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Produtos semicondutores discretos (5717)
| Imagem | Número do produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade disponível | Peso (Kg) | Fabricante | Série | Pacote | Estado do produto | Temperatura operacional | Tipo de montagem | Pacote/Caso | Número básico do produto | Tecnologia | Potência - Máx. | Pacote de dispositivos do fornecedor | Ficha de dados | Estado RoHS | Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | Estado do REACH | Outros nomes | ECCN | HTSU | Pacote Padrão | Configuração | Tipo FET | Dreno para Tensão de Fonte (Vdss) | Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado) | Rds ativadas (máx.) @ ID, Vgs | Vgs(th) (máx.) @ ID | Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs | Vgs (máx.) | Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | Recurso FET | Dissipação de energia (máx.) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRFI9610G | - |  | 3023 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | TO-220-3 Pacote Completo, Guia Isolado | IRFI9610 | MOSFET (óxido metálico) | PARA-220-3 | download | RoHS não compatível | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | *IRFI9610G | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.000 | Canal P | 200 V | 2A (Tc) | 10V | 3 Ohm @ 1,2 A, 10 V | 4 V a 250 µA | 13 nC @ 10 V | ±20V | 180 pF a 25 V | - | 27W (Tc) | |||
 | SUD50P04-23-E3 | - | | 1765 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrincheiraFET® | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63 | SUD50 | MOSFET (óxido metálico) | TO-252AA | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.000 | Canal P | 40 V | 8,2A (Ta), 20A (Tc) | 4,5V, 10V | 23mOhm @ 15A, 10V | 2V @ 250µA | 65 nC @ 10 V | ±16V | 1880 pF a 20 V | - | 3,1 W (Ta), 45,4 W (Tc) | ||||
 | SUP85N10-10-GE3 | 6.6200 | | 6 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrincheiraFET® | Tubo | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | PARA-220-3 | SUP85 | MOSFET (óxido metálico) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal N | 100V | 85A (Tc) | 4,5V, 10V | 10,5mOhm a 30A, 10V | 3 V a 250 µA | 160 nC @ 10 V | ±20V | 6550 pF a 25 V | - | 3,75 W (Ta), 250 W (Tc) | ||||||
 | SQ1539EH-T1_GE3 | 0,7600 | | 6 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrincheiraFET® | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | PowerPAK® SC-70-6 Duplo | SQ1539 | MOSFET (óxido metálico) | 1,5W | PowerPAK® SC-70-6 Duplo | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal N e P | 30V | 850mA (Tc) | 280mOhm a 1A, 10V, 940mOhm a 500mA, 10V | 2,6 V a 250 µA | 1,4nC a 4,5V, 1,6nC a 4,5V | 48pF a 15V, 50pF a 15V | - | |||||||
 | SI3460BDV-T1-BE3 | 0,9100 | | 48 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | SOT-23-6 Fino, TSOT-23-6 | MOSFET (óxido metálico) | 6-TSOP | download | 1 (ilimitado) | 742-SI3460BDV-T1-BE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal N | 20 V | 6,7A (Ta), 8A (Tc) | 1,8 V, 4,5 V | 27mOhm @ 5,1A, 4,5V | 1V @ 250µA | 24 nC @ 8 V | ±8V | 860 pF a 10 V | - | 2W (Ta), 3,5W (Tc) | ||||||
| SUP70040E-GE3 | 3.0600 | | 490 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrincheiraFET® | Volume | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | PARA-220-3 | SUP70040 | MOSFET (óxido metálico) | PARA-220AB | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | Canal N | 100V | 120A (Tc) | 7,5V, 10V | 4mOhm @ 20A, 10V | 4 V a 250 µA | 120 nC @ 10 V | ±20V | 5100 pF a 50 V | - | 375W (Tc) | |||||
