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Produtos Semicondutores Discretos (2357)
| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tipo de Entrada | Tecnologia | Poder - Máx | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Velocidade | TIPO DE FET | Condição de teste | Escorra para um tensão de origem (VDSS) | Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C | Tensão de conduça (max rds on, min rds on) | Rds em (max) @ id, vgs | VGS (th) (max) @ id | Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS | VGs (Máximoo) | CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Recurso FET | DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção | Corrente - Retificada Média (IO) | CapacitânCia @ VR, F | TIPO IGBT | Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) | Corrente - Coletor (IC) (Max) | Corrente - Coletor Pulsa (ICM) | Vce (on) (max) @ vge, ic | Troca de Energia | Carga do Portão | TD (Ligado/Desligado) A 25 ° C |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | AOB2500L | 4.1700 |  | 12 | 0,00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | AOB2500 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-263 (D2PAK) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 150 v | 11.5a (ta), 152a (tc) | 6V, 10V | 6.2mohm @ 20a, 10V | 3,5V a 250µA | 136 NC @ 10 V | ± 20V | 6460 pf @ 75 V | - | 2.1W (TA), 375W (TC) | |||||||||||||||||||||
| AOB1100L | 2.2310 | | 2772 | 0,00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Não é para desenhos para Novos | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | AOB1100 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-263 (D2PAK) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 100 v | 8a (ta), 130a (tc) | 10V | 11.7mohm @ 20a, 10V | 3,8V a 250µA | 100 nc @ 10 V | ± 20V | 4833 pf @ 25 V | - | 2.1W (TA), 500W (TC) | |||||||||||||||||||||
 | AO4801HL | - | | 9406 | 0,00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | * | Volume | Obsoleto | - | - | AO480 | - | - | - | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | AON7400AL_103 | - | | 9350 | 0,00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SMD, Chumbo Plano | AON740 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-DFN (3x3) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | N-canal | 30 v | 15a (ta), 40a (tc) | 4.5V, 10V | 7.5mohm @ 20a, 10V | 2,5V a 250µA | 24 nc @ 10 V | ± 20V | 1380 pf @ 15 V | - | 3.1W (TA), 25W (TC) | |||||||||||||||||||||
| AON6540 | - | | 8663 | 0,00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | Volume | Última Vez compra | AON65 | - | Alcançar Não Afetado | 785-AON6540 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AoE8910 | - | | 7150 | 0,00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | Volume | Obsoleto | AoE891 | - | Alcançar Não Afetado | 785-AOE8910 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AOTF5N50L | - | | 3318 | 0,00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | Volume | Última Vez compra | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-3 | AOTF5 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-220F | - | Alcançar Não Afetado | 785-AOTF5N50L | 1 | N-canal | 500 v | 5a (TJ) | 10V | 1.5OHM @ 2.5a, 10V | 4.5V a 250µA | 19 NC @ 10 V | ± 30V | 620 pf @ 25 V | - | 35W | ||||||||||||||||||||||||
| AOTF8N65_003 | - | | 3952 | 0,00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | Volume | Última Vez compra | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-3 | AOTF8 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-220F | - | Alcançar Não Afetado | 785-AOTF8N65_003 | 1 | N-canal | 650 v | 8a (TC) | 10V | 1.15OHM @ 4A, 10V | 4.5V a 250µA | 28 NC @ 10 V | ± 30V | 1400 pf @ 25 V | - | 50W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
| AOTF12N50L | - | | 8838 | 0,00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | Volume | Última Vez compra | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-3 | AOTF12 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-220F | - | Alcançar Não Afetado | 785-AOTF12N50L | 1 | N-canal | 500 v | 12a (TC) | 10V | 520mohm @ 6a, 10V | 4.5V a 250µA | 37 nc @ 10 V | ± 30V | 1633 pf @ 25 V | - | 50W | ||||||||||||||||||||||||
| AOD1N60M | - | | 9248 | 0,00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | Volume | Última Vez compra | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | AOD1 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-252 (DPAK) | - | Alcançar Não Afetado | 785-AOD1N60M | 1 | N-canal | 600 v | 1.3a (TC) | 10V | 9ohm a 650mA, 10V | 4.5V a 250µA | 8 nc @ 10 V | ± 30V | 160 pf @ 25 V | - | 45W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
