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Produtos Semicondutores discretos (5717)
| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Poder - Máx | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Configuraça | TIPO DE FET | Escorra para um tensão de origem (VDSS) | Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C | Tensão de conduça (max rds on, min rds on) | Rds em (max) @ id, vgs | VGS (th) (max) @ id | Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS | VGs (Máximoo) | CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Recurso FET | DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRLZ44PBF | 2.8800 |  | 167 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | IRLZ44 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 60 v | 50a (TC) | 4V, 5V | 28mohm @ 31a, 5V | 2V A 250µA | 66 nc @ 5 V | ± 10V | 3300 pf @ 25 V | - | 150W (TC) | |||||
 | IRFIB8N50K | - | | 2461 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada | Irfib8 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | To-220-3 | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | *Irfib8n50k | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 500 v | 6.7a (TC) | 10V | 350mohm @ 4a, 10V | 5V A 250µA | 89 NC @ 10 V | ± 30V | 2160 pf @ 25 V | - | 45W (TC) | |||
 | SI7489DP-T1-E3 | 2.6600 | | 36 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | PowerPak® SO-8 | SI7489 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PowerPak® SO-8 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P. | 100 v | 28a (TC) | 4.5V, 10V | 41mohm @ 7.8a, 10V | 3V A 250µA | 160 nc @ 10 V | ± 20V | 4600 pf @ 50 V | - | 5.2W (TA), 83W (TC) | ||||
 | SI4362BDY-T1-GE3 | - | | 9425 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | SI4362 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-SOIC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 v | 29a (TC) | 4.5V, 10V | 4.6mohm @ 19.8a, 10V | 2V A 250µA | 115 NC @ 10 V | ± 12V | 4800 pf @ 15 V | - | 3W (TA), 6,6W (TC) | ||||
| IRL510 | - | | 8733 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | IRL510 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-220AB | - | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | *IRL510 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-canal | 100 v | 5.6a (TC) | 4V, 5V | 540mohm @ 3.4a, 5V | 2V A 250µA | 6.1 NC @ 5 V | ± 10V | 250 pf @ 25 V | - | 43W (TC) | |||
 | SQJB00EP-T1_GE3 | 1.3100 | | 9293 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | PowerPak® SO-8 dual | SQJB00 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 48W | PowerPak® SO-8 dual | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 canal n (Duplo) | 60V | 30a (TC) | 13mohm @ 10a, 10V | 3,5V a 250µA | 35NC @ 10V | 1700pf @ 25V | - | |||||||
 | SI3424CDV-T1-BE3 | 0,5400 | | 3 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 6-TSOP | download | 1 (ilimito) | 742-SI3424CDV-T1-BE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 v | 7.2a (ta), 8a (tc) | 4.5V, 10V | 26mohm @ 7.2a, 10V | 2,5V a 250µA | 12,5 nc @ 10 V | ± 20V | 405 pf @ 15 V | - | 2W (TA), 3,6W (TC) | ||||||
 | SUD40N08-16-E3 | 3.0500 | | 1 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | SUD40 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-252AA | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-canal | 80 v | 40A (TC) | 10V | 16mohm @ 40a, 10V | 4V A 250µA | 60 nc @ 10 V | ± 20V | 1960 pf @ 25 V | - | 3W (TA), 136W (TC) | |||||
 | SI1539DL-T1-GE3 | - | | 9923 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SI1539 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 270mw | SC-70-6 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N E P-Canal | 30V | 540mA, 420mA | 480mohm @ 590mA, 10V | 2.6V a 250µA | 1.4NC @ 10V | - | Portão de Nível Lógico | ||||||
 | SIA108DJ-T1-GE3 | 0,8800 | | 6 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | PowerPak® SC-70-6 | Sia108 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PowerPak® SC-70-6 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 80 v | 6.6a (ta), 12a (tc) | 7.5V, 10V | 38mohm @ 4a, 10V | 4V A 250µA | 13 NC @ 10 V | ± 20V | 545 pf @ 40 V | - | 3.5W (TA), 19W (TC) | |||||
| SQ4850EY-T1_BE3 | 1.3700 | | 2 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | SQ4850 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-SOIC | download | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 60 v | 12a (TC) | 4.5V, 10V | 22mohm @ 6a, 5V | 2,5V a 250µA | 30 NC a 10 V | ± 20V | 1250 pf @ 25 V | - | 6.8W (TC) | ||||||
 | SISS60DN-T1-GE3 | 1.5100 | | 1881 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | PowerPak® 1212-8S | Siss60 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PowerPak® 1212-8S | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 v | 50.1a (ta), 181.8a (TC) | 4.5V, 10V | 1.31mohm @ 20a, 10V | 2,5V a 250µA | 85,5 nc @ 10 V | +16V, -12V | 3960 pf @ 15 V | Diodo Schottky (Corpo) | 5.1W (TA), 65,8W (TC) | |||||
| SI4688DY-T1-GE3 | - | | 2611 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | SI4688 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-SOIC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 v | 8.9a (ta) | 4.5V, 10V | 11mohm @ 12a, 10V | 3V A 250µA | 38 nc @ 10 V | ± 20V | 1580 pf @ 15 V | - | 1.4W (TA) | ||||
 | SQM60N20-35_GE3 | 3.6400 | | 8906 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | SQM60 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-263 (D²PAK) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 200 v | 60a (TC) | 10V | 35mohm @ 20a, 10V | 3,5V a 250µA | 135 NC @ 10 V | ± 20V | 5850 pf @ 25 V | - | 375W (TC) | |||||
| SI4936BDY-T1-E3 | 0,9500 | | 19 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | SI4936 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 2.8W | 8-SOIC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 canal n (Duplo) | 30V | 6.9a | 35mohm @ 5.9a, 10V | 3V A 250µA | 15NC @ 10V | 530pf @ 15V | Portão de Nível Lógico | |||||||
