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Produtos semicondutores discretos (31214)

Número do Produto	Preço (USD)	Quantidade	Quantidade Dispon Svel	Mfr	Série	Pacote	Status do produto	Tolerânia	Temperatura operacional	Tipo de Montagem	Pacote / Caso	Número do Produto Base	Tecnologia	Poder - Máx	Estrutura	Pacote de Dispositivo de Fornecedor	Ficha de Dadas	Status do rohs	Nível de sensibilidade à Umidade (msl)	Status de alcance	Nomes de Ulros	ECCN	Htsus	PACOTE PADROO	Velocidade	ATUAL - Hold (ih) (Máx)	Tensão - Estado Off - Off	ATUAL - SEM ESTADO (IT (RMS)) (Max)	Tensão - Gatilho de Porta (VGT) (MAX)	Corrente - Não Rep. Surge 50, 60Hz (ITSM)	Corrente - Gatilho de Portão (IGT) (max)	ATUAL - SEM ESTADO (IT (AV)) (MAX)	Configuraça do Diodo	Tensão - DC Reversa (VR) (Max)	Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo)	Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se	Tempo de RecuperAção Reversa (TRR)	ATUAL - Vazamento Reverso @ VR	Temperatura operacional - Junção	Corrente - Retificada Média (IO)	CapacitânCia @ VR, F	Número de SCRS, Diodos	Tensão - Zener (NOM) (VZ)	Impedioso (máx) (ZZT)
1N4752A-TAP	0,3600	RFQ	38	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	Automotivo, AEC-Q101	Fita de Corte (CT)	Ativo	± 5%	175 ° C (TJ)	Através do buraco	Do-204al, DO-41, axial	1N4752		1.3 w		DO-204AL (DO-41)	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0050	5.000												1,2 V @ 200 mA		5 µA a 25,1 V					33 v	45 ohms
VS-87HF120	8.7081	RFQ	1698	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	-	Volume	Ativo			Chassi, montagem em pântano	DO-203AB, DO-5, Stud	87HF120	Padrão			DO-203AB (DO-5)	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado	VS87HF120	Ear99	8541.10.0080	100	RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io)									1200 v		1,2 V @ 267 A			-65 ° C ~ 180 ° C.	85a	-
VSSAF5M63-M3/H.	0,5300	RFQ	4599	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	Automotive, AEC-Q101, TMBS®	Fita de Corte (CT)	Ativo			Montagem na Superfície	DO-221AC, SMA Flat Leads	VSSAF5M63	Schottky			DO-221AC (Slimsma)	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado				3.500	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)									60 v		660 mV @ 5 A		10 µA A 60 V	-40 ° C ~ 175 ° C.	2.6a	700pf @ 4V, 1MHz
VS-QA300FA17	27.6200	RFQ	2858	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	-	Volume	Ativo			Montagem do chassi	SOT-227-4, Minibloc	QA300	Schottky			SOT-227	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0080	10	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)								2 Independente	170 v	300A	980 mV @ 200 A	71 ns	200 µA A 170 V	-55 ° C ~ 175 ° C.
Vs-vskh136/14pbf	71.3693	RFQ	9797	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	-	Volume	Ativo		-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	Montagem do chassi	Int-a-pak (3 + 4)	Vskh136			CONEXÃO EM SÉRIE - SCR/DIODO		download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado	Vsvskh13614pbf	Ear99	8541.30.0080	15		200 MA	1,4 kV	300 a	2,5 v	3200A, 3360A	150 MA	135 a										1 scr, 1 diodo
EGP10DE-M3/73	-	RFQ	6296	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	-	Fita E CAIXA (TB)	Obsoleto			Através do buraco	Do-204al, DO-41, axial	EGP10	Padrão			DO-204AL (DO-41)	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0080	3.000	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)									200 v		950 mV @ 1 a	50 ns	5 µA A 200 V	-65 ° C ~ 150 ° C.	1a	22pf @ 4V, 1MHz
MBR10H90-E3/45	-	RFQ	8860	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	-	Tubo	Obsoleto			Através do buraco	To-220-2	MBR10	Schottky			TO-220AC	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0080	50	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)									90 v		770 mV @ 10 a		4,5 µA A 90 V	-65 ° C ~ 175 ° C.	10a	-
47CTQ020-1	-	RFQ	4957	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	-	Tubo	Obsoleto			Através do buraco	TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA	47ctq	Schottky			TO-262-3	download	Rohs Não Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado	*47CTQ020-1	Ear99	8541.10.0080	1.000	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)								1 par cátodo comum	20 v	20a	450 mV @ 20 A		3 ma @ 20 V	-55 ° C ~ 150 ° C.
