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| Imagem | Número do produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade disponível | Peso (Kg) | Fabricante | Série | Pacote | Estado do produto | Temperatura operacional | Tipo de montagem | Pacote/Caso | Número básico do produto | Tecnologia | Potência - Máx. | Pacote de dispositivos do fornecedor | Ficha de dados | Estado RoHS | Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | Estado do REACH | Outros nomes | ECCN | HTSU | Pacote Padrão | Configuração | Tipo FET | Dreno para Tensão de Fonte (Vdss) | Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado) | Rds ativadas (máx.) @ ID, Vgs | Vgs(th) (máx.) @ ID | Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs | Vgs (máx.) | Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | Recurso FET | Dissipação de energia (máx.) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SI1410EDH-T1-E3 | - | ![]() | 4328 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrincheiraFET® | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SI1410 | MOSFET (óxido metálico) | SC-70-6 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal N | 20 V | 2,9A (Ta) | 1,8 V, 4,5 V | 70mOhm a 3,7A, 4,5V | 450mV @ 250µA (mín.) | 8 nC @ 4,5 V | ±12V | - | 1W (Ta) | |||||
![]() | SIS468DN-T1-GE3 | 1.3200 | ![]() | 8633 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrincheiraFET® | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | PowerPAK® 1212-8 | SIS468 | MOSFET (óxido metálico) | PowerPAK® 1212-8 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal N | 80 V | 30A (Tc) | 4,5V, 10V | 19,5mOhm a 10A, 10V | 3 V a 250 µA | 28 nC @ 10 V | ±20V | 780 pF a 40 V | - | 3,7 W (Ta), 52 W (Tc) | |||||
![]() | SI1902CDL-T1-GE3 | 0,4500 | ![]() | 1347 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrincheiraFET® | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SI1902 | MOSFET (óxido metálico) | 420mW | SC-70-6 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 canais N (duplo) | 20V | 1.1A | 235mOhm @ 1A, 4,5V | 1,5 V a 250 µA | 3nC @ 10V | 62pF a 10V | Portão de nível lógico | ||||||
![]() | SI4108DY-T1-GE3 | - | ![]() | 4287 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Fita Cortada (CT) | Obsoleto | Montagem em superfície | 8-SOIC (0,154", 3,90 mm de largura) | SI4108 | MOSFET (óxido metálico) | 8-SOIC | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal N | 75V | 20,5A (Tc) | 9,8mOhm @ 13,8A, 10V | 4 V a 250 µA | 54 nC @ 10 V | 2100 pF a 38 V | - | ||||||||
![]() | SIHP6N80AE-GE3 | 1.6900 | ![]() | 971 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | E | Tubo | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | PARA-220-3 | SIHP6 | MOSFET (óxido metálico) | PARA-220AB | download | 1 (ilimitado) | 742-SIHP6N80AE-GE3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal N | 800V | 5A (Tc) | 950mOhm @ 2A, 10V | 4 V a 250 µA | 22,5 nC a 10 V | ±30V | 422 pF a 100 V | - | 62,5W (Tc) | ||||||
![]() | IRFZ20PBF-BE3 | 1.9000 | ![]() | 657 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | PARA-220-3 | IRFZ20 | MOSFET (óxido metálico) | PARA-220AB | download | 1 (ilimitado) | 742-IRFZ20PBF-BE3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal N | 50 V | 15A (Tc) | 100mOhm @ 10A, 10V | 4 V a 250 µA | 17 nC @ 10 V | ±20V | 860 pF a 25 V | - | 40W (Tc) | ||||||
![]() | SIHF23N60E-GE3 | 1.7972 | ![]() | 9785 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | Pacote completo TO-220-3 | SIHF23 | MOSFET (óxido metálico) | Pacote Completo TO-220 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.000 | Canal N | 600V | 23A (Tc) | 10V | 158mOhm @ 12A, 10V | 4 V a 250 µA | 95 nC @ 10 V | ±30V | 2,418 pF para 100 V | - | 35W (Tc) | |||||
![]() | IRFP244PBF | 5.3100 | ![]() | 4 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | PARA-247-3 | IRFP244 | MOSFET (óxido metálico) | TO-247AC | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | *IRFP244PBF | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | Canal N | 250 V | 15A (Tc) | 10V | 280mOhm @ 9A, 10V | 4 V a 250 µA | 63 nC @ 10 V | ±20V | 1400 pF a 25 V | - | 150W (Tc) | ||||
![]() | SI7463DP-T1-E3 | 2.9400 | ![]() | 367 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrincheiraFET® | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | PowerPAK® SO-8 | SI7463 | MOSFET (óxido metálico) | PowerPAK® SO-8 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 40 V | 11A (Ta) | 4,5V, 10V | 9,2mOhm @ 18,6A, 10V | 3 V a 250 µA | 140 nC @ 10 V | ±20V | - | 1,9W (Ta) | ||||||
