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Produtos semicondutores discretos (5717)
| Imagem | Número do produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade disponível | Peso (Kg) | Fabricante | Série | Pacote | Estado do produto | Temperatura operacional | Tipo de montagem | Pacote/Caso | Número básico do produto | Tecnologia | Potência - Máx. | Pacote de dispositivos do fornecedor | Ficha de dados | Estado RoHS | Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | Estado do REACH | Outros nomes | ECCN | HTSU | Pacote Padrão | Configuração | Tipo FET | Dreno para Tensão de Fonte (Vdss) | Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado) | Rds ativadas (máx.) @ ID, Vgs | Vgs(th) (máx.) @ ID | Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs | Vgs (máx.) | Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | Recurso FET | Dissipação de energia (máx.) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SI3443DDV-T1-GE3 | 0,4300 |  | 6970 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrincheiraFET® | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | SOT-23-6 Fino, TSOT-23-6 | SI3443 | MOSFET (óxido metálico) | 6-TSOP | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 4A (Ta), 5,3A (Tc) | 2,5 V, 4,5 V | 47mOhm @ 4,5A, 4,5V | 1,5 V a 250 µA | 30 nC @ 8 V | ±12V | 970 pF a 10 V | - | 1,7 W (Ta), 2,7 W (Tc) | |||||
 | SIA441DJ-T1-GE3 | 0,6900 | | 103 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrincheiraFET® | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | PowerPAK® SC-70-6 | SIA441 | MOSFET (óxido metálico) | PowerPAK® SC-70-6 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 40 V | 12A (Tc) | 4,5V, 10V | 47mOhm @ 4,4A, 10V | 2,2 V a 250 µA | 35 nC @ 10 V | ±20V | 890 pF a 20 V | - | 19W (Tc) | |||||
 | SIHG25N40D-E3 | 3.7000 | | 500 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | PARA-247-3 | SIHG25 | MOSFET (óxido metálico) | TO-247AC | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | SIHG25N40DE3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | Canal N | 400V | 25A (Tc) | 10V | 170mOhm @ 13A, 10V | 5 V a 250 µA | 88 nC @ 10 V | ±30V | 1707 pF a 100 V | - | 278W (Tc) | ||||
 | SI7119DN-T1-GE3 | 1.0000 | | 2 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrincheiraFET® | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -50°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | PowerPAK® 1212-8 | SI7119 | MOSFET (óxido metálico) | PowerPAK® 1212-8 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 200 V | 3,8A (Tc) | 6V, 10V | 1,05Ohm por 1A, 10V | 4 V a 250 µA | 25 nC @ 10 V | ±20V | 666 pF a 50 V | - | 3,7 W (Ta), 52 W (Tc) | |||||
 | SI4436DY-T1-E3 | 0,9400 | | 29 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrincheiraFET® | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 8-SOIC (0,154", 3,90 mm de largura) | SI4436 | MOSFET (óxido metálico) | 8-SOIC | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal N | 60 V | 8A (Tc) | 4,5V, 10V | 36mOhm @ 4,6A, 10V | 2,5 V a 250 µA | 32 nC @ 10 V | ±20V | 1100 pF a 30 V | - | 2,5W (Ta), 5W (Tc) | |||||
 | IRF644L | - | | 4905 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | TO-262-3 Cabos Longos, I²Pak, TO-262AA | IRF644 | MOSFET (óxido metálico) | I2PAK | - | RoHS não compatível | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | *IRF644L | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal N | 250 V | 14A (Tc) | 10V | 280mOhm @ 8,4A, 10V | 4 V a 250 µA | 68 nC @ 10 V | ±20V | 1300 pF a 25 V | - | - | |||
 | SQJ488EP-T1_GE3 | 1.5800 | | 4062 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotivo, AEC-Q101, TrenchFET® | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | PowerPAK® SO-8 | SQJ488 | MOSFET (óxido metálico) | PowerPAK® SO-8 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal N | 100V | 42A (Tc) | 4,5V, 10V | 21mOhm @ 7,4A, 10V | 2,5 V a 250 µA | 27 nC @ 10 V | ±20V | 979 pF a 25 V | - | 83W (Tc) | |||||
 | IRFU014PBF | 1.3900 | | 34 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | TO-251-3 Cabos Curtos, IPak, TO-251AA | IRFU014 | MOSFET (óxido metálico) | TO-251AA | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | *IRFU014PBF | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | Canal N | 60 V | 7,7A (Tc) | 10V | 200mOhm @ 4,6A, 10V | 4 V a 250 µA | 11 nC @ 10 V | ±20V | 300 pF a 25 V | - | 2,5W (Ta), 25W (Tc) | ||||
