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Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tolerânia | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Poder - Máx | Estrutura | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Configuraça | Velocidade | ATUAL - Hold (ih) (Máx) | Tensão - Estado Off - Off | ATUAL - SEM ESTADO (IT (RMS)) (Max) | Tensão - Gatilho de Porta (VGT) (MAX) | Corrente - Não Rep. Surge 50, 60Hz (ITSM) | Corrente - Gatilho de Portão (IGT) (max) | Tensão - No Estado (VTM) (Max) | ATUAL - SEM ESTADO (IT (AV)) (MAX) | ATUAL - Off State (Max) | TIPO SCR | Configuraça do Diodo | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção | Corrente - Retificada Média (IO) | CapacitânCia @ VR, F | Número de SCRS, Diodos | Tensão - Zener (NOM) (VZ) | Impedioso (máx) (ZZT) |
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![]() | VT3080S-M3/4W | 0,6890 | ![]() | 1855 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | TMBS® | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-220-3 | VT3080 | Schottky | To-220-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | VT3080SM34W | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 80 v | 950 mV @ 30 A | 1 mA a 80 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 30a | - | ||||||||||||||||||||||
![]() | MBRF10H50HE3/45 | - | ![]() | 2810 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Obsoleto | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-2, Guia Isolada | MBRF10 | Schottky | ITO-220AC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 50 v | 710 mV @ 10 A | 100 µA a 50 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 10a | - | |||||||||||||||||||||||
![]() | Tzx6v8a-tr | 0,2300 | ![]() | 29 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotive, AEC-Q101, TZX | Tape & Reel (TR) | Ativo | - | -65 ° C ~ 175 ° C. | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | Tzx6v8 | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,5 V @ 200 mA | 1 µA A 3,5 V | 6,8 v | 15 ohms | ||||||||||||||||||||||||
![]() | V20d170c-m3/i | 1.7300 | ![]() | 4 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia) Variante | Schottky | TO-263AC (SMPD) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 170 v | 10a | 900 mV @ 10 A | 150 µA @ 170 V | -40 ° C ~ 175 ° C. | ||||||||||||||||||||||||
![]() | VS-95PFR120 | 6.5170 | ![]() | 7613 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pântano | DO-203AB, DO-5, Stud | 95PFR120 | Polaridada reversa padrão | DO-203AB (DO-5) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Vs95pfr120 | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1200 v | 1,4 V @ 267 A | -55 ° C ~ 180 ° C. | 95a | - | |||||||||||||||||||||||
GI1402HE3/45 | - | ![]() | 4212 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | Através do buraco | To-220-2 | GI1402 | Padrão | TO-220AC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 975 mV @ 8 a | 35 ns | 5 µA A 100 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 8a | - | |||||||||||||||||||||||
SB330-E3/54 | 0,4300 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | Do-201D, axial | SB330 | Schottky | Do-201d | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.400 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 30 v | 490 mV @ 3 a | 500 µA A 30 V | -65 ° C ~ 125 ° C. | 3a | - | ||||||||||||||||||||||||
BZT52B56-HE3_A-18 | 0,0533 | ![]() | 3733 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotive, AEC-Q101, BZT52 | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SOD-123 | 300 MW | SOD-123 | download | 112-BZT52B56-HE3_A-18TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 100 Na @ 42 V | 56 v | 135 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZD27B130P-HE3-08 | 0,1238 | ![]() | 2116 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101, BZD27B | Tape & Reel (TR) | Ativo | - | -65 ° C ~ 175 ° C. | Montagem na Superfície | DO-219AB | BZD27B130 | 800 MW | DO-219AB (SMF) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 30.000 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA A 100 V | 130 v | 300 ohms | ||||||||||||||||||||||||
![]() | SS1H10HE3/5AT | - | ![]() | 2713 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | SS1H10 | Schottky | DO-214AC (SMA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 7.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 770 mV @ 1 a | 1 µA A 100 V | 175 ° C (max) | 1a | - | |||||||||||||||||||||||
![]() | VBT10200C-E3/4W | 1.1000 | ![]() | 769 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | TMBS® | Tubo | Ativo | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | VBT10200 | Schottky | TO-263AB (D²PAK) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 200 v | 5a | 1,6 V @ 5 A | 150 µA @ 200 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||||||||||||||
![]() | BZG03C11-M3-18 | 0,1815 | ![]() | 2521 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | BZG03C-M | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5,45% | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | BZG03C11 | 1,25 w | DO-214AC (SMA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 6.000 | 1,2 V @ 500 mA | 4 µA a 8,2 V | 11 v | 7 ohms | ||||||||||||||||||||||||
![]() | BZG03C20TR | - | ![]() | 7395 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | BZG03C | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | - | -65 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | BZG03 | 1,25 w | DO-214AC (SMA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 6.000 | 1,2 V @ 500 mA | 1 µA A 15 V | 20 v | 15 ohms | ||||||||||||||||||||||||
