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Produtos Semicondutores discretos (1242)

Número do Produto	Preço (USD)	Quantidade	Quantidade Dispon Svel	Mfr	Série	Pacote	Status do produto	Temperatura operacional	Tipo de Montagem	Pacote / Caso	Número do Produto Base	Tecnologia	Pacote de Dispositivo de Fornecedor	Ficha de Dadas	Status do rohs	Nível de sensibilidade à Umidade (msl)	Status de alcance	Nomes de Ulros	ECCN	Htsus	PACOTE PADROO	Configuraça	Velocidade	ATUAL - Hold (ih) (Máx)	Recurso FET	Tipo Triac	Tensão - Estado Off - Off	ATUAL - SEM ESTADO (IT (RMS)) (Max)	Tensão - Gatilho de Porta (VGT) (MAX)	Corrente - Não Rep. Surge 50, 60Hz (ITSM)	Corrente - Gatilho de Portão (IGT) (max)	Tensão - No Estado (VTM) (Max)	ATUAL - SEM ESTADO (IT (AV)) (MAX)	ATUAL - Off State (Max)	TIPO SCR	Configuraça do Diodo	Tensão - DC Reversa (VR) (Max)	Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo)	Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se	Tempo de RecuperAção Reversa (TRR)	ATUAL - Vazamento Reverso @ VR	Temperatura operacional - Junção	Corrente - Retificada Média (IO)	CapacitânCia @ VR, F
NUR460PU	-	RFQ	5307	Semicondutores de Ween	-	Volume	Obsoleto		Através do buraco	Do-201D, axial	NUR460	Padrão	Do-201d	download		1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado	934067058112	Ear99	8541.10.0080	400		RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)														600 v		1,28 V @ 4 a	75 ns	10 µA A 600 V	-	4a	-
WNSC2D301200CW6Q	5.6835	RFQ	3501	Semicondutores de Ween	-	Volume	Ativo		Através do buraco	To-247-3	WNSC2	Sic (carboneto de Silíc) Schottky	To-247-3	download					Ear99	8541.10.0080	600		SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO)													1 par cátodo comum	1200 v	30a	1,7 V @ 15 A	0 ns	150 µA A 1200 V	175 ° C.
BYC8-600.127	0,9300	RFQ	5	Semicondutores de Ween	-	Tubo	Ativo		Através do buraco	To-220-2	BYC8	Padrão	TO-220AC	download	Rohs Compatível	1 (ilimito)			Ear99	8541.10.0080	50		RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)														600 v		2,9 V @ 8 A	52 ns	150 µA A 600 V	150 ° C (Máximo)	8a	-
WNS40H100C, 127	0,4247	RFQ	3137	Semicondutores de Ween	-	Volume	Ativo		Através do buraco	To-220-3	WNS40	Schottky	To-220E	download					Ear99	8541.10.0080	1.000		RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)													1 par cátodo comum	100 v	20a	710 mV @ 20 A		50 µA A 100 V	150 ° C.
NXPSC206506Q	7.6200	RFQ	3	Semicondutores de Ween	-	Tubo	Última Vez compra		Através do buraco	To-220-2	Nxpsc	Sic (carboneto de Silíc) Schottky	TO-220AC	download		1 (ilimito)		934072076127	Ear99	8541.10.0080	50		SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO)														650 v		1,7 V @ 20 A	0 ns	500 µA A 650 V	175 ° C (max)	20a	600pf @ 1V, 1MHz
BYV60W-600PSQ	2.0689	RFQ	1643	Semicondutores de Ween	-	Volume	Ativo		Através do buraco	To-247-2	BYV60	Padrão	To-247-2	download					Ear99	8541.10.0080	600		RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)														600 v		2 V @ 60 A	55 ns	10 µA A 600 V	175 ° C.	60a	-
WNSC6D16650CW6Q	4.5600	RFQ	3	Semicondutores de Ween	-	Tubo	Ativo		Através do buraco	To-247-3	WNSC6	Sic (carboneto de Silíc) Schottky	To-247-3	download		1 (ilimito)			Ear99	8541.10.0080	30		SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO)														650 v		1,45 V @ 16 a	0 ns	80 µA A 650 V	175 ° C.	16a	780pf @ 1V, 1MHz
WNSC201200WQ	9.3555	RFQ	8594	Semicondutores de Ween	-	Tubo	Última Vez compra		Através do buraco	To-247-2	WNSC2	Sic (carboneto de Silíc) Schottky	To-247-2	download	Rohs Compatível	1 (ilimito)			Ear99	8541.10.0080	30		SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO)														1200 v		1,6 V @ 20 A	0 ns	220 µA A 1200 V	175 ° C (max)	20a	1020pf @ 1V, 1MHz
WNSC2D20650CJQ	3.4196	RFQ	2	Semicondutores de Ween	-	Tape & Reel (TR)	Ativo		Através do buraco	TO-3P-3, SC-65-3	WNSC2	Sic (carboneto de Silíc) Schottky	TO-3PF	download		1 (ilimito)			Ear99	8541.10.0080	480		SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO)													1 par cátodo comum	650 v	20a	1,7 V @ 10 A	0 ns	50 µA A 650 V	175 ° C.