![]() | IRF9520S | - | ![]() | 4694 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB | IRF9520 | MOSFET (óxido metálico) | D²PAK (TO-263) | download | RoHS não compatível | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | *IRF9520S | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal P | 100V | 6,8A (Tc) | 10V | 600mOhm @ 4,1A, 10V | 4 V a 250 µA | 18 nC @ 10 V | ±20V | 390 pF a 25 V | - | 3,7 W (Ta), 60 W (Tc) | |||
![]() | SQJQ142E-T1_GE3 | 2.5200 | ![]() | 1641 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotivo, AEC-Q101, TrenchFET® Gen IV | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | PowerPAK® 8x8 | SQJQ142 | MOSFET (óxido metálico) | PowerPAK® 8x8 | - | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 742-SQJQ142E-T1_GE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.000 | Canal N | 40 V | 460A (Tc) | 10V | 1,24mOhm a 20A, 10V | 3,5 V a 250 µA | 130 nC @ 10 V | ±20V | 6975 pF a 25 V | - | 500W (Tc) | ||||
![]() | IRF840APBF-BE3 | 1.9400 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | PARA-220-3 | IRF840 | MOSFET (óxido metálico) | PARA-220AB | - | 1 (ilimitado) | 742-IRF840APBF-BE3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.000 | Canal N | 500 V | 8A (Tc) | 10V | 850mOhm @ 4,8A, 10V | 4 V a 250 µA | 38 nC @ 10 V | ±30V | 1018 pF a 25 V | - | 125W (Tc) | |||||
![]() | SQM120N06-06_GE3 | 2.9400 | ![]() | 9218 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotivo, AEC-Q101, TrenchFET® | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB | SQM120 | MOSFET (óxido metálico) | TO-263 (D²Pak) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal N | 60 V | 120A (Tc) | 10V | 6mOhm a 30A, 10V | 3,5 V a 250 µA | 145 nC @ 10 V | ±20V | 6495 pF a 25 V | - | 230W (Tc) | |||||
![]() | SIR880BDP-T1-RE3 | 1.3100 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrenchFET® Geração IV | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | PowerPAK® SO-8 | MOSFET (óxido metálico) | PowerPAK® SO-8 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal N | 80 V | 18,6A (Ta), 70,6A (Tc) | 4,5V, 10V | 6,5mOhm a 10A, 10V | 2,4 V a 250 µA | 66 nC @ 10 V | ±20V | 2.930 pF a 40 V | - | 5W (Ta), 71,4W (Tc) | ||||||
![]() | SIDR5802EP-T1-RE3 | 2.8700 | ![]() | 5 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrenchFET® Geração V | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | PowerPAK® SO-8 | SIDR5802 | MOSFET (óxido metálico) | PowerPAK® SO-8DC | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal N | 80 V | 34,2A (Ta), 153A (Tc) | 7,5V, 10V | 2,9mOhm a 20A, 10V | 4 V a 250 µA | 60 nC @ 10 V | ±20V | 3020 pF a 40 V | - | 7,5 W (Ta), 150 W (Tc) | |||||
![]() | SI4154DY-T1-GE3 | 1.4900 | ![]() | 9625 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrincheiraFET® | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 8-SOIC (0,154", 3,90 mm de largura) | SI4154 | MOSFET (óxido metálico) | 8-SOIC | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal N | 40 V | 36A (Tc) | 4,5V, 10V | 3,3mOhm a 15A, 10V | 2,5 V a 250 µA | 105 nC @ 10 V | ±20V | 4230 pF a 20 V | - | 3,5 W (Ta), 7,8 W (Tc) | |||||
![]() | SIS434DN-T1-GE3 | 0,9700 | ![]() | 20 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrincheiraFET® | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | PowerPAK® 1212-8 | SIS434 | MOSFET (óxido metálico) | PowerPAK® 1212-8 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal N | 40 V | 35A (Tc) | 4,5V, 10V | 7,6mOhm @ 16,2A, 10V | 2,2 V a 250 µA | 40 nC @ 10 V | ±20V | 1530 pF a 20 V | - | 3,8 W (Ta), 52 W (Tc) | |||||
![]() | IRFBC40APBF-BE3 | 2.4900 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | PARA-220-3 | IRFBC40 | MOSFET (óxido metálico) | PARA-220AB | download | 1 (ilimitado) | 742-IRFBC40APBF-BE3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal N | 600V | 6,2A (Tc) | 1,2 Ohm a 3,7 A, 10 V | 4 V a 250 µA | 42 nC @ 10 V | ±30V | 1036 pF a 25 V | - | 125W (Tc) | ||||||
![]() | SQ4850CEY-T1_GE3 | 1.0500 | ![]() | 8013 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotivo, AEC-Q101, TrenchFET® | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | 8-SOIC (0,154", 3,90 mm de largura) | MOSFET (óxido metálico) | 8-SOIC | download | 1 (ilimitado) | 742-SQ4850CEY-T1_GE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal N | 60 V | 12A (Tc) | 4,5V, 10V | 22mOhm @ 6A, 10V | 2,5 V a 250 µA | 34 nC @ 10 V | ±20V | 1375 pF a 25 V | - | 6,8W (Tc) | ||||||