 | SIHF23N60E-GE3 | 1.7972 | | 9785 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | Pacote completo TO-220-3 | SIHF23 | MOSFET (óxido metálico) | Pacote Completo TO-220 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.000 | Canal N | 600 V | 23A (Tc) | 10V | 158mOhm @ 12A, 10V | 4 V a 250 µA | 95 nC @ 10 V | ±30V | 2,418 pF para 100 V | - | 35W (Tc) | |||||
 | IRFP244PBF | 5.3100 | | 4 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | PARA-247-3 | IRFP244 | MOSFET (óxido metálico) | TO-247AC | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | *IRFP244PBF | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | Canal N | 250 V | 15A (Tc) | 10V | 280mOhm @ 9A, 10V | 4 V a 250 µA | 63 nC @ 10 V | ±20V | 1400 pF a 25 V | - | 150W (Tc) | ||||
| IRFR210TRPBF-BE3 | 1.1700 | | 7 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63 | IRFR210 | MOSFET (óxido metálico) | TO-252AA | download | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.000 | Canal N | 200 V | 2,6A (Tc) | 1,5 Ohm a 1,6 A, 10 V | 4 V a 250 µA | 8,2 nC a 10 V | ±20V | 140 pF a 25 V | - | 2,5W (Ta), 25W (Tc) | |||||||
 | SIHP6N80AE-GE3 | 1.6900 | | 971 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | E | Tubo | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | PARA-220-3 | SIHP6 | MOSFET (óxido metálico) | PARA-220AB | download | 1 (ilimitado) | 742-SIHP6N80AE-GE3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal N | 800V | 5A (Tc) | 950mOhm @ 2A, 10V | 4 V a 250 µA | 22,5 nC a 10 V | ±30V | 422 pF a 100 V | - | 62,5W (Tc) | ||||||
 | SIHK105N60E-T1-GE3 | 5.6900 | | 50 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | FE | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 8-PowerBSFN | MOSFET (óxido metálico) | PowerPAK®10x12 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 742-SIHK105N60E-T1-GE3CT | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.000 | Canal N | 600 V | 24A (Tc) | 10V | 105mOhm @ 10A, 10V | 5 V a 250 µA | 51 nC @ 10 V | ±30V | 2301 pF a 100 V | - | 142W (Tc) | |||||
 | SI1902CDL-T1-GE3 | 0,4500 | | 1347 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrincheiraFET® | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SI1902 | MOSFET (óxido metálico) | 420mW | SC-70-6 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 canais N (duplo) | 20V | 1.1A | 235mOhm @ 1A, 4,5V | 1,5 V a 250 µA | 3nC @ 10V | 62pF a 10V | Portão de nível lógico | ||||||
 | SIA444DJT-T4-GE3 | - | | 1183 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrincheiraFET® | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | PowerPAK® SC-70-6 | SIA444 | MOSFET (óxido metálico) | PowerPAK® SC-70-6 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal N | 30 V | 11A (Ta), 12A (Tc) | 4,5V, 10V | 17mOhm @ 7,4A, 10V | 2,2 V a 250 µA | 15 nC @ 10 V | ±20V | 560 pF a 15 V | - | 3,5W (Ta), 19W (Tc) | |||||
 | SQJQ142E-T1_GE3 | 2.5200 | | 1641 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotivo, AEC-Q101, TrenchFET® Gen IV | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | PowerPAK® 8x8 | SQJQ142 | MOSFET (óxido metálico) | PowerPAK® 8x8 | - | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 742-SQJQ142E-T1_GE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.000 | Canal N | 40 V | 460A (Tc) | 10V | 1,24mOhm a 20A, 10V | 3,5 V a 250 µA | 130 nC @ 10 V | ±20V | 6975 pF a 25 V | - | 500W (Tc) | ||||
