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| Imagem | Número do produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade disponível | Peso (Kg) | Fabricante | Série | Pacote | Estado do produto | Temperatura operacional | Tipo de montagem | Pacote/Caso | Número básico do produto | Tecnologia | Potência - Máx. | Pacote de dispositivos do fornecedor | Ficha de dados | Estado RoHS | Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | Estado do REACH | Outros nomes | ECCN | HTSU | Pacote Padrão | Configuração | Tipo FET | Dreno para Tensão de Fonte (Vdss) | Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado) | Rds ativadas (máx.) @ ID, Vgs | Vgs(th) (máx.) @ ID | Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs | Vgs (máx.) | Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | Recurso FET | Dissipação de energia (máx.) | Tensão - Quebra (V(BR)GSS) | Corrente - Dreno (Idss) @ Vds (Vgs=0) | Tensão - Corte (VGS desligado) @ Id | Resistência - RDS (ligado) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SI4430BDY-T1-E3 | 1.8500 | ![]() | 889 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrincheiraFET® | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 8-SOIC (0,154", 3,90 mm de largura) | SI4430 | MOSFET (óxido metálico) | 8-SOIC | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal N | 30 V | 14A (Ta) | 4,5V, 10V | 4,5mOhm a 20A, 10V | 3 V a 250 µA | 36 nC @ 4,5 V | ±20V | - | 1,6 W (Ta) | ||||||||||
![]() | SI4829DY-T1-E3 | - | ![]() | 7105 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | PEQUENO PÉ® | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 8-SOIC (0,154", 3,90 mm de largura) | SI4829 | MOSFET (óxido metálico) | 8-SOIC | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P | 20 V | 2A (Tc) | 2,5 V, 4,5 V | 215 mOhm @ 2,5 A, 4,5 V | 1,5 V a 250 µA | 8 nC @ 10 V | ±12V | 210 pF a 10 V | Diodo Schottky (isolado) | 2W (Ta), 3,1W (Tc) | |||||||||
![]() | SI1033X-T1-E3 | - | ![]() | 6318 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrincheiraFET® | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | SOT-563, SOT-666 | SI1033 | MOSFET (óxido metálico) | 250mW | SC-89 (SOT-563F) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 canais P (duplo) | 20V | 145mA | 8 Ohm @ 150 mA, 4,5 V | 1,2 V a 250 µA | 1,5nC a 4,5V | - | Portão de nível lógico | ||||||||||
![]() | SIS10ADN-T1-GE3 | 0,9600 | ![]() | 4 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrenchFET® Geração IV | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | PowerPAK® 1212-8S | ISS10 | MOSFET (óxido metálico) | PowerPAK® 1212-8S | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal N | 40 V | 31,7A (Ta), 109A (Tc) | 4,5V, 10V | 2,65mOhm a 15A, 10V | 2,4 V a 250 µA | 61 nC @ 10 V | +20V, -16V | 3030 pF a 20 V | - | 4,8 W (Ta), 56,8 W (Tc) | |||||||||
| SQJ152EP-T1_GE3 | 0,9400 | ![]() | 5309 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrenchFET® Geração IV | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | PowerPAK® SO-8 | MOSFET (óxido metálico) | PowerPAK® SO-8 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal N | 40 V | 114A (Tc) | 10V | 5,1mOhm a 15A, 10V | 3,5 V a 250 µA | 27 nC @ 10 V | ±20V | 1450 pF a 25 V | - | 136W (Tc) | |||||||||||
