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Produtos Semicondutores discretos (5717)
| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Poder - Máx | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Configuraça | TIPO DE FET | Escorra para um tensão de origem (VDSS) | Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C | Tensão de conduça (max rds on, min rds on) | Rds em (max) @ id, vgs | VGS (th) (max) @ id | Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS | VGs (Máximoo) | CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Recurso FET | DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SQM40P10-40L_GE3 | 2.6100 |  | 6137 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | SQM40 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-263 (D²PAK) | download | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal P. | 100 v | 40A (TC) | 4.5V, 10V | 40mohm @ 17a, 10V | 2,5V a 250µA | 134 NC @ 10 V | ± 20V | 5295 pf @ 25 V | - | 150W (TC) | ||||||
 | SIHB15N65E-GE3 | 1.8963 | | 2429 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | SIHB15 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D²PAK (TO-263) | download | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-canal | 650 v | 15a (TC) | 10V | 280mohm @ 8a, 10V | 4V A 250µA | 96 nc @ 10 V | ± 30V | 1640 pf @ 100 V | - | 34W (TC) | ||||||
 | SQ1470AEH-T1_GE3 | 0,6000 | | 272 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SQ1470 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | SC-70-6 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 v | 1.7a (TC) | 2.5V, 4.5V | 65mohm @ 4.2a, 4.5V | 1.6V a 250µA | 5,2 nc @ 4,5 V | ± 12V | 450 pf @ 15 V | - | 3.3W (TC) | |||||
| SUM45N25-58-E3 | 4.4900 | | 3191 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | SUM45 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-263 (D²PAK) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 250 v | 45a (TC) | 6V, 10V | 58mohm @ 20a, 10V | 4V A 250µA | 140 nc @ 10 V | ± 30V | 5000 pf @ 25 V | - | 3.75W (TA), 375W (TC) | |||||
 | SQJA81EP-T1_GE3 | 2.2400 | | 8879 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | PowerPak® SO-8 | SQJA81 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PowerPak® SO-8 | download | 1 (ilimito) | 742-SQJA81EP-T1_GE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P. | 80 v | 46a (TC) | 4.5V, 10V | 17.3mohm @ 10a, 10V | 2,5V a 250µA | 80 nc @ 10 V | ± 20V | 5900 pf @ 25 V | - | 68W (TC) | |||||
 | IRLI530G | - | | 6840 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada | IRLI530 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | To-220-3 | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | *IRLI530G | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-canal | 100 v | 9.7a (TC) | 4V, 5V | 160mohm @ 5.8a, 5V | 2V A 250µA | 28 NC @ 5 V | ± 10V | 930 PF @ 25 V | - | 42W (TC) | |||
 | SI6435ADQ-T1-E3 | - | | 1288 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Fita de Corte (CT) | Obsoleto | Montagem na Superfície | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm de largura) | SI6435 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-TSSOP | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P. | 30 v | 4.7a (ta) | 30mohm @ 5.5a, 10V | 1V @ 250µA (min) | 20 NC @ 5 V | - | |||||||||
 | SIDR626EP-T1-RE3 | 3.3300 | | 50 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | PowerPak® SO-8 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PowerPak® SO-8DC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 60 v | 50.8a (ta), 227a (tc) | 7.5V, 10V | 1.74mohm @ 20a, 10V | 4V A 250µA | 102 NC @ 10 V | ± 20V | 5130 pf @ 30 V | - | 7.5W (TA), 150W (TC) | ||||||
 | SIJ482DP-T1-GE3 | 1.8000 | | 1441 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | PowerPak® SO-8 | Sij482 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PowerPak® SO-8 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 80 v | 60a (TC) | 4.5V, 10V | 6.2mohm @ 20a, 10V | 2.7V @ 250µA | 71 nc @ 10 V | ± 20V | 2425 pf @ 40 V | - | 5W (TA), 69,4W (TC) | |||||
