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Produtos Semicondutores discretos (5717)
| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Poder - Máx | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Configuraça | TIPO DE FET | Escorra para um tensão de origem (VDSS) | Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C | Tensão de conduça (max rds on, min rds on) | Rds em (max) @ id, vgs | VGS (th) (max) @ id | Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS | VGs (Máximoo) | CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Recurso FET | DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SIR492DP-T1-GE3 | - |  | 7577 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | PowerPak® SO-8 | Sir492 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PowerPak® SO-8 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 12 v | 40A (TC) | 2.5V, 4.5V | 3.8mohm @ 15a, 4.5V | 1V a 250µA | 110 nc @ 8 V | ± 8V | 3720 pf @ 6 V | - | 4.2W (TA), 36W (TC) | |||||
 | SIHB30N60ET1-GE3 | 6.0700 | | 426 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D²PAK (TO-263) | download | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 600 v | 29a (TC) | 10V | 125mohm @ 15a, 10V | 4V A 250µA | 130 nc @ 10 V | ± 30V | 2600 pf @ 100 V | - | 250W (TC) | |||||||
 | SIS414DN-T1-GE3 | - | | 8432 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | PowerPak® 1212-8 | SIS414 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PowerPak® 1212-8 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 v | 20a (TC) | 2.5V, 4.5V | 16mohm @ 10a, 4.5V | 1,5V a 250µA | 33 nc @ 10 V | ± 12V | 795 pf @ 15 V | - | 3.4W (TA), 31W (TC) | |||||
 | TN2404K-T1-E3 | 0,9100 | | 1 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TN2404 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | SOT-23-3 (TO-236) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 240 v | 200Ma (TA) | 2.5V, 10V | 4ohm @ 300ma, 10V | 2V A 250µA | 8 nc @ 10 V | ± 20V | - | 360MW (TA) | |||||
 | SIHB6N80E-GE3 | 1.3550 | | 1217 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | E | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | SIHB6 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D²PAK (TO-263) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-canal | 800 v | 5.4a (TC) | 10V | 940mohm @ 3a, 10V | 4V A 250µA | 44 NC @ 10 V | ± 30V | 827 pf @ 100 V | - | 78W (TC) | |||||
 | 2N6661JTXL02 | - | | 8572 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN | 2N6661 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-39 | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 20 | N-canal | 90 v | 860mA (TC) | 5V, 10V | 4ohm @ 1a, 10V | 2V @ 1MA | ± 20V | 50 pf @ 25 V | - | 725MW (TA), 6,25W (TC) | |||||
 | IRL620STRL | - | | 4869 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | IRL620 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D²PAK (TO-263) | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 200 v | 5.2a (TC) | 4V, 10V | 800mohm @ 3.1a, 10V | 2V A 250µA | 16 nc @ 5 V | ± 10V | 360 pf @ 25 V | - | 3.1W (TA), 50W (TC) | ||||
 | SQJ872EP-T1_GE3 | 1.4600 | | 3649 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | PowerPak® SO-8 | SQJ872 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PowerPak® SO-8 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 150 v | 24.5a (TC) | 7.5V, 10V | 35.5mohm @ 10a, 10V | 3,5V a 250µA | 22 NC @ 10 V | ± 20V | 1045 pf @ 25 V | - | 55W (TC) | |||||
 | SI4062DY-T1-GE3 | 1.7500 | | 7684 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem NA Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | SI4062 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-SOIC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 60 v | 32.1a (TC) | 4.5V, 10V | 4.2mohm @ 20a, 10V | 2.6V a 250µA | 60 nc @ 10 V | ± 20V | 3175 pf @ 30 V | - | 7.8W (TC) | ||||||
 | IRL540pbf | 2.5100 | | 5 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | IRL540 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | *IRL540pbf | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 100 v | 28a (TC) | 4V, 5V | 77mohm @ 17a, 5V | 2V A 250µA | 64 NC @ 5 V | ± 10V | 2200 pf @ 25 V | - | 150W (TC) | ||||
 | IRLZ44L | - | | 2094 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA | IRLZ44 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-262-3 | - | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | *IRLZ44L | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 60 v | 50a (TC) | 4V, 5V | 28mohm @ 31a, 5V | 2V A 250µA | 66 nc @ 5 V | ± 10V | 3300 pf @ 25 V | - | - | |||
 | SI4340DY-T1-E3 | - | | 9910 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | 14-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | SI4340 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 1.14W, 1,43W | 14-SOIC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 canal n (Duplo) | 20V | 7.3a, 9.9a | 12mohm @ 9.6a, 10V | 2V A 250µA | 15NC @ 4.5V | - | Portão de Nível Lógico | ||||||
| IRF840LCSTRR | - | | 7368 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | IRF840 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D²PAK (TO-263) | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 500 v | 8a (TC) | 10V | 850mohm @ 4.8a, 10V | 4V A 250µA | 39 NC @ 10 V | ± 30V | 1100 pf @ 25 V | - | 3.1W (TA), 125W (TC) | ||||
| Irfz40pbf | 2.7800 | | 3 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | IRFZ40 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | *Irfz40pbf | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 60 v | 50a (TC) | 10V | 28mohm @ 31a, 10V | 4V A 250µA | 67 nc @ 10 V | ± 20V | 1900 pf @ 25 V | - | 150W (TC) | ||||