 | IRFZ20PBF-BE3 | 1.9000 | | 657 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | PARA-220-3 | IRFZ20 | MOSFET (óxido metálico) | PARA-220AB | download | 1 (ilimitado) | 742-IRFZ20PBF-BE3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal N | 50 V | 15A (Tc) | 100mOhm @ 10A, 10V | 4 V a 250 µA | 17 nC @ 10 V | ±20V | 860 pF a 25 V | - | 40W (Tc) | ||||||
| IRF840APBF-BE3 | 1.9400 | | 1 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | PARA-220-3 | IRF840 | MOSFET (óxido metálico) | PARA-220AB | - | 1 (ilimitado) | 742-IRF840APBF-BE3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.000 | Canal N | 500 V | 8A (Tc) | 10V | 850mOhm @ 4,8A, 10V | 4 V a 250 µA | 38 nC @ 10 V | ±30V | 1018 pF a 25 V | - | 125W (Tc) | |||||
 | SI4108DY-T1-GE3 | - | | 4287 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Fita Cortada (CT) | Obsoleto | Montagem em superfície | 8-SOIC (0,154", 3,90 mm de largura) | SI4108 | MOSFET (óxido metálico) | 8-SOIC | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal N | 75V | 20,5A (Tc) | 9,8mOhm @ 13,8A, 10V | 4 V a 250 µA | 54 nC @ 10 V | 2100 pF a 38 V | - | ||||||||
| SI4936BDY-T1-GE3 | 1.3200 | | 14 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrincheiraFET® | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 8-SOIC (0,154", 3,90 mm de largura) | SI4936 | MOSFET (óxido metálico) | 2,8W | 8-SOIC | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 canais N (duplo) | 30V | 6.9A | 35mOhm @ 5,9A, 10V | 3 V a 250 µA | 15nC @ 10V | 530pF a 15V | Portão de nível lógico | |||||||
 | IRF9520S | - | | 4694 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB | IRF9520 | MOSFET (óxido metálico) | D²PAK (TO-263) | download | RoHS não compatível | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | *IRF9520S | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal P | 100V | 6,8A (Tc) | 10V | 600mOhm @ 4,1A, 10V | 4 V a 250 µA | 18 nC @ 10 V | ±20V | 390 pF a 25 V | - | 3,7 W (Ta), 60 W (Tc) | |||
 | SI7463DP-T1-E3 | 2.9400 | | 367 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrincheiraFET® | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | PowerPAK® SO-8 | SI7463 | MOSFET (óxido metálico) | PowerPAK® SO-8 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 40 V | 11A (Ta) | 4,5V, 10V | 9,2mOhm @ 18,6A, 10V | 3 V a 250 µA | 140 nC @ 10 V | ±20V | - | 1,9W (Ta) | ||||||
 | SQM120N06-06_GE3 | 2.9400 | | 9218 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotivo, AEC-Q101, TrenchFET® | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB | SQM120 | MOSFET (óxido metálico) | TO-263 (D²Pak) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal N | 60 V | 120A (Tc) | 10V | 6mOhm a 30A, 10V | 3,5 V a 250 µA | 145 nC @ 10 V | ±20V | 6495 pF a 25 V | - | 230W (Tc) | |||||
 | SIR880BDP-T1-RE3 | 1.3100 | | 2 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrenchFET® Geração IV | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | PowerPAK® SO-8 | MOSFET (óxido metálico) | PowerPAK® SO-8 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal N | 80 V | 18,6A (Ta), 70,6A (Tc) | 4,5V, 10V | 6,5mOhm a 10A, 10V | 2,4 V a 250 µA | 66 nC @ 10 V | ±20V | 2.930 pF a 40 V | - | 5W (Ta), 71,4W (Tc) | ||||||