| AOTF10N60_002 | - | | 3561 | 0,00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | Volume | Última Vez compra | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-3 | AOTF10 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-220F | - | Alcançar Não Afetado | 785-AOTF10N60_002 | 1 | N-canal | 600 v | 10a (TC) | 10V | 750mohm @ 5a, 10V | 4.5V a 250µA | 40 nc @ 10 V | ± 30V | 1600 pf @ 25 V | - | 50W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
| Aou3N50_002 | - | | 7402 | 0,00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | Volume | Última Vez compra | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-251-3 leva Curtos, Ipak, TO-251AA | Aou3 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-251-3 | - | Alcançar Não Afetado | 785-AOU3N50_002 | 1 | N-canal | 500 v | 2.8a (TC) | 10V | 3ohm @ 1.5a, 10V | 4.5V a 250µA | 8 nc @ 10 V | ± 30V | 331 pf @ 25 V | - | 57W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
| AOTF12N50_006 | - | | 6048 | 0,00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | Volume | Última Vez compra | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-3 | AOTF12 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-220F | - | Alcançar Não Afetado | 785-AOTF12N50_006 | 1 | N-canal | 500 v | 12a (TC) | 10V | 520mohm @ 6a, 10V | 4.5V a 250µA | 37 nc @ 10 V | ± 30V | 1633 pf @ 25 V | - | 50W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
| AOTF42S60 | - | | 3088 | 0,00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | AMOS ™ | Volume | Última Vez compra | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-3 | AOTF42 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-220F | - | Alcançar Não Afetado | 785-AOTF42S60 | 1 | N-canal | 600 v | 39a | 10V | 99mohm @ 21a, 10V | 3,8V a 250µA | 40 nc @ 10 V | ± 30V | 2154 pf @ 100 V | - | 50W | ||||||||||||||||||||||||
| AOTF13N50_002 | - | | 2001 | 0,00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | Volume | Última Vez compra | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-3 | AOTF13 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-220F | - | Alcançar Não Afetado | 785-AOTF13N50_002 | 1 | N-canal | 500 v | 13a (TC) | 10V | 510mohm @ 6.5a, 10V | 4.5V a 250µA | 37 nc @ 10 V | ± 30V | 1633 pf @ 25 V | - | 50W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
| AOTF13N50L | - | | 3808 | 0,00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | Volume | Última Vez compra | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-3 | AOTF13 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-220F | - | Alcançar Não Afetado | 785-AOTF13N50L | 1 | N-canal | 500 v | 13a (TJ) | 10V | 510mohm @ 6.5a, 10V | 4.5V a 250µA | 37 nc @ 10 V | ± 30V | 1633 pf @ 25 V | - | 50W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
| AOTF9N50L | - | | 1783 | 0,00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | Volume | Última Vez compra | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-3 | AOTF9 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-220F | - | Alcançar Não Afetado | 785-AOTF9N50L | 1 | N-canal | 500 v | 9a (TJ) | 10V | 850mohm @ 4.5a, 10V | 4.5V a 250µA | 28 NC @ 10 V | ± 30V | 1042 pf @ 25 V | - | 38.5W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
| AOTF12N50_008 | - | | 1303 | 0,00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | Volume | Última Vez compra | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-3 | AOTF12 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-220F | - | Alcançar Não Afetado | 785-AOTF12N50_008 | 1 | N-canal | 500 v | 12a (TC) | 10V | 520mohm @ 6a, 10V | 4.5V a 250µA | 37 nc @ 10 V | ± 30V | 1633 pf @ 25 V | - | 50W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
| AOTF11N60 | - | | 5601 | 0,00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | Volume | Última Vez compra | -55 ° C ~ 150 ° C. | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-3 | AOTF11 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-220F | - | Alcançar Não Afetado | 785-AOTF11N60 | 1 | N-canal | 600 v | 11a | 10V | 650mohm @ 5.5a, 10V | 4.5V a 250µA | 30,6 nc @ 10 V | ± 30V | 1656 pf @ 25 V | - | 50W | ||||||||||||||||||||||||
| AOTF15S60 | - | | 8341 | 0,00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | AMOS ™ | Volume | Última Vez compra | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-3 | AOTF15 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-220F | - | Alcançar Não Afetado | 785-AOTF15S60 | 1 | N-canal | 600 v | 15a (TC) | 10V | 290mohm @ 7.5a, 10V | 3,8V a 250µA | 15,6 nc @ 10 V | ± 30V | 717 pf @ 100 V | - | 27.8W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