 | SIA810DJ-T1-E3 | - | | 7278 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Little Foot® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | PowerPak® SC-70-6 Dual | Sia810 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PowerPak® SC-70-6 Dual | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 20 v | 4.5a (TC) | 1.8V, 4.5V | 53mohm @ 3.7a, 4.5V | 1V a 250µA | 11,5 nc @ 8 V | ± 8V | 400 pf @ 10 V | Diodo Schottky (Isolado) | 1.9W (TA), 6,5W (TC) | ||||
| IRF730SPBF | 1.1708 | | 4448 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | IRF730 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D²PAK (TO-263) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | *IRF730SPBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-canal | 400 v | 5.5a (TC) | 10V | 1ohm @ 3.3a, 10V | 4V A 250µA | 38 nc @ 10 V | ± 20V | 700 pf @ 25 V | - | 3.1W (TA), 74W (TC) | ||||
 | IRFD024 | - | | 2288 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | IRFD024 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 4-HVMDIP | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | *IRFD024 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 60 v | 2.5a (ta) | 10V | 100mohm @ 1.5a, 10V | 4V A 250µA | 25 nc @ 10 V | ± 20V | 640 pf @ 25 V | - | 1.3W (TA) | ||||
| SI4858DY-T1-E3 | - | | 1496 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | SI4858 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-SOIC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 v | 13A (TA) | 4.5V, 10V | 5.25mohm @ 20a, 10V | 1V @ 250µA (min) | 40 NC a 4,5 V | ± 20V | - | 1.6W (TA) | |||||
| SQ2364EES-T1_GE3 | 0,6700 | | 17 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | SQ2364 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | SOT-23-3 (TO-236) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 60 v | 2a (TC) | 1.5V, 4.5V | 240mohm @ 2a, 4.5V | 1V a 250µA | 2,5 nc @ 4,5 V | ± 8V | 330 pf @ 25 V | - | 3W (TC) | |||||
 | SIR696DP-T1-GE3 | 1.3600 | | 4035 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Thunderfet® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | PowerPak® SO-8 | Sir696 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PowerPak® SO-8 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 125 v | 60a (TC) | 7.5V, 10V | 11.5mohm @ 20a, 10V | 4.5V a 250µA | 38 nc @ 10 V | ± 20V | 1410 pf @ 75 V | - | 104W (TC) | |||||
 | SI8902AEDB-T2-E1 | 0,3005 | | 4477 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | 6-UFBGA | SI8902 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 5.7W | 6-Micro Foot ™ (1,5x1) | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 canal n (Duplo) | 24V | 11a | 28mohm @ 1a, 4.5V | 900MV A 250µA | - | - | - | |||||||
 | IRFI720G | - | | 5880 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada | IRFI720 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | To-220-3 | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | *IRFI720G | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-canal | 400 v | 2.6a (TC) | 10V | 1.8OHM @ 1.6a, 10V | 4V A 250µA | 20 NC A 10 V | ± 20V | 410 pf @ 25 V | - | 30W (TC) | |||
 | IRFR9220TRPBF-BE3 | 1.3600 | | 1 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | IRFR9220 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-252AA | - | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | Canal P. | 200 v | 3.6a (TC) | 10V | 1.5Ohm @ 2.2a, 10V | 4V A 250µA | 20 NC A 10 V | ± 20V | 340 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 42W (TC) | ||||||
| SI7407DN-T1-E3 | - | | 8034 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | PowerPak® 1212-8 | SI7407 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PowerPak® 1212-8 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P. | 12 v | 9.9a (TA) | 1.8V, 4.5V | 12mohm @ 15.6a, 4.5V | 1V @ 400µA | 59 NC a 4,5 V | ± 8V | - | 1.5W (TA) | |||||
 | IRFBC40APBF-BE3 | 2.4900 | | 1 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | IRFBC40 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-220AB | download | 1 (ilimito) | 742-IRFBC40APBF-BE3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 600 v | 6.2a (TC) | 1.2OHM @ 3.7A, 10V | 4V A 250µA | 42 NC @ 10 V | ± 30V | 1036 pf @ 25 V | - | 125W (TC) | ||||||
 | SISH410DN-T1-GE3 | 1.0800 | | 6 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | Powerpak® 1212-8sh | SISH410 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | Powerpak® 1212-8sh | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 20 v | 22a (ta), 35a (tc) | 4.5V, 10V | 4.8mohm @ 20a, 10V | 2,5V a 250µA | 41 nc @ 10 V | ± 20V | 1600 pf @ 10 V | - | 3.8W (TA), 52W (TC) | |||||
| Irfz44strr | - | | 7485 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | IRFZ44 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D²PAK (TO-263) | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 60 v | 50a (TC) | 10V | 28mohm @ 31a, 10V | 4V A 250µA | 67 nc @ 10 V | ± 20V | 1900 pf @ 25 V | - | 3.7W (TA), 150W (TC) | ||||
 | SQP120N06-6M7_GE3 | - | | 2740 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | Através do buraco | To-220-3 | SQP120 | TO-220AB | - | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | 119a (TC) | ||||||||||||||||||
| SI4860DY-T1-GE3 | - | | 6131 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | SI4860 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-SOIC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 v | 11a (ta) | 4.5V, 10V | 8mohm @ 16a, 10V | 1V @ 250µA (min) | 18 NC a 4,5 V | ± 20V | - | 1.6W (TA) | |||||
| Sia907EdJ-T1-GE3 | - | | 9300 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | - | - | - | Sia907 | - | - | - | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | - | - | - | - | - | - | - | - |
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