![]() | SIS472ADN-T1-GE3 | 0,1714 | ![]() | 7351 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | PowerPAK® 1212-8 | SIS472 | MOSFET (óxido metálico) | PowerPAK® 1212-8 | download | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal N | 30 V | 24A (Tc) | 4,5V, 10V | 8,5mOhm a 10A, 10V | 2,4 V a 250 µA | 44 nC @ 10 V | ±20V | 1515 pF a 15 V | - | 28W (Tc) | ||||||||||
![]() | IRFR1N60ATRRPBF | - | ![]() | 3189 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63 | IRFR1 | MOSFET (óxido metálico) | D-Pak | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal N | 600 V | 1,4A (Tc) | 10V | 7 Ohm @ 840 mA, 10 V | 4 V a 250 µA | 14 nC @ 10 V | ±30V | 229 pF a 25 V | - | 36W (Tc) | ||||||||
![]() | SI1902DL-T1-E3 | 0,5300 | ![]() | 8479 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrincheiraFET® | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SI1902 | MOSFET (óxido metálico) | 270mW | SC-70-6 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 canais N (duplo) | 20V | 660mA | 385mOhm @ 660mA, 4,5V | 1,5 V a 250 µA | 1,2nC a 4,5V | - | Portão de nível lógico | ||||||||||
![]() | SIR692DP-T1-RE3 | 1.7900 | ![]() | 4707 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | ThunderFET® | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | PowerPAK® SO-8 | SIR692 | MOSFET (óxido metálico) | PowerPAK® SO-8 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal N | 250 V | 24,2A(Tc) | 7,5V, 10V | 63mOhm @ 10A, 10V | 4 V a 250 µA | 30 nC @ 7,5 V | ±20V | 1405 pF a 125 V | - | 104W (Tc) | |||||||||
| SUP70060E-GE3 | 2.0800 | ![]() | 4366 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | ThunderFET® | Volume | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | PARA-220-3 | SUP70060 | MOSFET (óxido metálico) | PARA-220AB | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal N | 100V | 131A (Tc) | 7,5V, 10V | 5,8mOhm a 30A, 10V | 4 V a 250 µA | 81 nC @ 10 V | ±20V | 3330 pF a 50 V | - | 200W (Tc) | ||||||||||
![]() | SIHD6N80AE-GE3 | 1.3200 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | E | Tubo | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63 | SIHD6 | MOSFET (óxido metálico) | TO-252AA | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | Canal N | 800V | 5A (Tc) | 10V | 950mOhm @ 2A, 10V | 4 V a 250 µA | 22,5 nC a 10 V | ±30V | 422 pF a 100 V | - | 62,5W (Tc) | |||||||||
![]() | SQ2310ES-T1_BE3 | 0,9000 | ![]() | 37 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotivo, AEC-Q101, TrenchFET® | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | SQ2310 | MOSFET (óxido metálico) | SOT-23-3 (TO-236) | download | 1 (ilimitado) | 742-SQ2310ES-T1_BE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal N | 20 V | 6A (Tc) | 1,5 V, 4,5 V | 30mOhm a 5A, 4,5V | 1V @ 250µA | 8,5 nC a 4,5 V | ±8V | 485 pF a 10 V | - | 2W (Tc) | |||||||||
![]() | SQJ403EP-T1_GE3 | 1.5700 | ![]() | 819 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotivo, AEC-Q101, TrenchFET® | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | PowerPAK® SO-8 | SQJ403 | MOSFET (óxido metálico) | PowerPAK® SO-8 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 30 V | 30A (Tc) | 4,5V, 10V | 8,5mOhm a 10A, 10V | 2,5 V a 250 µA | 109 nC @ 10 V | ±20V | 4500 pF a 15 V | - | 68W (Tc) | |||||||||
| SUP85N03-04P-E3 | - | ![]() | 2868 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrincheiraFET® | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | PARA-220-3 | SUP85 | MOSFET (óxido metálico) | PARA-220AB | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | Canal N | 30 V | 85A (Tc) | 4,5V, 10V | 4,3mOhm a 30A, 10V | 3 V a 250 µA | 90 nC @ 10 V | ±20V | 4500 pF a 25 V | - | 3,75 W (Ta), 166 W (Tc) | |||||||||