BYV30W-600PT2Q	1.0905	RFQ	7638	Semicondutores de Ween	-	Volume	Ativo		Através do buraco	To-247-2	BYV30	Padrão	To-247-2	download					Ear99	8541.10.0080	600		RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)														600 v		1,55 V @ 30 A	75 ns	10 µA A 600 V	175 ° C.	30a	-
BYV29X-600,127	0,9700	RFQ	9	Semicondutores de Ween	-	Tubo	Ativo		Através do buraco	Pacote completo parágrafo 220-2, Guia Isolada	BYV29	Padrão	TO-220FP	download	Rohs Compatível	1 (ilimito)			Ear99	8541.10.0080	50		RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)														600 v		1,26 V @ 8 A	60 ns	50 µA A 600 V	150 ° C (Máximo)	9a	-
NXPSC08650Q	-	RFQ	9977	Semicondutores de Ween	-	Tubo	Última Vez compra		Através do buraco	To-220-2	Nxpsc	Sic (carboneto de Silíc) Schottky	TO-220AC	download		1 (ilimito)			Ear99	8541.10.0080	1.000		SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO)														650 v		1,7 V @ 8 a	0 ns	230 µA @ 650 V	175 ° C (max)	8a	260pf @ 1V, 1MHz
WNSC6D20650WQ	6.6800	RFQ	529	Semicondutores de Ween	-	Tubo	Ativo		Através do buraco	To-247-2	WNSC6	Sic (carboneto de Silíc) Schottky	To-247-2	download		1 (ilimito)		1740-WNSC6D20650WQ	Ear99	8541.10.0080	30		SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO)														650 v		1,4 V @ 20 A	0 ns	100 µA A 650 V	175 ° C.	20a	1200pf @ 1V, 1MHz
NXPS20S100CX, 127	-	RFQ	8494	Semicondutores de Ween	-	Tubo	Descontinuado no sic		Através do buraco	Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada	NXPS20	Schottky	TO-220F	-	Rohs Compatível	1 (ilimito)		934067128127	Ear99	8541.10.0080	50		RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)													1 par cátodo comum	100 v	10a	580 mV @ 3 a		3 µA A 100 V	175 ° C (max)
WNSC5D08650T6J	-	RFQ	2007	Semicondutores de Ween	-	Tape & Reel (TR)	Ativo		Montagem na Superfície	4-VSFN PAD EXPOSTO	WNSC5	Sic (carboneto de Silíc) Schottky	5-DFN (8x8)	-				1740-WNSC5D08650T6JTR	Ear99	8541.10.0080	1		SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO)														650 v		1,7 V @ 8 a	0 ns	40 µA A 650 V	-55 ° C ~ 175 ° C.	8a	267pf @ 1V, 1MHz
NXPSC16650B6J	4.0425	RFQ	8520	Semicondutores de Ween	-	Tubo	Última Vez compra		Montagem na Superfície	TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab	Nxpsc	Sic (carboneto de Silíc) Schottky	D2PAK	download		1 (ilimito)			Ear99	8541.10.0080	800		SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO)														650 v		1,7 V @ 16 a	0 ns	100 µA A 650 V	175 ° C (max)	16a	534pf @ 1V, 1MHz
BTA203-800ETQP	0,4500	RFQ	9	Semicondutores de Ween	-	Tape & Reel (TR)	Ativo	150 ° C (TJ)	Através do buraco	TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) Formou Leads	BTA203		TO-92-3	download		1 (ilimito)			Ear99	8541.30.0080	2.000	Solteiro		20 MA		Alternistor - SEM Inchado	800 v	3 a	1 v	27a, 30a	10 MA
WNSC201200CWQ	9.8340	RFQ	9464	Semicondutores de Ween	-	Tubo	Última Vez compra		Através do buraco	To-247-3	WNSC2	Sic (carboneto de Silíc) Schottky	To-247-3	download	Rohs Compatível	1 (ilimito)			Ear99	8541.10.0080	30		SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO)														1200 v		1,6 V @ 10 A	0 ns	110 µA A 1200 V	175 ° C (max)	20a	510pf @ 1V, 1MHz
WNSC101200CWQ	6.4099	RFQ	1793	Semicondutores de Ween	-	Tubo	Última Vez compra		Através do buraco	To-247-3	WNSC1	Sic (carboneto de Silíc) Schottky	To-247-3	download	Rohs Compatível	1 (ilimito)			Ear99	8541.10.0080	30		SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO)														1200 v		1,6 V @ 5 A	0 ns	50 µA A 1200 V	175 ° C (max)	10a	250pf @ 1V, 1MHz
BYQ28ED-200PLJ	0,2640	RFQ	2745	Semicondutores de Ween	-	Tape & Reel (TR)	Ativo		Montagem na Superfície	TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63	BYQ28	Padrão	DPAK	download		1 (ilimito)		934072019118	Ear99	8541.10.0080	2.500		RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)													1 par cátodo comum	200 v	10a	1,1 V @ 10 A	25 ns	10 µA A 200 V	150 ° C (Máximo)
WNSC2D401200CWQ	-	RFQ	6580	Semicondutores de Ween	-	Tape & Reel (TR)	Descontinuado no sic		Através do buraco	To-247-3	WNSC2	Sic (carboneto de Silíc) Schottky	To-247-3	download		1 (ilimito)			Ear99	8541.10.0080	600		SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO)													1 par cátodo comum	1200 v	40A	1,8 V @ 20 A	0 ns	200 µA A 1200 V	175 ° C.
