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Produtos semicondutores discretos(41)
| Imagem | Número do produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade disponível | Peso (Kg) | Fabricante | Série | Pacote | Estado do produto | Tensão - Nominal | Temperatura operacional | Tipo de montagem | Pacote/Caso | Número básico do produto | Frequência | Tecnologia | Pacote de dispositivos do fornecedor | Ficha de dados | Estado RoHS | Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | Estado do REACH | Outros nomes | ECCN | HTSU | Pacote Padrão | Configuração | Velocidade | Tipo FET | Classificação atual (amperes) | Atual - Teste | Potência - Saída | Ganho | Dreno para Tensão de Fonte (Vdss) | Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado) | Rds ativadas (máx.) @ ID, Vgs | Vgs(th) (máx.) @ ID | Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs | Vgs (máx.) | Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | Recurso FET | Dissipação de energia (máx.) | Figura de ruído | Configuração de diodo | Tensão - CC reversão (Vr) (Máx.) | Corrente - Média Retificada (Io) (por Diodo) | Tensão - Direto (Vf) (Máx.) @ Se | Tempo de recuperação reversa (trr) | Corrente - Vazamento reverso @ Vr | Temperatura Operacional - Junção | Tensão - Teste |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SS150TC60110 | - |  | 4711 | 0,00000000 | IXYS-RF | - | Tubo | Obsoleto | Montagem em superfície | 6-SMD, almofada exposta de chumbo plano | SS150 | SiC (carboneto de silício) Schottky | DE150 | download | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) | 3 cátodo comum | 600 V | 10A | 1,8 V a 5 A | 0 ns | 50 µA a 600 V | -55°C ~ 175°C | |||||||||||||||||||||||||
 | 275X2-501N16A-00 | - | | 8481 | 0,00000000 | IXYS-RF | DE | Tubo | Obsoleto | 500 V | 8-SMD, almofada exposta de chumbo plano | 275X2-501 | - | MOSFET | DE275 | download | 1 (ilimitado) | REACH afetado | DE275X2-501N16A-00 | EAR99 | 8541.29.0095 | 20 | 2 canais N (duplo) | 16A | 1180W | - | - | |||||||||||||||||||||||||
 | IXZH10N50L2B | - | | 5022 | 0,00000000 | IXYS-RF | Z-MOS™ | Tubo | Obsoleto | 500 V | PARA-247-3 | 70MHz | MOSFET | TO-247 (IXFH) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | Canal N | 10A | 200W | 17dB | - | 100V | ||||||||||||||||||||||||||
| 150-201N09A-00 | - | | 7476 | 0,00000000 | IXYS-RF | DE | Tubo | Obsoleto | 200 V | 6-SMD, almofada exposta de chumbo plano | 150-201 | - | MOSFET | DE150 | download | 1 (ilimitado) | REACH afetado | DE150-201N09A-00 | EAR99 | 8541.29.0095 | 40 | Canal N | 9A | 200W | - | - | |||||||||||||||||||||||||
 | IXZ2210N50L2 | - | | 3521 | 0,00000000 | IXYS-RF | Z-MOS™ | Tubo | Obsoleto | 500 V | 8-SMD, almofada exposta de chumbo plano | IXZ2210 | 70MHz | MOSFET | - | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | 2 canais N (duplo) | 10A | 270W | 17dB | - | 100V | |||||||||||||||||||||||||
 | IXZR18N50A-00 | - | | 2333 | 0,00000000 | IXYS-RF | Z-MOS™ | Tubo | Obsoleto | 500 V | PARA-247-3 | IXZR18 | 65MHz | MOSFET | PLUS247™-3 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | Canal N | 19A | 350W | 23dB | - | 100V | |||||||||||||||||||||||||
 | SS275TC12205 | - | | 8110 | 0,00000000 | IXYS-RF | - | Tubo | Obsoleto | Montagem em superfície | 6-SMD, almofada exposta de chumbo plano | SS275 | SiC (carboneto de silício) Schottky | DE275 | download | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) | 3 cátodo comum | 1200 V | 5A | 1,8 V a 5 A | 0 ns | 200 µA a 1200 V | -55°C ~ 175°C | |||||||||||||||||||||||||
