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Produtos Semicondutores discretos (61)

Imageem	Número do Produto	Preço (USD)	Quantidade	Ecad	Quantidade Dispon Svel	Peso (kg)	Mfr	Série	Pacote	Status do produto	Temperatura operacional	Tipo de Montagem	Pacote / Caso	Tecnologia	Pacote de Dispositivo de Fornecedor	Ficha de Dadas	Status do rohs	Nível de sensibilidade à Umidade (msl)	ECCN	Htsus	PACOTE PADROO	TIPO DE FET	Escorra para um tensão de origem (VDSS)	Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C	Tensão de conduça (max rds on, min rds on)	Rds em (max) @ id, vgs	VGS (th) (max) @ id	Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS	VGs (Máximoo)	CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS	Recurso FET	DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX)
	AO4485	1.0900	RFQ		2	0,00000000	Umw	Umw	Tape & Reel (TR)	Ativo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montagem na Superfície	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura)	MOSFET (ÓXIDO DE METAL)	8-SOP	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Ear99	8541.21.0095	3.000	Canal P.	40 v	10a (ta)	4.5V, 10V	15mohm @ 10a, 10V	2,5V a 250µA	55 nc @ 10 V	± 20V	3000 pf @ 20 V	-	1.7W (TA)