U1D-M3/5AT	0,4900	RFQ	15	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Ativo			Montagem na Superfície	DO-214AC, SMA	U1d	Padrão			DO-214AC (SMA)	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0080	7.500	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)									200 v		920 mV @ 1 a	24 ns	5 µA A 200 V	-55 ° C ~ 150 ° C.	1a	6.8pf @ 4V, 1MHz
V8pa10-m3/i	0,5400	RFQ	81	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	ESMP®, TMBS®	Tape & Reel (TR)	Ativo			Montagem na Superfície	DO-221BC, SMA PLL PLAT PAD	V8pa10	Schottky			DO-221BC (SMPA)	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0080	14.000	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)									100 v		760 mV @ 8 a		800 µA @ 100 V	-40 ° C ~ 150 ° C.	8a	850pf @ 4V, 1MHz
Vs-vskn91/12	39.3040	RFQ	3316	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	-	Volume	Ativo		-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	Montagem do chassi	Add-a-pak (3 + 4)	Vskn91			CONEXÃO EM SÉRIE - SCR/DIODO		download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado	Vsvskn9112	Ear99	8541.30.0080	10		250 Ma	1,2 kV	210 a	2,5 v	2000a, 2094a	150 MA	95 a										1 scr, 1 diodo
40EPF02	-	RFQ	3167	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	-	Tubo	Obsoleto			Através do buraco	To-247-2	40EPF02	Padrão			TO-247AC Modifado	download	Rohs Não Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0080	500	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)									200 v		1,25 V @ 40 A	180 ns	100 µA A 200 V	-40 ° C ~ 150 ° C.	40A	-
30cpq100	-	RFQ	8019	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	-	Tubo	Obsoleto			Através do buraco	To-247-3	30cpq	Schottky			TO-247AC	download	Rohs Não Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0080	500	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)								1 par cátodo comum	100 v	15a	860 mV @ 15 A		550 µA @ 100 V	-55 ° C ~ 175 ° C.
VT3080S-E3/4W	1.3600	RFQ	7	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	TMBS®	Tubo	Ativo			Através do buraco	To-220-3	VT3080	Schottky			To-220-3	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0080	50	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)									80 v		950 mV @ 30 A		1 mA a 80 V	-55 ° C ~ 150 ° C.	30a	-
TLZ15B-GS18	0,0335	RFQ	1963	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	Tlz	Tape & Reel (TR)	Ativo	-	-65 ° C ~ 175 ° C.	Montagem na Superfície	DO-213AC, Mini-Me-SED, SOD-80	TLZ15		500 MW		SOD-80 MINIMELL	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0050	10.000												1,5 V @ 200 mA		40 Na @ 13,2 V					15 v	16 ohms
MMBZ5261B-G3-08	-	RFQ	2047	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C.	Montagem na Superfície	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	MMBZ5261		225 MW		SOT-23-3	-	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0050	15.000														100 Na @ 36 V					47 v	105 ohms
VS-30CPF04PBF	-	RFQ	2340	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	-	Tubo	Obsoleto			Através do buraco	To-247-3	30cpf04	Padrão			TO-247AC	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0080	500	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)									400 v		1,41 V @ 30 A	160 ns	100 µA A 400 V	-40 ° C ~ 150 ° C.	30a	-
VS-MBRB735TRL-M3	0,5595	RFQ	9377	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Ativo			Montagem na Superfície	TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab	MBRB735	Schottky			TO-263AB (D²PAK)	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0080	800	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)									35 v		570 mV @ 7.5 A		100 µA A 35 V	-65 ° C ~ 150 ° C.	7.5a	400pf @ 5V, 1MHz
VS-20ETF04STRL-M3	2.8200	RFQ	2473	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Ativo			Montagem na Superfície	TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab	20ETF04	Padrão			TO-263AB (D²PAK)	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0080	800	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)									400 v		1,3 V @ 20 A	160 ns	100 µA A 400 V	-40 ° C ~ 150 ° C.	20a	-