| IXZR08N120B-00 | - | | 4397 | 0,00000000 | IXYS-RF | Z-MOS™ | Tubo | Obsoleto | 1200 V | PARA-247-3 | 65MHz | MOSFET | PLUS247™-3 | download | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | Canal N | 8A | 250W | 23dB | - | 100V | |||||||||||||||||||||||||||
| DE475-102N21A | - | | 3029 | 0,00000000 | IXYS-RF | DE | Tubo | Obsoleto | 1000V | 6-SMD, almofada exposta de chumbo plano | DE475 | - | MOSFET | DE475 | download | 1 (ilimitado) | REACH afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 20 | Canal N | 24A | 1800W | - | - | ||||||||||||||||||||||||||
| 275-501N16A-00 | - | | 6436 | 0,00000000 | IXYS-RF | DE | Tubo | Obsoleto | 500 V | 6-SMD, almofada exposta de chumbo plano | 275-501 | - | MOSFET | DE275 | download | 1 (ilimitado) | REACH afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | Canal N | 16A | 590W | - | - | ||||||||||||||||||||||||||
| IXZ308N120 | - | | 6358 | 0,00000000 | IXYS-RF | Z-MOS™ | Tubo | Obsoleto | 1200 V | 6-SMD, almofada exposta de chumbo plano | 65MHz | MOSFET | DE375 | download | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | Canal N | 8A | 880W | 23dB | - | 100V | |||||||||||||||||||||||||||
| 275X2-102N06A-00 | - | | 4279 | 0,00000000 | IXYS-RF | DE | Tubo | Obsoleto | 1000V | 8-SMD, almofada exposta de chumbo plano | 275X2-102 | - | MOSFET | DE275 | download | 1 (ilimitado) | REACH afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 20 | 2 canais N (duplo) | 8A | 1180W | - | - | ||||||||||||||||||||||||||
| DE150-501N04A | - | | 2682 | 0,00000000 | IXYS-RF | DE | Tubo | Obsoleto | 500 V | 6-SMD, almofada exposta de chumbo plano | DE150 | - | MOSFET | DE150 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 40 | Canal N | 4,5A | 25 µA | 200W | - | - | ||||||||||||||||||||||||
| DE375-102N12A | - | | 6829 | 0,00000000 | IXYS-RF | DE | Tubo | Obsoleto | 1000V | 6-SMD, almofada exposta de chumbo plano | DE375 | - | MOSFET | DE375 | download | 1 (ilimitado) | REACH afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | Canal N | 12A | 940W | - | - | ||||||||||||||||||||||||||
| SS150TA60110 | - | | 2555 | 0,00000000 | IXYS-RF | - | Tubo | Obsoleto | Montagem em superfície | 6-SMD, almofada exposta de chumbo plano | SS150 | SiC (carboneto de silício) Schottky | DE150 | download | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) | 3 anodo comum | 600 V | 10A | 1,8 V a 5 A | 0 ns | 50 µA a 600 V | -55°C ~ 175°C | |||||||||||||||||||||||||
 | IXRFSM12N100 | - | | 7509 | 0,00000000 | IXYS-RF | SMPD | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 16-BESOP (0,790", 20,11 mm de largura), 15 derivações, almofada exposta | IXRFSM12 | MOSFET (óxido metálico) | 16-SMPD | - | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | Canal N | 1000V | 12A (Tc) | 15V | 1,05Ohm a 6A, 15V | 5,5 V a 250 µA | 77 nC @ 10 V | ±20V | 2875 pF a 800 V | - | 940W | |||||||||||||||||||||
 | IXZH16N60 | - | | 7625 | 0,00000000 | IXYS-RF | - | Tubo | Obsoleto | 600 V | PARA-247-3 | - | MOSFET | TO-247AD | download | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | Canal N | 1mA | 350W | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||
| IXZR18N50B-00 | - | | 3689 | 0,00000000 | IXYS-RF | Z-MOS™ | Tubo | Obsoleto | 500 V | PARA-247-3 | 65MHz | MOSFET | PLUS247™-3 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | Canal N | 19A | 350W | 23dB | - | 100V | ||||||||||||||||||||||||||
| IXZR08N120 | - | | 7770 | 0,00000000 | IXYS-RF | Z-MOS™ | Tubo | Obsoleto | 1200 V | PARA-247-3 | 65MHz | MOSFET | PLUS247™-3 | download | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | Canal N | 8A | 250W | 23dB | - | 100V | |||||||||||||||||||||||||||
