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Produtos Semicondutores discretos (5717)
| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Poder - Máx | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Configuraça | TIPO DE FET | Escorra para um tensão de origem (VDSS) | Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C | Tensão de conduça (max rds on, min rds on) | Rds em (max) @ id, vgs | VGS (th) (max) @ id | Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS | VGs (Máximoo) | CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Recurso FET | DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SI1067X-T1-E3 | - |  | 8037 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SOT-563, SOT-666 | SI1067 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | SC-89 (SOT-563F) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal P. | 20 v | 1.06a (ta) | 1.8V, 4.5V | 150mohm @ 1.06a, 4.5V | 950MV A 250µA | 9,3 nc @ 5 V | ± 8V | 375 pf @ 10 V | - | 236MW (TA) | ||||
 | SI5936DU-T1-GE3 | 0,6700 | | 89 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | PowerPak® Chipfet ™ Dual | SI5936 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 10.4w | PowerPak® Chipfet Dual | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 canal n (Duplo) | 30V | 6a | 30mohm @ 5a, 10V | 2.2V A 250µA | 11NC @ 10V | 320pf @ 15V | Portão de Nível Lógico | |||||||
 | SI4947ADY-T1-E3 | - | | 9209 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | SI4947 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 1.2W | 8-SOIC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 Canal P (Duplo) | 30V | 3a | 80mohm @ 3.9a, 10V | 1V @ 250µA (min) | 8NC @ 5V | - | Portão de Nível Lógico | ||||||
 | Sqs420en-t1_ge3 | 1.0100 | | 7676 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | PowerPak® 1212-8 | SQS420 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PowerPak® 1212-8 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 20 v | 8a (TC) | 1.8V, 4.5V | 28mohm @ 5a, 4.5V | 1,5V a 250µA | 14 NC a 4,5 V | ± 8V | 490 pf @ 10 V | - | 18W (TC) | |||||
 | IRCZ24PBF | - | | 4824 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | HEXFET® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-5 | IRCZ24 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | To-220-5 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | *Ircz24pbf | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 55 v | 17a (TC) | 10V | 100mohm @ 10a, 10V | 4V A 250µA | 24 nc @ 10 V | ± 20V | 720 pf @ 25 V | Detectar | 60W (TC) | |||
 | IRF840LCPBF-BE3 | 2.2000 | | 1 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | IRF840 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-220AB | download | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-canal | 500 v | 8a (TC) | 10V | 850mohm @ 4.8a, 10V | 4V A 250µA | 39 NC @ 10 V | ± 30V | 1100 pf @ 25 V | - | 125W (TC) | ||||||
 | IRFR024PBF | 1.2300 | | 7362 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | IRFR024 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D-Pak | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | N-canal | 60 v | 14a (TC) | 10V | 100mohm @ 8.4a, 10V | 4V A 250µA | 25 nc @ 10 V | ± 20V | 640 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 42W (TC) | |||||
 | SIHD14N60ET5-GE3 | 2.3000 | | 2 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | E | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D-Pak | download | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 600 v | 13a (TC) | 10V | 309mohm @ 7a, 10v | 4V A 250µA | 64 nc @ 10 V | ± 30V | 1205 pf @ 100 V | - | 147W (TC) | |||||||
 | SI1403BDL-T1-GE3 | 0,5200 | | 19 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SI1403 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | SC-70-6 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal P. | 20 v | 1.5a (ta) | 2.5V, 4.5V | 150mohm @ 1.5a, 4.5V | 1.3V a 250µA | 4,5 nc @ 4,5 V | ± 12V | - | 625MW (TA) | |||||