 | SQUN702E-T1_GE3 | 3.6300 | | 1826 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície, Flanco Molhado | Morrer | SQUN702 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 48W (TC), 60W (TC) | Morrer | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N E P-Canal, Dreno Comum | 40V, 200V | 30a (TC), 20A (TC) | 9.2mohm @ 9.8a, 10v, 60mohm @ 5a, 10v, 30mohm @ 6a, 10v | 2,5V a 250µA, 3,5V a 250µA | 23NC @ 20V, 14NC @ 20V, 30.2NC @ 100V | 1474pf @ 20V, 1450pf @ 20V, 1302pf @ 100V | - | |||||||
| SI1406DH-T1-GE3 | - | | 5870 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SI1406 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | SC-70-6 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 20 v | 3.1a (ta) | 1.8V, 4.5V | 65mohm @ 3.9a, 4.5V | 1.2V a 250µA | 7,5 nc @ 4,5 V | ± 8V | - | 1W (TA) | |||||
 | SI4110DY-T1-GE3 | - | | 7785 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | SI4110 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-SOIC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 80 v | 17.3a (TC) | 10V | 13mohm @ 11.7a, 10V | 4V A 250µA | 53 nc @ 10 V | ± 20V | 2205 pf @ 40 V | - | 3.6W (TA), 7,8W (TC) | ||||
| IRF9520STRLPBF | 2.1900 | | 472 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | IRF9520 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D²PAK (TO-263) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal P. | 100 v | 6.8a (TC) | 10V | 600mohm @ 4.1a, 10V | 4V A 250µA | 18 NC @ 10 V | ± 20V | 390 pf @ 25 V | - | 3.7W (TA), 60W (TC) | |||||
 | Irfz48rpbf | 3.0900 | | 984 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | IRFZ48 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | *Irfz48rpbf | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 60 v | 50a (TC) | 10V | 18mohm @ 43a, 10V | 4V A 250µA | 110 nc @ 10 V | ± 20V | 2400 pf @ 25 V | - | 190W (TC) | ||||
 | IRF737LCL | - | | 3745 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Ativo | - | Através do buraco | TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA | IRF737 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | I2pak | - | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | *IRF737LCL | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 300 v | 6.1a (TC) | 10V | 750mohm @ 3.7a, 10V | 4V A 250µA | 17 NC @ 10 V | ± 30V | 430 pf @ 25 V | - | - | ||||
| IRF840ASTRPBF | 3.1100 | | 777 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | IRF840 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D²PAK (TO-263) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 500 v | 8a (TC) | 10V | 850mohm @ 4.8a, 10V | 4V A 250µA | 38 nc @ 10 V | ± 30V | 1018 pf @ 25 V | - | 125W (TC) | |||||
| IRF9630STRL | - | | 8433 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | IRF9630 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D²PAK (TO-263) | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal P. | 200 v | 6.5a (TC) | 10V | 800mohm @ 3.9a, 10V | 4V A 250µA | 29 NC @ 10 V | ± 20V | 700 pf @ 25 V | - | 3W (TA), 74W (TC) | ||||
 | SIHP22N60AEL-GE3 | - | | 8558 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | El | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | SIHP22 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-canal | 600 v | 21a (TC) | 10V | 180mohm @ 11a, 10V | 4V A 250µA | 82 nc @ 10 V | ± 30V | 1757 pf @ 100 V | - | 208W (TC) | |||||
 | SQS840EN-T1_GE3 | 0,9700 | | 2 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | PowerPak® 1212-8 | SQS840 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PowerPak® 1212-8 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 40 v | 12a (TC) | 4.5V, 10V | 20mohm @ 7.5a, 10V | 2,5V a 250µA | 22,5 nc @ 10 V | ± 20V | 1031 pf @ 20 V | - | 33W (TC) | |||||