| SIR826ADP-T1-GE3 | 2.5400 | | 9717 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrincheiraFET® | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | PowerPAK® SO-8 | SIR826 | MOSFET (óxido metálico) | PowerPAK® SO-8 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal N | 80 V | 60A (Tc) | 4,5V, 10V | 5,5mOhm a 20A, 10V | 2,8 V a 250 µA | 86 nC @ 10 V | ±20V | 2.800 pF a 40 V | - | 6,25 W (Ta), 104 W (Tc) | |||||
| SI4154DY-T1-GE3 | 1.4900 | | 9625 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrincheiraFET® | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 8-SOIC (0,154", 3,90 mm de largura) | SI4154 | MOSFET (óxido metálico) | 8-SOIC | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal N | 40 V | 36A (Tc) | 4,5V, 10V | 3,3mOhm a 15A, 10V | 2,5 V a 250 µA | 105 nC @ 10 V | ±20V | 4230 pF a 20 V | - | 3,5 W (Ta), 7,8 W (Tc) | |||||
 | SIDR5802EP-T1-RE3 | 2.8700 | | 5 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrenchFET® Geração V | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | PowerPAK® SO-8 | SIDR5802 | MOSFET (óxido metálico) | PowerPAK® SO-8DC | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal N | 80 V | 34,2A (Ta), 153A (Tc) | 7,5V, 10V | 2,9mOhm a 20A, 10V | 4 V a 250 µA | 60 nC @ 10 V | ±20V | 3020 pF a 40 V | - | 7,5 W (Ta), 150 W (Tc) | |||||
 | SIS434DN-T1-GE3 | 0,9700 | | 20 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrincheiraFET® | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | PowerPAK® 1212-8 | SIS434 | MOSFET (óxido metálico) | PowerPAK® 1212-8 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal N | 40 V | 35A (Tc) | 4,5V, 10V | 7,6mOhm @ 16,2A, 10V | 2,2 V a 250 µA | 40 nC @ 10 V | ±20V | 1530 pF a 20 V | - | 3,8 W (Ta), 52 W (Tc) | |||||
 | SQJ142ELP-T1_GE3 | 1.1600 | | 2 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotivo, AEC-Q101, TrenchFET® | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | PowerPAK® SO-8 | SQJ142 | MOSFET (óxido metálico) | PowerPAK® SO-8 | - | 1 (ilimitado) | 742-SQJ142ELP-T1_GE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal N | 40 V | 175A (Tc) | 4,5V, 10V | 2,8mOhm a 10A, 10V | 2,2 V a 250 µA | 55 nC @ 10 V | ±20V | 3015 pF a 25 V | - | 190W (Tc) | |||||
| IRFBC40APBF-BE3 | 2.4900 | | 1 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | PARA-220-3 | IRFBC40 | MOSFET (óxido metálico) | PARA-220AB | download | 1 (ilimitado) | 742-IRFBC40APBF-BE3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal N | 600 V | 6,2A (Tc) | 1,2 Ohm a 3,7 A, 10 V | 4 V a 250 µA | 42 nC @ 10 V | ±30V | 1036 pF a 25 V | - | 125W (Tc) | ||||||
| SQ4850CEY-T1_GE3 | 1.0500 | | 8013 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotivo, AEC-Q101, TrenchFET® | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | 8-SOIC (0,154", 3,90 mm de largura) | MOSFET (óxido metálico) | 8-SOIC | download | 1 (ilimitado) | 742-SQ4850CEY-T1_GE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal N | 60 V | 12A (Tc) | 4,5V, 10V | 22mOhm @ 6A, 10V | 2,5 V a 250 µA | 34 nC @ 10 V | ±20V | 1375 pF a 25 V | - | 6,8W (Tc) | ||||||
| SI9945BDY-T1-GE3 | 0,8800 | | 4976 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrincheiraFET® | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 8-SOIC (0,154", 3,90 mm de largura) | SI9945 | MOSFET (óxido metálico) | 3,1W | 8-SOIC | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 canais N (duplo) | 60V | 5.3A | 58mOhm @ 4,3A, 10V | 3 V a 250 µA | 20nC @ 10V | 665pF a 15V | Portão de nível lógico |
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