100 µA @ 39 V | 51 v | 700 ohms |
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