 | VQ3001P-E3 | - | | 9429 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | - | VQ3001 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 2W | - | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | 2 NE 2 Canal P | 30V | 850mA, 600mA | 1OHM @ 1A, 12V | 2.5V @ 1MA | - | 110pf @ 15V | - | |||||||
 | IRF624 | - | | 1275 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | IRF624 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-220AB | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | *IRF624 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-canal | 250 v | 4.4a (TC) | 10V | 1.1ohm @ 2.6a, 10V | 4V A 250µA | 14 nc @ 10 V | ± 20V | 260 pf @ 25 V | - | 50W (TC) | |||
| IRFBE20 | - | | 5800 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | IRFBE20 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-220AB | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | *IRFBE20 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-canal | 800 v | 1.8a (TC) | 10V | 6.5Ohm @ 1.1a, 10V | 4V A 250µA | 38 nc @ 10 V | ± 20V | 530 pf @ 25 V | - | 54W (TC) | |||
 | SI8401DB-T1-E1 | 1.1800 | | 5653 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 4-XFBGA, CSPBGA | SI8401 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 4-microfoot | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P. | 20 v | 3.6a (ta) | 2.5V, 4.5V | 65mohm @ 1a, 4.5V | 1.4V A 250µA | 17 NC @ 4,5 V | ± 12V | - | 1.47W (TA) | |||||
 | SI7495DP-T1-GE3 | - | | 7048 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | PowerPak® SO-8 | SI7495 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PowerPak® SO-8 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P. | 12 v | 13A (TA) | 1.8V, 4.5V | 6.5mohm @ 21a, 4.5V | 900MV @ 1MA | 140 nc @ 5 V | ± 8V | - | 1.8W (TA) | |||||
 | SIHA180N60E-GE3 | 1.7331 | | 1923 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | E | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-3 | SIHA180 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | Pacote completo parágrafo 220 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 600 v | 19a (TC) | 10V | 180mohm @ 9.5a, 10V | 5V A 250µA | 33 nc @ 10 V | ± 30V | 1085 pf @ 100 V | - | 33W (TC) | |||||
| SISF06DN-T1-GE3 | 1.1800 | | 5 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | PowerPak® 1212-8SCD | SISF06 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 5.2W (TA), 69,4W (TC) | PowerPak® 1212-8SCD | download | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2-canal n (Duplo) Dreno Comum | 30V | 28a (ta), 101a (tc) | 4.5mohm @ 7a, 10V | 2.3V A 250µA | 45NC @ 10V | 2050pf @ 15V | - | ||||||||
 | IRF640PBF-BE3 | 1.9900 | | 1 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | IRF640 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-220AB | - | 1 (ilimito) | 742-IRF640pbf-BE3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 200 v | 18a (TC) | 10V | 180mohm @ 11a, 10V | 4V A 250µA | 70 nc @ 10 V | ± 20V | 1300 pf @ 25 V | - | 125W (TC) | |||||
 | IRLZ44STRR | - | | 4563 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | IRLZ44 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D²PAK (TO-263) | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 60 v | 50a (TC) | 4V, 5V | 28mohm @ 31a, 5V | 2V A 250µA | 66 nc @ 5 V | ± 10V | 3300 pf @ 25 V | - | 3.7W (TA), 150W (TC) | ||||
| SI7100DN-T1-E3 | - | | 4211 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | PowerPak® 1212-8 | SI7100 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PowerPak® 1212-8 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 8 v | 35a (TC) | 2.5V, 4.5V | 3.5mohm @ 15a, 4.5V | 1V a 250µA | 105 nc @ 8 V | ± 8V | 3810 PF @ 4 V | - | 3.8W (TA), 52W (TC) | ||||
 | IRFR430ATRPBF | 1.9000 | | 1 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | IRFR430 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D-Pak | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-canal | 500 v | 5a (TC) | 10V | 1.7OHM @ 3A, 10V | 4.5V a 250µA | 24 nc @ 10 V | ± 30V | 490 pf @ 25 V | - | 110W (TC) | |||||