BT136-800E, 127	0,2440	RFQ	4958	Semicondutores de Ween	-	Tubo	Ativo	125 ° C (TJ)	Através do buraco	To-220-3	BT136		TO-220AB	download	Rohs Compatível	1 (ilimito)			Ear99	8541.30.0080	1.000	Solteiro		15 MA		Lógica - Portão Sensível	800 v	4 a	1,5 v	25a, 27a	10 MA
NXPSC06650XQ	-	RFQ	7121	Semicondutores de Ween	-	Tubo	Última Vez compra		Através do buraco	Pacote completo parágrafo 220-2, Guia Isolada	Nxpsc	Sic (carboneto de Silíc) Schottky	TO-220F	download		1 (ilimito)		934070152127	Ear99	8541.10.0080	1.000		SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO)														650 v		1,7 V @ 6 A	0 ns	200 µA A 650 V	175 ° C (max)	6a	190pf @ 1V, 1MHz
MCR100W-10MF	0,1350	RFQ	4461	Semicondutores de Ween	-	Tape & Reel (TR)	Ativo	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	Montagem na Superfície	TO-261-4, TO-261AA	MCR100		SC-73	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)			Ear99	8541.30.0080	4.000			3 MA			1 kv	1.25 a	800 mv	23a @ 50Hz, 25a @ 60Hz	90 µA	1,45 v	800 mA	1 µA	Portão sensível
NXPSC08650DJ	-	RFQ	6977	Semicondutores de Ween	-	Tape & Reel (TR)	Última Vez compra		Montagem na Superfície	TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63	Nxpsc	Sic (carboneto de Silíc) Schottky	DPAK	download		1 (ilimito)		934070008118	Ear99	8541.10.0080	2.500		SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO)														650 v		1,7 V @ 8 a	0 ns	230 µA @ 650 V	175 ° C (max)	8a	260pf @ 1V, 1MHz
BT151-650LTNQ	0,6400	RFQ	8	Semicondutores de Ween	-	Tubo	Ativo	150 ° C (TJ)	Através do buraco	To-220-3	BT151		TO-220AB	download	Rohs Compatível	1 (ilimito)			Ear99	8541.30.0080	50			20 MA			650 v	12 a	1 v	120A, 132a	5 MA	1,5 v	7.5 a	1 MA	Portão sensível
WNSC2D04650Q	1.4100	RFQ	2	Semicondutores de Ween	-	Tubo	Ativo		Através do buraco	To-220-2	WNSC2	Sic (carboneto de Silíc) Schottky	TO-220AC	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)		1740-WNSC2D04650Q	Ear99	8541.10.0080	50		SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO)														650 v		1,7 V @ 4 a	0 ns	20 µA A 650 V	175 ° C.	4a	125pf @ 1V, 1MHz
OP533.005	0,3375	RFQ	5733	Semicondutores de Ween	*	Bandeja	Ativo				OP533	-		-		1 (ilimito)				0000.00.0000	1				-
TYN60K-1400TQ	2.5391	RFQ	7999	Semicondutores de Ween	-	Tubo	Ativo	150 ° C (TJ)	Através do buraco	TO-3P-3, SC-65-3	Tyn60		TO-3P	download		1 (ilimito)		934660026127	Ear99	8541.30.0080	450			200 MA			1,4 kV	94 a	1 v	750A, 825A	80 MA	1,65 v	60 a	10 MA	RecuperAção Padrão
BYV42E-150,127	1.4200	RFQ	2	Semicondutores de Ween	-	Tubo	Ativo		Através do buraco	To-220-3	BYV42	Padrão	TO-220AB	download	Rohs Compatível	1 (ilimito)			Ear99	8541.10.0080	50		RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)													1 par cátodo comum	150 v	30a	1,2 V @ 30 A	28 ns	100 µA A 150 V	150 ° C (Máximo)