| Aoi2nl60 | - | | 5407 | 0,00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | Volume | Última Vez compra | AOI2 | - | Alcançar Não Afetado | 785-AOI2NL60 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AOTF8N65_006 | - | | 4299 | 0,00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | Volume | Última Vez compra | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-3 | AOTF8 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-220F | - | Alcançar Não Afetado | 785-AOTF8N65_006 | 1 | N-canal | 650 v | 8a (TC) | 10V | 1.15OHM @ 4A, 10V | 4.5V a 250µA | 28 NC @ 10 V | ± 30V | 1400 pf @ 25 V | - | 50W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
| AOTF10N60CL_0C1 | - | | 6689 | 0,00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | Volume | Última Vez compra | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-3 | AOTF10 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-220F | - | Alcançar Não Afetado | 785-AOTF10N60CL_0C1 | 1 | N-canal | 600 v | 10a (TJ) | 10V | 750mohm @ 5a, 10V | 4.5V a 250µA | 30 NC a 10 V | ± 30V | 1500 pf @ 25 V | - | 50W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
| Aou4N60_001 | - | | 8954 | 0,00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | Volume | Última Vez compra | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-251-3 leva Curtos, Ipak, TO-251AA | Aou4 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-251-3 | - | Alcançar Não Afetado | 785-AOU4N60_001 | 1 | N-canal | 600 v | 4a (TC) | 10V | 2.3OHM @ 2A, 10V | 4.5V a 250µA | 14,5 nc @ 10 V | ± 30V | 640 pf @ 25 V | - | 104W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
| AOTF16N50L | - | | 7304 | 0,00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | Volume | Última Vez compra | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-3 | AOTF16 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-220F | - | Alcançar Não Afetado | 785-AOTF16N50L | 1 | N-canal | 500 v | 16a (TC) | 10V | 370mohm @ 8a, 10V | 4.5V a 250µA | 51 NC @ 10 V | ± 30V | 2297 pf @ 25 V | - | 50W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
| AOTF9N70_002 | - | | 5232 | 0,00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | Volume | Última Vez compra | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-3 | AOTF9 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-220F | - | Alcançar Não Afetado | 785-AOTF9N70_002 | 1 | N-canal | 700 v | 9a (TC) | 10V | 1.2OHM @ 4.5A, 10V | 4.5V a 250µA | 35 nc @ 10 V | ± 30V | 1630 PF @ 25 V | - | 50W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
| AOTF25S65L | - | | 4635 | 0,00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | AMOS ™ | Volume | Última Vez compra | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-3 | AOTF25 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-220F | - | Alcançar Não Afetado | 785-AOTF25S65L | 1 | N-canal | 650 v | 25a (TC) | 10V | 190mohm @ 12.5a, 10V | 4V A 250µA | 26,4 NC a 10 V | ± 30V | 1278 pf @ 100 V | - | 40W | ||||||||||||||||||||||||
 | AO3416 | 0,3700 | | 964 | 0,00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Não é para desenhos para Novos | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | Variante 3-SMD, SOT-23-3 | AO34 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | SOT-23-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 20 v | 6.5a (ta) | 1.8V, 4.5V | 22mohm @ 6.5a, 4.5V | 1V a 250µA | 16 nc @ 4,5 V | ± 8V | 1160 pf @ 10 V | - | 1.4W (TA) | |||||||||||||||||||||
| AOB10B65M1 | 1.2466 | | 1149 | 0,00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Alpha Igbt ™ | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | AOB10 | Padrão | 150 w | TO-263 (D2PAK) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | 400V, 10A, 30OHM, 15V | 262 ns | - | 650 v | 20 a | 30 a | 2V @ 15V, 10A | 180µJ (ON), 130µJ (Off) | 24 NC | 12ns/91ns | |||||||||||||||||||||
| AOGF40D65L1L | 1.2906 | | 9707 | 0,00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | Pacote completo para 3p-3 | AOGF40 | Padrão | TO-3PF | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 785-aogf40d65l1l | Ear99 | 8541.10.0080 | 480 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 650 v | 1,9 V @ 40 A | 126 ns | 10 µA A 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 80a | - |
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