 | IRF830BPBF | 1.1200 | | 2 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | PARA-220-3 | IRF830 | MOSFET (óxido metálico) | PARA-220AB | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal N | 500 V | 5,3A (Tc) | 10V | 1,5 Ohm a 2,5 A, 10 V | 5 V a 250 µA | 20 nC @ 10 V | ±30V | 325 pF a 100 V | - | 104W (Tc) | |||||
| IRF9620L | - | | 6745 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | TO-262-3 Cabos Longos, I²Pak, TO-262AA | IRF9620 | MOSFET (óxido metálico) | I2PAK | download | RoHS não compatível | 1 (ilimitado) | *IRF9620L | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal P | 200 V | 3,5A (Tc) | 10V | 1,5 Ohm @ 1,5 A, 10 V | 4 V a 250 µA | 22 nC @ 10 V | ±20V | 350 pF a 25 V | - | - | ||||
 | IRFI9620GPBF | 2.4800 | | 5 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | TO-220-3 Pacote Completo, Guia Isolado | IRFI9620 | MOSFET (óxido metálico) | PARA-220-3 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | *IRFI9620GPBF | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.000 | Canal P | 200 V | 3A (Tc) | 10V | 1,5 Ohm a 1,8 A, 10 V | 4 V a 250 µA | 15 nC @ 10 V | ±20V | 340 pF a 15 V | - | 30W (Tc) | ||||
| SQJ872EP-T1_GE3 | 1.4600 | | 3649 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotivo, AEC-Q101, TrenchFET® | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | PowerPAK® SO-8 | SQJ872 | MOSFET (óxido metálico) | PowerPAK® SO-8 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal N | 150 V | 24,5A (Tc) | 7,5V, 10V | 35,5mOhm a 10A, 10V | 3,5 V a 250 µA | 22 nC @ 10 V | ±20V | 1045 pF a 25 V | - | 55W (Tc) | |||||
| SI4484EY-T1-GE3 | - | | 2659 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrincheiraFET® | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | 8-SOIC (0,154", 3,90 mm de largura) | SI4484 | MOSFET (óxido metálico) | 8-SOIC | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal N | 100V | 4,8A (Ta) | 6V, 10V | 34mOhm @ 6,9A, 10V | 2 V @ 250 µA (mín.) | 30 nC @ 10 V | ±20V | - | 1,8W (Ta) | |||||
 | SUD50N10-34P-T4-E3 | - | | 6384 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrincheiraFET® | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63 | SUD50 | MOSFET (óxido metálico) | TO-252AA | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal N | 100V | 5,9A (Ta), 20A (Tc) | 6V, 10V | 34mOhm @ 7A, 10V | 4 V a 250 µA | 30 nC @ 10 V | ±20V | 1800 pF a 25 V | - | 2,5W (Ta), 56W (Tc) | ||||
| SUP85N04-03-E3 | - | | 2150 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrincheiraFET® | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | PARA-220-3 | SUP85 | MOSFET (óxido metálico) | PARA-220AB | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | Canal N | 40 V | 85A (Tc) | 4,5V, 10V | 3,5mOhm a 30A, 10V | 3 V a 250 µA | 250 nC @ 10 V | ±20V | 6860 pF a 25 V | - | 3,75 W (Ta), 250 W (Tc) | ||||
 | IRFBC40AS | - | | 7915 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB | IRFBC40 | MOSFET (óxido metálico) | D²PAK (TO-263) | download | RoHS não compatível | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | *IRFBC40AS | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal N | 600V | 6,2A (Tc) | 10V | 1,2 Ohm a 3,7 A, 10 V | 4 V a 250 µA | 42 nC @ 10 V | ±30V | 1036 pF a 25 V | - | 125W (Tc) | |||
 | IRFD310PBF | 1.6300 | | 2 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Volume | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | 4-DIP (0,300", 7,62 mm) | IRFD310 | MOSFET (óxido metálico) | 4-HVMDIP | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal N | 400V | 350mA (Ta) | 10V | 3,6Ohm a 210mA, 10V | 4 V a 250 µA | 17 nC @ 10 V | ±20V | 170 pF a 25 V | - | 1W (Ta) | |||||
| IRF710L | - | | 2427 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | TO-262-3 Cabos Longos, I²Pak, TO-262AA | IRF710 | MOSFET (óxido metálico) | I2PAK | download | RoHS não compatível | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | *IRF710L | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal N | 400V | 2A (Tc) | 10V | 3,6Ohm @ 1,2A, 10V | 4 V a 250 µA | 17 nC @ 10 V | ±20V | 170 pF a 25 V | - | - | |||
 | SISS5112DN-T1-GE3 | 1.5600 | | 5441 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrincheiraFET® | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | PowerPAK® 1212-8S | SISS5112 | MOSFET (óxido metálico) | PowerPAK® 1212-8S | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal N | 100V | 11A (Ta), 40,7A (Tc) | 7,5V, 10V | 14,9mOhm a 10A, 10V | 4 V a 250 µA | 16 nC @ 10 V | ±20V | 790 pF a 50 V | - | 3,7 W (Ta), 52 W (Tc) | |||||