| 150-101N09A-00 | - | | 4176 | 0,00000000 | IXYS-RF | DE | Tubo | Obsoleto | 100V | 6-SMD, almofada exposta de chumbo plano | 150-101 | - | MOSFET | DE150 | - | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH afetado | DE150-101N09A-00 | EAR99 | 8541.29.0095 | 40 | Canal N | 9A | 200W | - | - | ||||||||||||||||||||||||
| DE275-102N06A | - | | 3265 | 0,00000000 | IXYS-RF | DE | Tubo | Obsoleto | 1000V | 6-SMD, almofada exposta de chumbo plano | DE275 | - | MOSFET | DE275 | download | 1 (ilimitado) | REACH afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | Canal N | 8A | 590W | - | - | ||||||||||||||||||||||||||
| IXZR18N50 | - | | 5296 | 0,00000000 | IXYS-RF | Z-MOS™ | Tubo | Obsoleto | 500 V | PARA-247-3 | 65MHz | MOSFET | PLUS247™-3 | download | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | Canal N | 19A | 350W | 23dB | - | ||||||||||||||||||||||||||||
| IXZH10N50L2A | - | | 2779 | 0,00000000 | IXYS-RF | Z-MOS™ | Tubo | Obsoleto | 500 V | PARA-247-3 | 70MHz | MOSFET | TO-247 (IXFH) | download | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | Canal N | 10A | 200W | 17dB | - | 100V | |||||||||||||||||||||||||||
| IXRFSM18N50 | - | | 5944 | 0,00000000 | IXYS-RF | SMPD | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 16-BESOP (0,790", 20,11 mm de largura), 15 derivações, almofada exposta | IXRFSM18 | MOSFET (óxido metálico) | 16-SMPD | - | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | Canal N | 500 V | 19A (Tc) | 20V | 340mOhm a 9,5A, 20V | 6,5 V a 250 µA | 42 nC @ 10 V | ±20V | 2.250 pF a 400 V | - | 835 W | |||||||||||||||||||||
| IXZ318N50 | - | | 8163 | 0,00000000 | IXYS-RF | Z-MOS™ | Tubo | Obsoleto | 500 V | 6-SMD, almofada exposta de chumbo plano | 65MHz | MOSFET | DE375 | download | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | Canal N | 19A | 880W | 23dB | - | 100V | |||||||||||||||||||||||||||
| IXZ210N50L2 | - | | 1775 | 0,00000000 | IXYS-RF | Z-MOS™ | Tubo | Obsoleto | 500 V | 6-SMD, almofada exposta de chumbo plano | IXZ210 | 70MHz | MOSFET | DE275 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | Canal N | 10A | 390W | 17dB | - | 100V | |||||||||||||||||||||||||
| 375-0001 | - | | 7194 | 0,00000000 | IXYS-RF | - | Tubo | Obsoleto | Através do furo | PARA-247-3 | 375-000 | - | - | TO-247AD | - | 1 (ilimitado) | REACH afetado | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1 | - | - | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||
| SS275TA12205 | - | | 3662 | 0,00000000 | IXYS-RF | - | Tubo | Obsoleto | Montagem em superfície | 6-SMD, almofada exposta de chumbo plano | SS275 | SiC (carboneto de silício) Schottky | DE275 | download | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) | 3 anodo comum | 1200 V | 5A | 1,8 V a 5 A | 0 ns | 200 µA a 1200 V | -55°C ~ 175°C | |||||||||||||||||||||||||
| 375-102N15A-00 | - | | 3354 | 0,00000000 | IXYS-RF | DE | Tubo | Obsoleto | 1000V | 6-SMD, almofada exposta de chumbo plano | 375-102 | - | MOSFET | DE375 | download | 1 (ilimitado) | REACH afetado | DE375-102N15A-00 | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | Canal N | 15A | 940W | - | - | |||||||||||||||||||||||||
| SS275TI12205 | - | | 5189 | 0,00000000 | IXYS-RF | - | Tubo | Obsoleto | Montagem em superfície | 6-SMD, almofada exposta de chumbo plano | SS275 | SiC (carboneto de silício) Schottky | DE275 | download | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) | 3 Independente | 1200 V | 5A | 1,8 V a 5 A | 0 ns | 200 µA a 1200 V | -55°C ~ 175°C |
Mais de 2.000
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30.000.000
Unidade de produto padrão
2.800+
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