![]() | SQJ142ELP-T1_GE3 | 1.1600 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotivo, AEC-Q101, TrenchFET® | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | PowerPAK® SO-8 | SQJ142 | MOSFET (óxido metálico) | PowerPAK® SO-8 | - | 1 (ilimitado) | 742-SQJ142ELP-T1_GE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal N | 40 V | 175A (Tc) | 4,5V, 10V | 2,8mOhm a 10A, 10V | 2,2 V a 250 µA | 55 nC @ 10 V | ±20V | 3015 pF a 25 V | - | 190W (Tc) | |||||
![]() | SIR826ADP-T1-GE3 | 2.5400 | ![]() | 9717 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrincheiraFET® | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | PowerPAK® SO-8 | SIR826 | MOSFET (óxido metálico) | PowerPAK® SO-8 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal N | 80 V | 60A (Tc) | 4,5V, 10V | 5,5mOhm a 20A, 10V | 2,8 V a 250 µA | 86 nC @ 10 V | ±20V | 2.800 pF a 40 V | - | 6,25 W (Ta), 104 W (Tc) | |||||
![]() | SI1917EDH-T1-E3 | - | ![]() | 9386 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrincheiraFET® | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SI1917 | MOSFET (óxido metálico) | 570mW | SC-70-6 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 canais P (duplo) | 12V | 1A | 370mOhm @ 1A, 4,5V | 450mV @ 100µA (mín.) | 2nC a 4,5V | - | Portão de nível lógico | ||||||
![]() | SIHK125N60E-T1-GE3 | 5.2300 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | E | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 8-PowerBSFN | MOSFET (óxido metálico) | PowerPAK®10 x 12 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.000 | Canal N | 600V | 21A (Tc) | 10V | 125mOhm @ 12A, 10V | 5 V a 250 µA | 44 nC @ 10 V | ±30V | 1811 pF a 100 V | - | 132W (Tc) | ||||||
![]() | SIR826LDP-T1-RE3 | 1.6400 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrenchFET® Geração IV | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | PowerPAK® SO-8 | SIR826 | MOSFET (óxido metálico) | PowerPAK® SO-8 | - | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 742-SIR826LDP-T1-RE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal N | 80 V | 21,3A (Ta), 86A (Tc) | 10V | 5mOhm @ 15A, 10V | 2,4 V a 250 µA | 91 nC @ 10 V | ±20V | 3840 pF a 40 V | - | 5W (Ta), 83W (Tc) | ||||
![]() | 2N5114JAN02 | - | ![]() | 1721 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | - | Através do furo | TO-206AA, TO-18-3 Lata de metal | 2N5114 | TO-206AA (TO-18) | download | RoHS não compatível | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.21.0095 | 40 | - | - | ||||||||||||||
![]() | SI7922DN-T1-E3 | 1.7700 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrincheiraFET® | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | PowerPAK® 1212-8 Duplo | SI7922 | MOSFET (óxido metálico) | 1,3 W | PowerPAK® 1212-8 Duplo | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 canais N (duplo) | 100V | 1,8A | 195mOhm @ 2,5A, 10V | 3,5 V a 250 µA | 8nC @ 10V | - | Portão de nível lógico | |||||||
![]() | SIHB10N40D-GE3 | 1.7100 | ![]() | 7918 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB | SIHB10 | MOSFET (óxido metálico) | D²PAK (TO-263) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.000 | Canal N | 400V | 10A (Tc) | 10V | 600mOhm @ 5A, 10V | 5 V a 250 µA | 30 nC @ 10 V | ±30V | 526 pF a 100 V | - | 147W (Tc) | |||||
![]() | SISA10BDN-T1-GE3 | 0,9100 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrenchFET® Geração IV | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | PowerPAK® 1212-8 | MOSFET (óxido metálico) | PowerPAK® 1212-8 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal N | 30 V | 26A (Ta), 104A (Tc) | 4,5V, 10V | 3,6mOhm a 10A, 10V | 2,4 V a 250 µA | 36,2 nC a 10 V | +20V, -16V | 1710 pF a 15 V | - | 3,8 W (Ta), 63 W (Tc) | ||||||
![]() | SI8457DB-T1-E1 | 0,6000 | ![]() | 8268 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrincheiraFET® | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 4-UFBGA | SI8457 | MOSFET (óxido metálico) | 4-MICRO FOOT® (1,6x1,6) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 12V | 6,5A (Ta) | 1,8 V, 4,5 V | 19mOhm @ 3A, 4,5V | 900mV a 250µA | 93 nC @ 8 V | ±8V | 2.900 pF a 6 V | - | 1,1 W (Ta), 2,7 W (Tc) | ||||
![]() | IRFRC20TRPBF-BE3 | 1.2900 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63 | IRFRC20 | MOSFET (óxido metálico) | TO-252AA | download | 1 (ilimitado) | 742-IRFRC20TRPBF-BE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.000 | Canal N | 600V | 2A (Tc) | 10V | 4,4Ohm @ 1,2A, 10V | 4 V a 250 µA | 18 nC @ 10 V | ±20V | 350 pF a 25 V | - | 2,5W (Ta), 42W (Tc) |

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