| SIHB25N50E-GE3 | 3.6400 | | 1963 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | SIHB25 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D²PAK (TO-263) | download | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-canal | 500 v | 26a (TC) | 10V | 145mohm @ 12a, 10V | 4V A 250µA | 86 nc @ 10 V | ± 30V | 1980 pf @ 100 V | - | 250W (TC) | ||||||
 | SI1035X-T1-GE3 | 0,4600 | | 7 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SOT-563, SOT-666 | SI1035 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 250mw | SC-89 (SOT-563F) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N E P-Canal | 20V | 180mA, 145mA | 5ohm @ 200Ma, 4.5V | 400mv @ 250µA (min) | 0,75NC @ 4.5V | - | Portão de Nível Lógico | ||||||
 | SI3451DV-T1-E3 | - | | 5718 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | SI3451 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 6-TSOP | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P. | 20 v | 2.8a (TC) | 2.5V, 4.5V | 115mohm @ 2.6a, 4.5V | 1,5V a 250µA | 5.1 NC @ 5 V | ± 12V | 250 pf @ 10 V | - | 1.25W (TA), 2.1W (TC) | ||||
 | SIB415DK-T1-GE3 | - | | 8305 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | PowerPak® SC-75-6 | SIB415 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PowerPak® SC-75-6 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P. | 30 v | 9a (TC) | 4.5V, 10V | 87mohm @ 4.17a, 10V | 3V A 250µA | 10,05 nc @ 10 V | ± 20V | 295 pf @ 15 V | - | 2.4W (TA), 13W (TC) | ||||
| IRF820PBF-BE3 | 1.4000 | | 4606 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | IRF820 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-220AB | download | 1 (ilimito) | 742-IRF820PBF-BE3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-canal | 500 v | 2.5a (TC) | 10V | 3ohm @ 1.5a, 10V | 4V A 250µA | 24 nc @ 10 V | ± 20V | 360 pf @ 25 V | - | 50W (TC) | |||||
| IRF630STRR | - | | 7897 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | IRF630 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D²PAK (TO-263) | - | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 200 v | 9a (TC) | 10V | 400mohm @ 5.4a, 10V | 4V A 250µA | 43 nc @ 10 V | ± 20V | 800 pf @ 25 V | - | 3W (TA), 74W (TC) | ||||
 | SI2309DS-T1-E3 | - | | 2239 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | SI2309 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | SOT-23-3 (TO-236) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P. | 60 v | 1.25a (ta) | 4.5V, 10V | 340mohm @ 1.25a, 10V | 1V @ 250µA (min) | 12 nc @ 10 V | ± 20V | - | 1.25W (TA) | |||||
| SIHP12N60E-GE3 | 2.6900 | | 2114 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | E | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | SIHP12 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 600 v | 12a (TC) | 10V | 380mohm @ 6a, 10V | 4V A 250µA | 58 nc @ 10 V | ± 30V | 937 PF @ 100 V | - | 147W (TC) | |||||
 | SIRA54DP-T1-GE3 | 1.3000 | | 6711 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | PowerPak® SO-8 | Sira54 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PowerPak® SO-8 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 40 v | 60a (TC) | 4.5V, 10V | 2.35mohm @ 15a, 10V | 2.3V A 250µA | 48 NC a 4,5 V | +20V, -16V | 5300 pf @ 20 V | - | 36.7W (TC) | |||||
| SI6926ADQ-T1-E3 | 0,9700 | | 31 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm de largura) | SI6926 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 830mW | 8-TSSOP | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 canal n (Duplo) | 20V | 4.1a | 30mohm @ 4.5a, 4.5V | 1V a 250µA | 10.5nc @ 4.5V | - | Portão de Nível Lógico | ||||||
| SQ3427EV-T1_BE3 | 0,6900 | | 5932 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | SQ3427 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 6-TSOP | download | 1 (ilimito) | 742-SQ3427EV-T1_BE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P. | 60 v | 5.3a (TC) | 4.5V, 10V | 95mohm @ 4.5a, 10V | 2,5V a 250µA | 22 NC @ 10 V | ± 20V | 1000 pf @ 30 V | - | 5W (TC) |
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