| SIHFR430ATRR-GE3 | 0,4263 | | 2810 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | SIHFR430 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-252AA | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 742-SIHFR430ATRR-GE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 500 v | 5a (TC) | 10V | 1.7OHM @ 3A, 10V | 4.5V a 250µA | 24 nc @ 10 V | ± 30V | 490 pf @ 25 V | - | 110W (TC) | ||||
| SI7455DP-T1-GE3 | - | | 4523 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | PowerPak® SO-8 | SI7455 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PowerPak® SO-8 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P. | 80 v | 28a (TC) | 6V, 10V | 25mohm @ 10.5a, 10V | 4V A 250µA | 155 nc @ 10 V | ± 20V | 5160 pf @ 40 V | - | 5.2W (TA), 83,3W (TC) | |||||
 | Sia910EdJ-T1-GE3 | 0,5900 | | 24 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | PowerPak® SC-70-6 Dual | Sia910 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 7.8W | PowerPak® SC-70-6 Dual | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 canal n (Duplo) | 12V | 4.5a | 28mohm @ 5.2a, 4.5V | 1V a 250µA | 16NC @ 8V | 455pf @ 6V | Portão de Nível Lógico | |||||||
 | SIHJ10N60E-T1-GE3 | 2.9500 | | 1 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | E | Fita de Corte (CT) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | PowerPak® SO-8 | Sihj10 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PowerPak® SO-8 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 600 v | 10a (TC) | 10V | 360mohm @ 5a, 10V | 4.5V a 250µA | 50 nc @ 10 V | ± 30V | 784 pf @ 100 V | - | 89W (TC) | |||||
| IRFI630G | - | | 1939 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada | IRFI630 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | To-220-3 | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | *IRFI630G | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-canal | 200 v | 5.9a (TC) | 10V | 400mohm @ 3.5a, 10V | 4V A 250µA | 43 nc @ 10 V | ± 20V | 800 pf @ 25 V | - | 35W (TC) | |||
| SI7483ADP-T1-GE3 | - | | 4065 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | PowerPak® SO-8 | SI7483 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PowerPak® SO-8 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P. | 30 v | 14a (ta) | 4.5V, 10V | 5.7mohm @ 24a, 10V | 3V A 250µA | 180 nc @ 10 V | ± 20V | - | 1.9W (TA) | |||||
 | SI6966DQ-T1-E3 | - | | 2975 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm de largura) | Si6966 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 830mW | 8-TSSOP | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 canal n (Duplo) | 20V | 4a | 30mohm @ 4.5a, 4.5V | 1.4V A 250µA | 20NC @ 4.5V | - | Portão de Nível Lógico | ||||||
 | IRC530pbf | - | | 8346 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | HEXFET® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-5 | IRC530 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | To-220-5 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | *IRC530pbf | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 100 v | 14a (TC) | 10V | 160mohm @ 8.4a, 10V | 4V A 250µA | 26 NC A 10 V | ± 20V | 700 pf @ 25 V | Detectar | 88W (TC) | |||
 | IRFR014TRR | - | | 7077 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | IRFR014 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D-Pak | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 60 v | 7.7a (TC) | 10V | 200mohm @ 4.6a, 10V | 4V A 250µA | 11 NC @ 10 V | ± 20V | 300 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 25W (TC) | ||||
 | SI7842DP-T1-GE3 | - | | 7603 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Little Foot® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | PowerPak® SO-8 dual | SI7842 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 1.4W | PowerPak® SO-8 dual | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 canal n (Duplo) | 30V | 6.3a | 22mohm @ 7.5a, 10V | 2.4V a 250µA | 20NC @ 10V | - | Portão de Nível Lógico | ||||||
 | SI7212DN-T1-GE3 | 1.5600 | | 7765 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | PowerPak® 1212-8 Dual | SI7212 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 1.3W | PowerPak® 1212-8 Dual | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 canal n (Duplo) | 30V | 4.9a | 36mohm @ 6.8a, 10V | 1.6V a 250µA | 11nc @ 4.5V | - | Portão de Nível Lógico | |||||||
 | IRF9Z24STRLPBF | 1.3028 | | 9028 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | IRF9Z24 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D²PAK (TO-263) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal P. | 60 v | 11a (TC) | 10V | 280mohm @ 6.6a, 10V | 4V A 250µA | 19 NC @ 10 V | ± 20V | 570 pf @ 25 V | - | 3.7W (TA), 60W (TC) | |||||
 | SIHG24N65EF-GE3 | 6.2600 | | 1279 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | E | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-247-3 | SIHG24 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-247AC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 650 v | 24a (TC) | 10V | 156mohm @ 12a, 10V | 4V A 250µA | 122 NC @ 10 V | ± 30V | 2774 pf @ 100 V | - | 250W (TC) | |||||
| SIHFS11N50A-GE3 | 1.0490 | | 2748 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | SIHFS11 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D²PAK (TO-263) | download | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-canal | 500 v | 11a (TC) | 10V | 520mohm @ 6.6a, 10V | 4V A 250µA | 52 NC @ 10 V | ± 30V | 1423 pf @ 25 V | - | 170W (TC) | ||||||
 | SQM50N04-4M1_GE3 | 1.7194 | | 4441 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | SQM50 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-263 (D²PAK) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 40 v | 50a (TC) | 10V | 4.1mohm @ 30a, 10V | 3,5V a 250µA | 105 nc @ 10 V | ± 20V | 6715 pf @ 25 V | - | 150W (TC) |
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