 | SQJ168ELP-T1_GE3 | 0,8800 | | 3 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | PowerPak® SO-8 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PowerPak® SO-8 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 742-SQJ168ELP-T1_GE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 60 v | 24a (TC) | 4.5V, 10V | 36mohm @ 15a, 10V | 2,5V a 250µA | 20 NC A 10 V | ± 20V | 987 PF @ 25 V | - | 29.4W (TC) | |||||
 | SI1302DL-T1-GE3 | 0,4400 | | 1190 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SC-70, SOT-323 | SI1302 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | SC-70-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 30 v | 600mA (TA) | 4.5V, 10V | 480mohm @ 600Ma, 10V | 3V A 250µA | 1,4 nc @ 10 V | ± 20V | - | 280mW (TA) | |||||
| IRFBF30 | - | | 8857 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | IRFBF30 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-220AB | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | *IRFBF30 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 900 v | 3.6a (TC) | 10V | 3.7ohm @ 2.2a, 10V | 4V A 250µA | 78 NC @ 10 V | ± 20V | 1200 pf @ 25 V | - | 125W (TC) | ||||
 | SQ2337ES-T1_BE3 | 0,6900 | | 298 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | SQ2337 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | SOT-23-3 (TO-236) | download | 1 (ilimito) | 742-SQ2337ES-T1_BE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P. | 80 v | 2.2a (TC) | 6V, 10V | 290mohm @ 1.2a, 10V | 2,5V a 250µA | 18 NC @ 10 V | ± 20V | 620 pf @ 40 V | - | 3W (TC) | |||||
| SI7794DP-T1-GE3 | - | | 6198 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Skyfet®, Trenchfet® Gen III | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | PowerPak® SO-8 | SI7794 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PowerPak® SO-8 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 v | 28.6a (TA), 60A (TC) | 4.5V, 10V | 3.4mohm @ 20a, 10V | 2,5V a 250µA | 72 NC @ 10 V | ± 20V | 2520 pf @ 15 V | Diodo Schottky (Corpo) | 5W (TA), 48W (TC) | |||||
 | SISS30LDN-T1-GE3 | 1.3000 | | 11 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | PowerPak® 1212-8S | SISS30 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PowerPak® 1212-8S | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 80 v | 16a (ta), 55.5a (tc) | 4.5V, 10V | 8.5mohm @ 10a, 10V | 2,5V a 250µA | 50 nc @ 10 V | ± 20V | 2070 pf @ 40 V | - | 4.8W (TA), 57W (TC) | |||||
| SI4151DY-T1-GE3 | 1.2400 | | 1 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-SOIC | download | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P. | 30 v | 15.2a (ta), 20.5a (tc) | 4.5V, 10V | 7.5mohm @ 10a, 10V | 2,5V a 250µA | 87 nc @ 10 V | ± 25V | 3250 pf @ 15 V | - | 3.1W (TA), 5.6W (TC) | |||||||
 | SIDR402EP-T1-RE3 | 2.5200 | | 1279 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | PowerPak® SO-8 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PowerPak® SO-8DC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 742-SIDR402EP-T1-RE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 40 v | 65.2a (ta), 291a (tc) | 4.5V, 10V | 0,88mohm @ 20a, 10V | 2.3V A 250µA | 165 NC @ 10 V | +20V, -16V | 9100 pf @ 20 V | - | 7.5W (TA), 150W (TC) | |||||
 | IRFU1N60APBF | 1.5600 | | 7934 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-251-3 leva Curtos, Ipak, TO-251AA | IRFU1 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-251AA | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | N-canal | 600 v | 1.4a (TC) | 10V | 7ohm @ 840mA, 10V | 4V A 250µA | 14 nc @ 10 V | ± 30V | 229 pf @ 25 V | - | 36W (TC) | |||||
| IRL510s | - | | 7784 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | IRL510 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D²PAK (TO-263) | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | *IRL510s | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 100 v | 5.6a (TC) | 4V, 5V | 540mohm @ 3.4a, 5V | 2V A 250µA | 6.1 NC @ 5 V | ± 10V | 250 pf @ 25 V | - | 3.7W (TA), 43W (TC) |
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