TZX24C-TAP	0,0287	RFQ	9766	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	Automotive, AEC-Q101, TZX	Fita E CAIXA (TB)	Ativo	-	-65 ° C ~ 175 ° C.	Através do buraco	Do-204ah, do-35, axial	TZX24		500 MW		DO-35 (DO-204AH)	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0050	30.000												1,5 V @ 200 mA		1 µA @ 19 V					24 v	70 ohms
VBT1045BP-E3/8W	0,8800	RFQ	2	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	TMBS®	Tape & Reel (TR)	Ativo			Montagem na Superfície	TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab	VBT1045	Schottky			TO-263AB (D²PAK)	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0080	800	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)									45 v		680 mV @ 10 a		500 µA @ 45 V	200 ° C (max)	10a	-
VS-C4PU6006LHN3	1.9356	RFQ	7399	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	Automotive, AEC-Q101, Fred Pt®	Tubo	Ativo			Através do buraco	To-247-3	C4PU6006	Padrão			TO-247AD	download	ROHS3 Compatível	Não Aplicável	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0080	25	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)									600 v		1,6 V @ 30 A	65 ns	50 µA A 600 V	-55 ° C ~ 175 ° C.	30a	-
MMBZ5265C-E3-18	-	RFQ	7927	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C.	Montagem na Superfície	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	MMBZ5265		225 MW		SOT-23-3	-	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0050	10.000														100 Na @ 47 V					62 v	185 ohms
S1D-E3/5AT	0,3700	RFQ	19	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Ativo			Montagem na Superfície	DO-214AC, SMA	S1D	Padrão			DO-214AC (SMA)	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0080	7.500	RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io)									200 v		1,1 V @ 1 A	1,8 µs	1 µA A 200 V	-55 ° C ~ 150 ° C.	1a	12pf @ 4V, 1MHz
SML4749A-E3/5A	0,5000	RFQ	2	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Ativo	± 5%	150 ° C.	Montagem na Superfície	DO-214AC, SMA	SML4749		1 w		DO-214AC (SMA)	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0050	7.500														5 µA a 18,2 V					24 v	25 ohms
VS-SD703C12S30L	104.8333	RFQ	2859	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	-	Volume	Última Vez compra			Prenda	Do-200ab, B-Puk	SD703	Padrão			Do-200ab, B-Puk	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0080	3	RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io)									1200 v		1,85 V @ 1500 A	3 µs	50 mA A 1200 V		790A	-
BY127MGPHE3/54	-	RFQ	6043	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	Automotivo, AEC-Q101, SuperiorIcier®	Tape & Reel (TR)	Ativo			Através do buraco	DO-204AC, DO-15, axial	BY127	Padrão			DO-204AC (DO-15)	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0080	4.000	RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io)									1250 v		1,5 V @ 5 A	2 µs	5 µA A 1250 V	-65 ° C ~ 175 ° C.	1.75a	-
6cwq10fntrl	-	RFQ	4752	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			Montagem na Superfície	TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63	6CWQ10	Schottky			D-Pak (TO-252AA)	download	Rohs Não Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0080	2.000	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)								1 par cátodo comum	100 v	3.5a	810 mV @ 3 a		1 ma @ 100 V	-40 ° C ~ 150 ° C.
Es1pbhe3/84a	-	RFQ	5156	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	ESMP®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			Montagem na Superfície	DO-220AA	ES1	Padrão			DO-220AA (SMP)	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0080	3.000	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)									100 v		920 mV @ 1 a	25 ns	5 µA A 100 V	-55 ° C ~ 150 ° C.	1a	10pf @ 4V, 1MHz
GP10-4007E-E3/53	-	RFQ	1932	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	Superectifier®	Fita E CAIXA (TB)	Ativo			Através do buraco	Do-204al, DO-41, axial	Gp10	Padrão			DO-204AL (DO-41)	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0080	3.000	RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io)									1000 v		1,1 V @ 1 A	3 µs	5 µA A 1000 V	-65 ° C ~ 175 ° C.	1a	8pf @ 4V, 1MHz