DZ23C24-HE3_A-18 | - | ![]() | 8923 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101, DZ23 | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 300 MW | SOT-23-3 | download | 112-DZ23C24-HE3_A-18TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 par cátodo comum | 100 Na @ 18 V | 24 v | 28 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | VS-73-4715 | - | ![]() | 9472 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Obsoleto | - | 112-VS-73-4715 | Obsoleto | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GP10K-4006EHE3/54 | - | ![]() | 7083 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | Gp10 | Padrão | DO-204AL (DO-41) | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.500 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 800 v | - | 1a | - | |||||||||||||||||||||||||
![]() | IRKH136/12 | - | ![]() | 3705 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Obsoleto | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Montagem do chassi | Int-a-pak (3 + 2) | IRKH136 | CONEXÃO EM SÉRIE - SCR/DIODO | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.30.0080 | 3 | 200 MA | 1,2 kV | 300 a | 2,5 v | 3200A, 3360A | 150 MA | 135 a | 1 scr, 1 diodo | ||||||||||||||||||||||
![]() | VF40100G-M3/4W | 0,8997 | ![]() | 3560 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | TMBS® | Tubo | Ativo | Através do buraco | Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada | VF40100 | Schottky | ITO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 100 v | 20a | 810 mV @ 20 A | 500 µA @ 100 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||||||||||||||
![]() | MMSZ4689-E3-18 | 0,2700 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | SOD-123 | MMSZ4689 | 500 MW | SOD-123 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 10 µA A 3 V | 5.1 v | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fepf16cthe3_a/p | - | ![]() | 9404 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Obsoleto | Através do buraco | Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada | FEPF16 | Padrão | ITO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 150 v | 8a | 950 mV @ 8 A | 35 ns | 10 µA A 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||||||||||||||
![]() | Egl34dhe3_a/i | - | ![]() | 5868 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101, SuperiorIcier® | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-213AA (Vidro) | Egl34 | Padrão | DO-213AA (GL34) | download | Alcançar Não Afetado | Egl34dhe3_b/i | Ear99 | 8541.10.0070 | 9.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1,25 V @ 500 mA | 50 ns | 5 µA A 200 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 500mA | 7pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||
![]() | VS-20CTH03FPPBF | - | ![]() | 2279 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Fred Pt® | Tubo | Obsoleto | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-3 | 20CTH03 | Padrão | Pacote completo parágrafo 220 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 300 v | 10a | 1,25 V @ 10 A | 35 ns | 20 µA A 300 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | ||||||||||||||||||||||
![]() | MURB1020CTTRL | - | ![]() | 3697 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Fred Pt® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | MURB1020 | Padrão | TO-263AB (D²PAK) | - | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 200 v | 5a | 990 mV @ 5 A | 35 ns | 10 µA A 200 V | - | ||||||||||||||||||||||
![]() | VI30100SHM3/4W | - | ![]() | 6291 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Obsoleto | Através do buraco | TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA | VI30100 | Schottky | TO-262AA | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 910 mV @ 30 A | 1 ma @ 100 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 30a | - | |||||||||||||||||||||||
![]() | VS-ST110S16P1PBF | 82.7640 | ![]() | 6038 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Ativo | -40 ° C ~ 125 ° C. | Chassi, montagem em pântano | TO-209AC, parágrafo 94-4, Stud | ST110 | TO-209AC (TO-94) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | VSST110S16P1PBF | Ear99 | 8541.30.0080 | 25 | 600 mA | 1,6 kV | 175 a | 3 v | 2700A, 2830A | 150 MA | 1,52 v | 110 a | 20 MA | RecuperAção Padrão | |||||||||||||||||||
![]() | S5G-E3/9AT | 0,4500 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AB, SMC | S5g | Padrão | DO-214AB (SMC) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.500 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,15 V @ 5 A | 2,5 µs | 10 µA A 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 5a | 40pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||
![]() | SS3P6HM3/84A | 0,3700 | ![]() | 12 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | ESMP® | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-220AA | SS3P6 | Schottky | DO-220AA (SMP) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 60 v | 780 mV @ 3 a | 100 µA A 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 80pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||
![]() | VSD3913 | - | ![]() | 8197 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Obsoleto | Chassi, montagem em pântano | DO-203AB, DO-5, Stud | VSD3913 | Padrão | DO-203AB (DO-5) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 30a | - | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT55A9V1-GS08 | - | ![]() | 1184 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 1% | 175 ° C. | Montagem na Superfície | Variante SOD-80 | BZT55 | 500 MW | Sod-80 Quadromell | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1,5 V @ 200 mA | 100 Na @ 6,8 V | 9.1 v | 10 ohms | ||||||||||||||||||||||||
![]() | 30cpf04 | - | ![]() | 1753 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | Através do buraco | To-247-3 | 30cpf04 | Padrão | TO-247AC | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,41 V @ 30 A | 160 ns | 100 µA A 400 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 30a | - |
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