![]() | SISS71DN-T1-GE3 | 1.1100 | ![]() | 5194 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | ThunderFET® | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | PowerPAK® 1212-8S | SISS71 | MOSFET (óxido metálico) | PowerPAK® 1212-8S | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 100V | 23A (Tc) | 4,5V, 10V | 59mOhm @ 5A, 10V | 2,5 V a 250 µA | 15 nC @ 4,5 V | ±20V | 1050 pF a 50 V | - | 57W (Tc) | |||||||||
![]() | VQ2001P-2 | - | ![]() | 7358 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | 14-DIP | VQ2001 | MOSFET (óxido metálico) | 2W | 14-DIP | download | RoHS não compatível | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | 4 canais P | 30V | 600mA | 2Ohm @ 1A, 12V | 4,5V a 1mA | - | 150pF a 15V | - | ||||||||||
![]() | SQJ409EP-T2_GE3 | 1.4900 | ![]() | 7432 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotivo, AEC-Q101, TrenchFET® | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | PowerPAK® SO-8 | MOSFET (óxido metálico) | PowerPAK® SO-8 | download | 1 (ilimitado) | 742-SQJ409EP-T2_GE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 40 V | 60A (Tc) | 4,5V, 10V | 7mOhm @ 10A, 10V | 2,5 V a 250 µA | 260 nC @ 10 V | ±20V | 11.000 pF a 25 V | - | 68W (Tc) | ||||||||||
![]() | 2N4393-E3 | - | ![]() | 1646 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Volume | Obsoleto | -65°C ~ 200°C (TJ) | Através do furo | TO-206AA, TO-18-3 Lata de metal | 2N4393 | 1,8W | TO-206AA (TO-18) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 200 | Canal N | 14pF a 20V | 40 V | 5 mA a 20 V | 500 mV @ 1 nA | 100 Ohms | |||||||||||||
![]() | SIS452DN-T1-GE3 | - | ![]() | 6025 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrincheiraFET® | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | PowerPAK® 1212-8 | SIS452 | MOSFET (óxido metálico) | PowerPAK® 1212-8 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal N | 12V | 35A (Tc) | 4,5V, 10V | 3,25mOhm a 20A, 10V | 2,2 V a 250 µA | 41 nC @ 10 V | ±20V | 1700 pF a 6 V | - | 3,8 W (Ta), 52 W (Tc) | |||||||||
![]() | SIR820DP-T1-GE3 | 0,6350 | ![]() | 3781 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | PowerPAK® SO-8 | SIR820 | MOSFET (óxido metálico) | PowerPAK® SO-8 | download | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal N | 30 V | 40A (Tc) | 4,5V, 10V | 3mOhm @ 15A, 10V | 2,4 V a 250 µA | 95 nC @ 10 V | ±20V | 3512 pF a 15 V | - | 37,8W (Tc) | ||||||||||
![]() | SI4620DY-T1-E3 | - | ![]() | 9669 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | PEQUENO PÉ® | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 8-SOIC (0,154", 3,90 mm de largura) | SI4620 | MOSFET (óxido metálico) | 8-SOIC | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal N | 30 V | 6A (Ta), 7,5A (Tc) | 4,5V, 10V | 35mOhm @ 6A, 10V | 2,5 V a 250 µA | 13 nC @ 10 V | ±20V | 1040 pF a 15 V | Diodo Schottky (isolado) | 2W (Ta), 3,1W (Tc) | |||||||||
![]() | SIA436DJ-T4-GE3 | 0,2467 | ![]() | 2153 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrincheiraFET® | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | PowerPAK® SC-70-6 | SIA436 | MOSFET (óxido metálico) | PowerPAK® SC-70-6 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 742-SIA436DJ-T4-GE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal N | 8V | 12A (Tc) | 1,2 V, 4,5 V | 9,4mOhm @ 15,7A, 4,5V | 800mV @ 250µA | 25,2 nC a 5 V | ±5V | 1508 pF a 4 V | - | 3,5W (Ta), 19W (Tc) | ||||||||
