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Produtos semicondutores discretos(1)

Imagem	Número do produto	Preço (USD)	Quantidade	Ecad	Quantidade disponível	Peso (Kg)	Fabricante	Série	Pacote	Estado do produto	Temperatura operacional	Tipo de montagem	Pacote/Caso	Número básico do produto	Tecnologia	Pacote de dispositivos do fornecedor	Ficha de dados	Estado RoHS	Nível de sensibilidade à umidade (MSL)	Estado do REACH	ECCN	HTSU	Pacote Padrão	Tipo FET	Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)	Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)	Rds ativadas (máx.) @ ID, Vgs	Vgs(th) (máx.) @ ID	Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs	Vgs (máx.)	Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	Recurso FET	Dissipação de energia (máx.)
	3LN01SS-TL-E	-	Solicitação de cotação		6049	0,00000000	Catalisador Semiconductor Inc.	-	Volume	Ativo	150°C (TJ)	Montagem em superfície	SC-81	3LN01	MOSFET (óxido metálico)	SC-81 (SSFP)	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado	EAR99	8541.21.0095	8.000	Canal N	30 V	150mA (Ta)	1,5V, 4V	3,7Ohm a 80mA, 4V	-	1,58 nC a 10 V	±10V	7.000 pF a 10 V	-	150mW (Ta)