 | IRFR9220 | - | | 7120 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63 | IRFR9220 | MOSFET (óxido metálico) | D-Pak | download | RoHS não compatível | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | *IRFR9220 | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | Canal P | 200 V | 3,6A (Tc) | 10V | 1,5 Ohm @ 2,2 A, 10 V | 4 V a 250 µA | 20 nC @ 10 V | ±20V | 340 pF a 25 V | - | 2,5W (Ta), 42W (Tc) | |||
 | SI7390DP-T1-GE3 | 1.2191 | | 2476 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrincheiraFET® | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | PowerPAK® SO-8 | SI7390 | MOSFET (óxido metálico) | PowerPAK® SO-8 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal N | 30 V | 9A (Ta) | 4,5V, 10V | 9,5mOhm a 15A, 10V | 3 V a 250 µA | 15 nC @ 4,5 V | ±20V | - | 1,8W (Ta) | ||||||
 | SI7956DP-T1-E3 | 3.1700 | | 2 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrincheiraFET® | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | PowerPAK® SO-8 duplo | SI7956 | MOSFET (óxido metálico) | 1,4W | PowerPAK® SO-8 duplo | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 canais N (duplo) | 150V | 2,6A | 105mOhm @ 4,1A, 10V | 4 V a 250 µA | 26nC @ 10V | - | Portão de nível lógico | |||||||
| SI7194DP-T1-GE3 | - | | 4426 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrincheiraFET® | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | PowerPAK® SO-8 | SI7194 | MOSFET (óxido metálico) | PowerPAK® SO-8 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal N | 25 V | 60A (Tc) | 4,5V, 10V | 2mOhm @ 20A, 10V | 2,6 V a 250 µA | 145 nC @ 10 V | ±20V | 6590 pF a 15 V | - | 5,4 W (Ta), 83 W (Tc) | |||||
 | SI1467DH-T1-GE3 | 0,6700 | | 9993 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrincheiraFET® | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SI1467 | MOSFET (óxido metálico) | SC-70-6 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 2,7A(Tc) | 1,8 V, 4,5 V | 90mOhm @ 2A, 4,5V | 1V @ 250µA | 13,5 nC a 4,5 V | ±8V | 561 pF a 10 V | - | 1,5 W (Ta), 2,78 W (Tc) | ||||
 | SQD30N05-20L_T4GE3 | 0,4851 | | 9765 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotivo, AEC-Q101, TrenchFET® | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63 | QD30 | MOSFET (óxido metálico) | TO-252AA | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 742-SQD30N05-20L_T4GE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal N | 55V | 30A (Tc) | 4,5V, 10V | 20mOhm @ 20A, 10V | 2,5 V a 250 µA | 18 nC @ 5 V | ±20V | 1175 pF a 25 V | - | 50W (Tc) | ||||
| IRL640PBF | 2.4800 | | 5 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | PARA-220-3 | IRL640 | MOSFET (óxido metálico) | PARA-220AB | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | *IRL640PBF | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal N | 200 V | 17A (Tc) | 4V, 5V | 180mOhm @ 10A, 5V | 2V @ 250µA | 66 nC @ 5 V | ±10V | 1800 pF a 25 V | - | 125W (Tc) | ||||
 | SI8469DB-T2-E1 | - | | 6714 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrincheiraFET® | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 4-UFBGA | SI8469 | MOSFET (óxido metálico) | 4-Micropé | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 8V | 4,6A (Ta) | 4,5 V | 64mOhm a 1,5A, 4,5V | 800mV @ 250µA | 17 nC @ 4,5 V | ±5V | 900 pF a 4 V | - | 780mW (Ta), 1,8W (Tc) | ||||
| SI7635DP-T1-GE3 | - | | 8467 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrincheiraFET® | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | PowerPAK® SO-8 | SI7635 | MOSFET (óxido metálico) | PowerPAK® SO-8 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 40A (Tc) | 4,5V, 10V | 4,9mOhm a 26A, 10V | 2,2 V a 250 µA | 143 nC @ 10 V | ±16V | 4595 pF a 10 V | - | 5W (Ta), 54W (Tc) | |||||
| SIHB22N60ET1-GE3 | 3.5600 | | 9622 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | E | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB | SIHB22 | MOSFET (óxido metálico) | D²PAK (TO-263) | download | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal N | 600V | 21A (Tc) | 10V | 180mOhm @ 11A, 10V | 4 V a 250 µA | 86 nC @ 10 V | ±30V | 1920 pF a 100 V | - | 227W (Tc) | ||||||
| SQ7415AEN-T1_BE3 | - | | 9246 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotivo, AEC-Q101, TrenchFET® | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | PowerPAK® 1212-8 | SQ7415 | MOSFET (óxido metálico) | PowerPAK® 1212-8 | download | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 60 V | 16A (Tc) | 4,5V, 10V | 65mOhm @ 5,7A, 10V | 2,5 V a 250 µA | 38 nC @ 10 V | ±20V | 1385 pF a 25 V | - | 53W (Tc) |
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