![]() | SI3473DV-T1-E3 | - | ![]() | 1770 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrincheiraFET® | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | SOT-23-6 Fino, TSOT-23-6 | SI3473 | MOSFET (óxido metálico) | 6-TSOP | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 12V | 5,9A (Ta) | 1,8 V, 4,5 V | 23mOhm a 7,9A, 4,5V | 1V @ 250µA | 33 nC @ 4,5 V | ±8V | - | 1,1W (Ta) | |||||||||
![]() | SI4831BDY-T1-E3 | - | ![]() | 7710 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | PEQUENO PÉ® | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 8-SOIC (0,154", 3,90 mm de largura) | SI4831 | MOSFET (óxido metálico) | 8-SOIC | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P | 30 V | 6,6A (Tc) | 4,5V, 10V | 42mOhm @ 5A, 10V | 3 V a 250 µA | 26 nC @ 10 V | ±20V | 625 pF a 15 V | Diodo Schottky (isolado) | 2W (Ta), 3,3W (Tc) | ||||||||
![]() | SI1012R-T1-GE3 | 0,4500 | ![]() | 214 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrincheiraFET® | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | SC-75, SOT-416 | SI1012 | MOSFET (óxido metálico) | SC-75A | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal N | 20 V | 500mA (Ta) | 1,8 V, 4,5 V | 700mOhm @ 600mA, 4,5V | 900mV a 250µA | 0,75 nC a 4,5 V | ±6V | - | 150mW (Ta) | |||||||||
![]() | SI6924AEDQ-T1-GE3 | - | ![]() | 9759 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 8-TSSOP (0,173", 4,40 mm de largura) | SI6924 | MOSFET (óxido metálico) | 1W | 8-TSSOP | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Dreno comum de 2 canais N (duplo) | 28V | 4.1A | 33mOhm @ 4,6A, 4,5V | 1,5 V a 250 µA | 10nC a 4,5V | - | Portão de nível lógico | ||||||||||
![]() | SI7236DP-T1-E3 | - | ![]() | 5143 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrincheiraFET® | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | PowerPAK® SO-8 duplo | SI7236 | MOSFET (óxido metálico) | 46W | PowerPAK® SO-8 duplo | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 canais N (duplo) | 20V | 60A | 5,2mOhm @ 20,7A, 4,5V | 1,5 V a 250 µA | 105nC @ 10V | 4000pF a 10V | - | |||||||||||
![]() | SI5403DC-T1-GE3 | 1.0400 | ![]() | 5 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrincheiraFET® | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 8-SMD, cabo plano | SI5403 | MOSFET (óxido metálico) | 1206-8 ChipFET™ | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 30 V | 6A (Tc) | 4,5V, 10V | 30mOhm a 7,2A, 10V | 3 V a 250 µA | 42 nC @ 10 V | ±20V | 1340 pF a 15 V | - | 2,5 W (Ta), 6,3 W (Tc) | ||||||||
![]() | SI2303BDS-T1 | - | ![]() | 6326 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | SI2303 | MOSFET (óxido metálico) | SOT-23-3 (TO-236) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal P | 30 V | 1,49A (Ta) | 4,5V, 10V | 200mOhm @ 1,7A, 10V | 3 V a 250 µA | 10 nC @ 10 V | ±20V | 180 pF a 15 V | - | 700mW (Ta) | ||||||||
![]() | IRFB9N60APBF-BE3 | 3.0800 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | PARA-220-3 | IRFB9 | MOSFET (óxido metálico) | PARA-220AB | download | 1 (ilimitado) | 742-IRFB9N60APBF-BE3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal N | 600 V | 9,2A (Tc) | 750mOhm a 5,5A, 10V | 4 V a 250 µA | 49 nC @ 10 V | ±30V | 1400 pF a 25 V | - | 170W (Tc) |

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